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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
PBHV9515QA147 NXP USA Inc. PBHV9515QA147 0,0800
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ECAD 55 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 3.974
ON5441518 NXP USA Inc. On5441518 0,7300
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ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 2.000
AFT09S200W02NR3 NXP USA Inc. AFT09S200W02NR3 - - -
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ECAD 2548 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 70 V Oberflächenhalterung OM-780-2 Achtern 960 MHz Ldmos OM-780-2 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935311675528 Ear99 8541.29.0075 250 - - - 1.4 a 56W 19.2db - - - 28 v
PMEG2005AESF/S500315 NXP USA Inc. PMEG2005AESF/S500315 0,0300
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ECAD 846 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 9.000
BUK7Y7R2-60EX NXP USA Inc. BUK7Y7R2-60EX - - -
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ECAD 2919 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 60 v - - - 10V - - - - - - ± 20 V - - - 167W (TC)
MRF5S21100HSR3 NXP USA Inc. MRF5S21100HSR3 - - -
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ECAD 5820 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V NI-780s MRF5 2,16 GHz ~ 2,17 GHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 250 - - - 1.05 a 23W 13,5 dB - - - 28 v
NX7002BKXB147 NXP USA Inc. NX7002BKXB147 0,0500
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 5.000
BFU590Q115 NXP USA Inc. BFU590Q115 0,5000
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ECAD 106 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1.000
PMZ200UNE315 NXP USA Inc. Pmz200une315 - - -
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ECAD 8069 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 10.000
BUK7631-100E,118 NXP USA Inc. BUK7631-100E, 118 0,6100
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ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen Ear99 8541.29.0095 532 N-Kanal 100 v 34a (TC) 10V 31mohm @ 10a, 10V 4v @ 1ma 29.4 NC @ 10 V. ± 20 V 1738 PF @ 25 V. - - - 96W (TC)
PSMN070-200P,127-NXP NXP USA Inc. PSMN070-200P, 127-NXP - - -
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ECAD 8242 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 1.000 N-Kanal 200 v 35a (TC) 10V 70 MOHM @ 17A, 10V 4v @ 1ma 77 NC @ 10 V ± 20 V 4570 PF @ 25 V. - - - 250 W (TC)
PHP71NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHP71NQ03LT, 127 - - -
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ECAD 4406 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Php71 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 75a (TC) 5v, 10V 10Mohm @ 25a, 10V 2,5 V @ 1ma 13.2 NC @ 5 V. ± 20 V 1220 PF @ 25 V. - - - 120W (TC)
PDTC114YT,215 NXP USA Inc. PDTC114YT, 215 - - -
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ECAD 6906 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTC11 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
BB179B,315 NXP USA Inc. BB179B, 315 - - -
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ECAD 5917 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BB17 SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 8.000 2.25PF @ 28V, 1 MHz Einzel 32 v 10 C1/C28 - - -
J111,126 NXP USA Inc. J111,126 - - -
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ECAD 1823 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads J111 400 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 40 v 6PF @ 10V (VGS) 40 v 20 mA @ 15 V 10 V @ 1 µA 30 Ohm
PH2369,112 NXP USA Inc. Ph2369,112 - - -
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ECAD 7471 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads Ph23 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 15 v 200 ma 400NA (ICBO) Npn 250 mV @ 1ma, 10 mA 40 @ 10 Ma, 1V 500 MHz
PHP45NQ11T,127 NXP USA Inc. PHP45NQ11T, 127 0,4100
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ECAD 11 0.00000000 NXP USA Inc. * Rohr Aktiv Php45 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000
PDTA123YT,215 NXP USA Inc. PDTA123YT, 215 0,0200
RFQ
ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTA12 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
PH4530L,115 NXP USA Inc. PH4530L, 115 - - -
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ECAD 5176 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 Ph45 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 30 v 80A (TC) 5v, 10V 5.7mohm @ 15a, 10V 2V @ 1ma 23.5 NC @ 5 V. ± 20 V 1972 PF @ 10 V - - - 62,5W (TC)
PMST3904,135 NXP USA Inc. PMST3904,135 - - -
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ECAD 2685 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PMST3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000
BY329X-1500,127 NXP USA Inc. By29x-1500,127 - - -
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ECAD 8881 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Full Pack By32 Standard To-220fp Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934054895127 Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1500 V 1,45 V @ 6,5 a 230 ns 150 ° C (max) 6a - - -
J2A012YXY/S1AY73AJ NXP USA Inc. J2A012YXY/S1AY73AJ - - -
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ECAD 1123 0.00000000 NXP USA Inc. * Band & Rollen (TR) Veraltet J2A0 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 2.500
PDTC143ZEF,115 NXP USA Inc. PDTC143ZEF, 115 - - -
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ECAD 4530 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 PDTC143 250 MW SC-89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 100 mv @ 250 ua, 5 mA 100 @ 10ma, 5V 4.7 Kohms 47 Kohms
MRF5P21180HR5 NXP USA Inc. MRF5P21180HR5 - - -
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ECAD 1093 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg Ni-1230 MRF5 2,16 GHz Ldmos Ni-1230 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 50 - - - 1.6 a 38W 14db - - - 28 v
BZV85-C6V8,113 NXP USA Inc. BZV85-C6V8,113 0,0400
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ECAD 67 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204Al, Do-41, axial 1,3 w Do-41 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 7.969 1 V @ 50 Ma 2 µa @ 4 V. 6,8 v 3,5 Ohm
BFU550XRR NXP USA Inc. BFU550XRR 0,4400
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ECAD 5414 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-143R BFU550 450 MW SOT-143R Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 21.5db 12V 50 ma Npn 60 @ 15ma, 8v 11GHz 0,7 dB @ 900MHz
PDTA144VK,115 NXP USA Inc. PDTA144VK, 115 - - -
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ECAD 4705 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTA144 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 40 @ 5ma, 5v 47 Kohms 10 Kohms
BFR94AW,115 NXP USA Inc. BFR94AW, 115 - - -
RFQ
ECAD 8714 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BFR94 300 MW SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934064959115 Ear99 8541.29.0095 3.000 - - - 15 v 25ma Npn 65 @ 15ma, 10V 5GHz 2 dB ~ 3 dB @ 1GHz ~ 2GHz
NZX12B133 NXP USA Inc. NZX12B133 1.0000
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ECAD 4588 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
BFG325W/XR,115 NXP USA Inc. BFG325W/XR, 115 - - -
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ECAD 5371 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BFG32 210 MW Cmpak-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 18.3db 6v 35 Ma Npn 60 @ 15ma, 3v 14GHz 1.1db @ 2ghz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus