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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BUK762R6-60E,118 NXP USA Inc. BUK762R6-60E, 118 - - -
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 ECAD 6607 0.00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 60 v 120a (TC) 10V 2,6 MOHM @ 25a, 10V 4v @ 1ma 140 nc @ 10 v ± 20 V 10170 PF @ 25 V. - - - 324W (TC)
MRF8S9260HR3 NXP USA Inc. MRF8S9260HR3 - - -
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 70 V Chassis -berg SOT-957A MRF8 960 MHz Ldmos NI-880H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935317145128 Ear99 8541.29.0075 250 - - - 1.7 a 75W 18.6db - - - 28 v
PEMB4,115 NXP USA Inc. PEMB4,115 0,0400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 Pemb4 300 MW SOT-666 Herunterladen Ear99 8541.21.0095 1 50V 100 ma 1 µA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 150 mV @ 500 µA, 10 mA 200 @ 1ma, 5V - - - 10kohm - - -
PMST6429,115 NXP USA Inc. PMST6429,115 0,0200
RFQ
 ECAD 941 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 45 V 100 ma 10NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 500 @ 100 µA, 5V 700 MHz
PH3830L,115 NXP USA Inc. PH3830L, 115 - - -
RFQ
 ECAD 2751 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 Ph38 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 30 v 98a (TC) 5v, 10V 3,8 MOHM @ 25a, 10V 2V @ 1ma 33 NC @ 5 V. ± 20 V 3190 PF @ 10 V. - - - 62,5W (TC)
BFU520AVL NXP USA Inc. BFU520AVL 0,1208
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 ECAD 6790 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BFU520 450 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934067697235 Ear99 8541.21.0075 10.000 12.5db 12V 30 ma Npn 60 @ 5ma, 8v 10GHz 1 dB @ 1,8 GHz
BUK9Y41-80E/GFX NXP USA Inc. BUK9Y41-80E/GFX - - -
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 ECAD 9871 0.00000000 NXP USA Inc. * Band & Rollen (TR) Veraltet BUK9 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.500
BZX384-C7V5,115 NXP USA Inc. BZX384-C7V5,115 0,0200
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 ECAD 5480 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX384 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
PDTD123EU115 NXP USA Inc. PDTD123EU115 0,0300
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 ECAD 24 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
MRF6S23100HSR5 NXP USA Inc. MRF6S23100HSR5 - - -
RFQ
 ECAD 7920 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Chassis -berg NI-780s MRF6 2,4 GHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 50 - - - 1 a 20W 15.4db - - - 28 v
BC638,112 NXP USA Inc. BC638,112 - - -
RFQ
 ECAD 9384 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC63 830 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 100 MHz
BUK7619-100B,118 NXP USA Inc. BUK7619-100B, 118 - - -
RFQ
 ECAD 6862 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab BUK76 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 64a (TC) 10V 19Mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma 53 NC @ 10 V ± 20 V 3400 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
BUK9Y29-40E/CX NXP USA Inc. BUK9Y29-40E/CX - - -
RFQ
 ECAD 7745 0.00000000 NXP USA Inc. * Band & Rollen (TR) Veraltet BUK9 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.500
PMBT6428,215 NXP USA Inc. PMBT6428,215 0,0200
RFQ
 ECAD 5168 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PMBT6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
MRF6P21190HR5 NXP USA Inc. MRF6P21190HR5 - - -
RFQ
 ECAD 3990 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Chassis -berg Ni-1230 MRF6 2,12 GHz Ldmos Ni-1230 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 1.9 a 44W 15.5db - - - 28 v
MRF8P23160WHSR3 NXP USA Inc. MRF8P23160WHSR3 - - -
RFQ
 ECAD 9830 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V NI-780-4 MRF8 2,32 GHz Mosfet NI-780-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935310859128 Ear99 8541.29.0095 250 N-Kanal - - - 600 mA 30W 14.1db - - - 28 v
PDZ6.8B/ZL115 NXP USA Inc. Pdz6.8b/zl115 - - -
RFQ
 ECAD 6779 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 3.000
BZB984-C8V2115 NXP USA Inc. BZB984-C8V2115 - - -
RFQ
 ECAD 8086 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
BAT86,113 NXP USA Inc. BAT86,113 0,0800
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Bat86 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000
BC846B215 NXP USA Inc. BC846B215 - - -
RFQ
 ECAD 5678 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
BC846BW/ZL,135 NXP USA Inc. BC846BW/ZL, 135 0,0200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 15.000
PDTB113ES,126 NXP USA Inc. Pdtb113es, 126 - - -
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PDTB113 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 50 v 500 mA 500NA PNP - VoreInensmen 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA 33 @ 50 Ma, 5V 1 Kohms 1 Kohms
BZX79-C13,143 NXP USA Inc. BZX79-C13,143 0,0200
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 ECAD 375 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 100 na @ 8 v 13 v 30 Ohm
MRF5S9150HSR3 NXP USA Inc. MRF5S9150HSR3 - - -
RFQ
 ECAD 4217 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Chassis -berg SOT-957A MRF5 880 MHz Ldmos NI-780H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 - - - 1,5 a 33W 19.7db - - - 28 v
MRF7S19170HR3 NXP USA Inc. MRF7S19170HR3 - - -
RFQ
 ECAD 4939 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-957A MRF7 1,99 GHz Ldmos NI-880H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 250 - - - 1.4 a 50W 17.2db - - - 28 v
PMV45EN2215 NXP USA Inc. PMV45En2215 - - -
RFQ
 ECAD 4632 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 3.000
PMBFJ309,215 NXP USA Inc. PMBFJ309,215 - - -
RFQ
 ECAD 7304 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PMBFJ3 250 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 25 v 5pf @ 10v 25 v 12 mA @ 10 v 1 V @ 1 µA 50 Ohm
BLF888D112 NXP USA Inc. BLF888D112 250.9600
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1
PMEG1201AESF/S50YL NXP USA Inc. PMEG1201AESF/S50YL - - -
RFQ
 ECAD 9522 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Veraltet PMEG1 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1
PBHV8515QA147 NXP USA Inc. PBHV8515QA147 0,1000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 5.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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