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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC547C, 116 | - - - |  | 4767 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC54 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX9V1A, 133 | 0,0200 | | 135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX9 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD114EU135 | 0,0400 | | 30 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS3515M, 315 | 0,0400 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7108-40AIE, 118 | 0,8100 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-5, d²pak (4 Leitete + Tab), to-263BBBBBBBB. | MOSFET (Metalloxid) | SOT-426 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 8mohm @ 50a, 10V | 4v @ 1ma | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 3140 PF @ 25 V. | Stromerkennung | 221W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG4005EGW115 | 1.0000 | | 7167 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143XK, 115 | - - - | | 1945 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA143 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTB123TK, 115 | - - - | | 3372 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTB123 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC857,215 | 0,0200 | | 88 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC857 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMV62XN215 | 0,0400 | | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| OT380,116 | - - - | | 5764 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | OT380 | To-92-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934056295116 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10.000 | Einzel | Standard | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817-16W, 135 | 0,0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC817 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV90-C6V2135 | 0,1600 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX884-B15315 | - - - | | 5201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK969R3-100E, 118 | 1.1100 | | 8475 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 v | 100a (TC) | 5v, 10V | 8,9mohm @ 25a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 94.3 NC @ 5 V. | ± 10 V | 11650 PF @ 25 V. | - - - | 263W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT136X-600,127 | 0,2500 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | To-220f | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.184 | Einzel | 15 Ma | Standard | 600 V | 4 a | 1,5 v | 25a, 27a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C36115 | - - - | | 3147 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V0/LF1VL | - - - | | 7055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C3V0 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069469235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 1 V | 3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BB202 | 0,3800 | | 160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 85 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | SOD-523 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Verkäfer undefiniert | Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar | 2832-BB202 | Ear99 | 1 | 11.2PF @ 2,3V, 1 MHz | Einzel | 6 v | 2.5 | C0.2/C2.3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7K5R6-30E, 115 | - - - | | 6100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1205, 8-LFPAK56 | BUK7K5 | MOSFET (Metalloxid) | 64W | Lfpak56d | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 40a | 5.6mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 29.7nc @ 10v | 1969PF @ 25v | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B15145 | - - - | | 2788 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF513,215 | - - - | | 8650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 20 v | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BF513 | 100 MHz | Jfet | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 ma | 5 Ma | - - - | - - - | 1,5 dB | 10 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR94AW, 115 | - - - | | 8714 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFR94 | 300 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934064959115 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | 15 v | 25ma | Npn | 65 @ 15ma, 10V | 5GHz | 2 dB ~ 3 dB @ 1GHz ~ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB187LX, 315 | - - - | | 4502 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-882 | BB18 | SOD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 2.92pf @ 25v, 1 MHz | Einzel | 32 v | 11 | C2/C25 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF998,235 | - - - | | 3474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 12 v | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BF998 | 200 MHz | Mosfet | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934002640235 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 10 ma | - - - | - - - | 0,6 dB | 8 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC51-10PAS115 | 1.0000 | | 2605 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC847BW, 115 | 0,0200 | | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 18.453 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG520W, 115 | - - - | | 1947 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343 Reverse Pinning | BFG52 | 500 MW | 4-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pmmt491a, 215 | 0,0400 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pmmt4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S18120HSR3 | - - - | | 7139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF8 | 1,81 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 800 mA | 72W | 18.2db | - - - | 28 v |
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