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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Max | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | Pzu13b3a, 115 | 0,0300 | ![]() | 17 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.010 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 10 v | 13 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123ET, 215 | 0,0200 | ![]() | 1850 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA12 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NXP3875G, 215 | 0,0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B3V3,215 | - - - | ![]() | 3419 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN1R9-40PL127 | 1.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PSMN1R9 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 194 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu3.6b2,115 | - - - | ![]() | 9289 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu3.6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PLVA2662A, 215 | 0,0900 | ![]() | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PLVA2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S19100MR1 | - - - | ![]() | 9469 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | To-270-4 | MRF6 | 1,99 GHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 950 Ma | 22W | 14.5db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP51-04W, 115 | - - - | ![]() | 2553 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-70, SOT-323 | Bap51 | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50 ma | 240 MW | 0,35PF @ 5V, 1 MHz | Pin - 1 Paar Serie Verbindung | 50V | 2,5 Ohm bei 10 Ma, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S18210WHSR5 | - - - | ![]() | 8771 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 65 V | Oberflächenhalterung | Ni-880xs | MRF8 | 1,93 GHz | Mosfet | Ni-880xs | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935314716178 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | - - - | 1.3 a | 50W | 17.8db | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPSA92,412 | - - - | ![]() | 5423 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA92 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 300 V | 100 ma | 250na (ICBO) | PNP | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 25 @ 30 Ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
PH3830L, 115 | - - - | ![]() | 2751 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | Ph38 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 98a (TC) | 5v, 10V | 3,8 MOHM @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 33 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3190 PF @ 10 V. | - - - | 62,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T18S260-12SR3 | - - - | ![]() | 7537 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780-2S2L | A2T18 | 1.805 GHz ~ 1.995 GHz | Ldmos | NI-780-2S2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935318801128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | 10 µA | 1.4 a | 257W | 18.9db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S18125AHR5 | - - - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 1,88 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.1 a | 125W | 17db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PhD34NQ10T, 118 | - - - | ![]() | 9369 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | PhD34 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 35a (TC) | 10V | 40mohm @ 17a, 10V | 4v @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1704 PF @ 25 V. | - - - | 136W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA113EM, 315 | 0,0300 | ![]() | 140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-B43,115 | - - - | ![]() | 8000 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B5V1/DLT115 | 1.0000 | ![]() | 7470 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3002Aeld, 315 | 0,0400 | ![]() | 640 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG3002 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846AW135 | 0,0200 | ![]() | 209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MHT1001HR5 | - - - | ![]() | 5861 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | SOT-979A | MHT1001 | 2,39 GHz | Ldmos | NI-1230-4H | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935325901178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 1.9 a | 40W | 14db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK961R7-40E, 118 | - - - | ![]() | 7882 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BUK96 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 5v, 10V | 1,5 MOHM @ 25a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 105,4 NC @ 5 V. | ± 10 V | 15010 PF @ 25 V. | - - - | 324W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC846BW, 115 | - - - | ![]() | 1435 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S26060HR3 | - - - | ![]() | 9534 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-400-240 | MRF8 | 2,69 GHz | Ldmos | NI-400-240 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935314195118 | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 450 Ma | 15.5W | 16.3db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS70-04235 | - - - | ![]() | 6813 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S38040HR5 | - - - | ![]() | 7382 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-400-240 | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Ldmos | NI-400-240 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 450 Ma | 8W | 14db | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550215 | 0,2500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN4R0-25YLC, 115 | - - - | ![]() | 8436 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PSMN4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF373alsr1 | - - - | ![]() | 9696 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Chassis -berg | Ni-360s | MRF37 | 860 MHz | Ldmos | Ni-360s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 200 ma | 75W | 18.2db | - - - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143ZK, 115 | - - - | ![]() | 8618 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 9.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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