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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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BC847W, 135 | 0,0200 | ![]() | 650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdta114ym, 315 | - - - | ![]() | 7076 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847W, 115 | - - - | ![]() | 3403 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMB9,315 | 0,0700 | ![]() | 594 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pemb9 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 8.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC52-16PA, 115 | - - - | ![]() | 9453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84AKW, 115 | 1.0000 | ![]() | 7745 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BSS84 | - - - | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC56PAS115 | - - - | ![]() | 8724 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdta113ee, 115 | - - - | ![]() | 5506 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA113 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 1,5 mA, 30 mA | 30 @ 40 mA, 5V | 1 Kohms | 1 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG93A/X, 215 | - - - | ![]() | 4423 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFG93 | 300 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 12V | 35 Ma | Npn | 40 @ 30 Ma, 5V | 6GHz | 1,7 dB ~ 2,3 dB @ 1 GHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124EK, 115 | - - - | ![]() | 7515 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC124 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pb709aqw, 115 | - - - | ![]() | 6686 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pb70 | 200 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 10NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10 mA, 100 mA | 160 @ 2MA, 10V | 60 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C5V6,235 | 0,0200 | ![]() | 73 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BW/ZL115 | 0,0200 | ![]() | 285 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHM30NQ10T, 518 | - - - | ![]() | 3144 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | PHM30 | MOSFET (Metalloxid) | 8-HVSON (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 37,6a (TC) | 10V | 20mohm @ 18a, 10V | 4v @ 1ma | 53.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 62,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-C22,115 | 0,0300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.823 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pd601arl, 215 | 0,0200 | ![]() | 741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pd60 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C4V3,215 | 0,0200 | ![]() | 183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHK31NQ03LT, 518 | - - - | ![]() | 9829 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PHK31 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB208-03,135 | - - - | ![]() | 7903 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB20 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 5.4PF @ 7.5V, 1 MHz | Einzel | 10 v | 5.2 | C1/C7.5 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH2,115 | 0,0600 | ![]() | 9821 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMH2 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 960 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 NPN - Voresingenben (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | - - - | 47kohm | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG97,115 | - - - | ![]() | 4153 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BFG97 | 1W | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 15 v | 100 ma | Npn | 25 @ 70 mA, 10V | 5,5 GHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PhD37N06LT, 118 | - - - | ![]() | 6789 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | PhD37 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 55 v | 37a (TC) | 5v, 10V | 32mohm @ 17a, 10V | 2V @ 1ma | 22,5 NC @ 5 V. | ± 13 v | 1400 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF5016HSR5 | - - - | ![]() | 7750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 48 v | Oberflächenhalterung | NI-400S-2S | MMRF5 | 1,8 GHz ~ 2,2 GHz | Hemt | NI-400S-2S | - - - | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935331343528 | Veraltet | 0000.00.0000 | 250 | - - - | 32W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B30,215 | - - - | ![]() | 4012 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1020-04GNR3 | 266.1723 | ![]() | 3118 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 105 V | Oberflächenhalterung | OM-780G-4L | MMRF1020 | 920 MHz | Ldmos | OM-780G-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935318203528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 860 Ma | 100W | 19.5db | - - - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C43,115 | 0,0200 | ![]() | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A5G35S008N-3400 | 105.4700 | ![]() | 8662 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 v | Oberflächenhalterung | 6-ldfn exponiert Pad | 3,3 GHz ~ 3,8 GHz | - - - | 6-PDFN (4x4,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - - - | - - - | 24 ma | 27 dBm | 18.6db | - - - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4747a, 113 | 0,0400 | ![]() | 290 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 1N47 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC850C/AU235 | 0,0200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bta312-600ct, 127 | 1.0000 | ![]() | 5049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 35 Ma | Standard | 600 V | 12 a | 1,5 v | 95a, 105a | 35 Ma |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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