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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | BC846DS | 1.0000 | ![]() | 5637 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PH3530DL115 | 0,4600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB189,115 | - - - | ![]() | 5835 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.18PF @ 25V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 6.3 | C2/C25 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT136S-800F, 118 | - - - | ![]() | 6941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Dpak | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 15 Ma | Standard | 800 V | 4 a | 1,5 v | 25a, 27a | 25 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC327-16,112 | - - - | ![]() | 3249 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC32 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C20/LF1R | - - - | ![]() | 6183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C20 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069448215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 14 v | 20 v | 55 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFV141KHR5 | 603.9620 | ![]() | 4677 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 105 V | Chassis -berg | SOT-979A | AFV141 | 1,4 GHz | Ldmos | NI-1230-4H | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935320646178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 1000W | 17.7db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C3V3/LF1VL | - - - | ![]() | 2999 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C3V3 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069473235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu8.2b1,115 | - - - | ![]() | 9675 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu8.2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS84AK-B215 | - - - | ![]() | 7547 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S38075HR5 | - - - | ![]() | 4257 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 900 Ma | 12W | 14db | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMD4003K, 115 | - - - | ![]() | 1900 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 40V | Torfahrer | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMD40 | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 1a | NPN + Basis-Emitter-Diode | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH10,115 | - - - | ![]() | 3415 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PEMH1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B3V9135 | - - - | ![]() | 3475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B2V4,113 | 0,0200 | ![]() | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70/DG/B2215 | 0,0300 | ![]() | 132 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P18265HSR5 | - - - | ![]() | 8158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-1110B | MRF8 | 1,88 GHz | Ldmos | NI1230S-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 800 mA | 72W | 16 dB | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG10020ELR115 | 1.0000 | ![]() | 7755 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG10020 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C36/LF1VL | - - - | ![]() | 8119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C36 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069466235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 23.1 v | 36 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN3R5-80ES, 127 | 1.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | PSMN3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmzb370une, 315 | - - - | ![]() | 3565 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006B-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 900 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 490MOHM @ 500 mA, 4,5 V. | 1,05 V @ 250 ähm | 1,16 NC @ 15 V | ± 8 v | 78 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA), 2,7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7C3R8-80EJ | - - - | ![]() | 8500 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-263-7, d²pak (6 Leads + Tab) | BUK7C3 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak-7 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067494118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 80 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC8DX-600,127 | 0,4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | To-220f | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 740 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 2,9 V @ 8 a | 20 ns | 40 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 8a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX6V8B, 133 | - - - | ![]() | 3660 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MHT1004NR3 | - - - | ![]() | 9097 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | OM-780-2 | MHT10 | 2,45 GHz | Ldmos | OM-780-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935316281528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10 µA | 100 ma | 280W | 15.2db | - - - | 32 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS5160T, 215 | 0,0600 | ![]() | 9141 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT610035PK115 | - - - | ![]() | 3056 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP45NQ10TA, 127 | - - - | ![]() | 7128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | Php45 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934059957127 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 47a (TC) | 25mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 61 NC @ 10 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT760/ZL115 | 0,0400 | ![]() | 2636 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN2R9-25YLC | 1.0000 | ![]() | 9589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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