SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Hold (ih) (max) Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) RAUSCHFIGUR Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
MRF373ALR1 NXP USA Inc. MRF373AlR1 - - -
RFQ
ECAD 4883 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 70 V Chassis -berg Ni-360 MRF37 860 MHz Ldmos Ni-360 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 500 - - - 200 ma 75W 18.2db - - - 32 v
BLF1820-90,112 NXP USA Inc. BLF1820-90,112 - - -
RFQ
ECAD 4535 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Rohr Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-502A BLF18 2GHz Ldmos Ldsten Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 60 12a 750 Ma 90W 11db - - - 26 v
MRF6V2300NR1 NXP USA Inc. MRF6v2300NR1 - - -
RFQ
ECAD 7766 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 110 v Oberflächenhalterung To-270ab MRF6 220 MHz Ldmos To-270 WB-4 Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 500 - - - 900 Ma 300W 25,5 dB - - - 50 v
MPSA42,116 NXP USA Inc. MPSA42,116 - - -
RFQ
ECAD 6226 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads MPSA42 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 300 V 100 ma 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 2MA, 20 mA 40 @ 30 ma, 10V 50 MHz
PHK24NQ04LT,518 NXP USA Inc. PHK24NQ04LT, 518 - - -
RFQ
ECAD 1983 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) PHK24 MOSFET (Metalloxid) 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 40 v 21,2a (TC) 4,5 V, 10 V. 7.7Mohm @ 14a, 10V 2V @ 1ma 64 NC @ 10 V ± 20 V 2985 PF @ 25 V. - - - 6.25W (TC)
BUK9608-55,118 NXP USA Inc. BUK9608-55,118 - - -
RFQ
ECAD 2196 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab BUK96 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 75a (TC) 5v 8mohm @ 25a, 5V 2V @ 1ma ± 10 V 6900 PF @ 25 V. - - - 187W (TC)
PEMH16,115 NXP USA Inc. PEMH16,115 - - -
RFQ
ECAD 7278 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PEMH1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000
BZX79-B24143 NXP USA Inc. BZX79-B24143 0,0200
RFQ
ECAD 124 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
PEMB10115 NXP USA Inc. PEMB10115 - - -
RFQ
ECAD 9249 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 PEMB10 300 MW SOT-666 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50V 100 ma 1 µA 2 PNP Voreeinnensmen (Dual) 100 mv @ 250 ua, 5 mA 100 @ 10ma, 5V - - - 2.2ko 47kohm
BZB84-C51,215 NXP USA Inc. BZB84-C51,215 1.0000
RFQ
ECAD 8231 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZB84-C51 300 MW To-236ab Herunterladen 0000.00.0000 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 35.7 V. 51 v 180 Ohm
PSMN012-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN012-25YLC, 115 - - -
RFQ
ECAD 1882 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 PSMN0 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 25 v 33a (TC) 4,5 V, 10 V. 12,6 MOHM @ 10a, 10V 1,95 V @ 1ma 8.3 NC @ 10 V ± 20 V 528 PF @ 12 V - - - 26W (TC)
PZM3.6NB2,115 NXP USA Inc. Pzm3,6nb2,115 - - -
RFQ
ECAD 8384 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM3.6 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
MMRF1013HR5 NXP USA Inc. MMRF1013HR5 - - -
RFQ
ECAD 6834 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-979A MMRF1013 2,9 GHz Ldmos NI-1230-4H - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935322103178 Ear99 8541.29.0075 50 Dual - - - 100 ma 320W 13.3db - - - 30 v
BT131-800D,112 NXP USA Inc. BT131-800D, 112 0,1200
RFQ
ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 125 ° C (TJ) K. Loch To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.30.0080 2,404 Einzel 5 Ma Logik - Sensitive Gate 800 V 1 a 1,5 v 12,5a, 13,8a 3 ma
PHB222NQ04LT,118 NXP USA Inc. PHB222NQ04LT, 118 - - -
RFQ
ECAD 4382 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab PHB22 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 2,8 MOHM @ 25a, 10V 2V @ 1ma 93.6 NC @ 5 V. ± 15 V 7880 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
PDTA113ZM315 NXP USA Inc. PDTA113ZM315 0,0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8542.21.0095 15.000
PSMN8R0-30LYC115 NXP USA Inc. PSMN8R0-30LYC115 1.0000
RFQ
ECAD 3272 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1
MRF7S18125AHSR5 NXP USA Inc. MRF7S18125AHSR5 - - -
RFQ
ECAD 6379 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg NI-780s MRF7 1,88 GHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 1.1 a 125W 17db - - - 28 v
BZX84J-B3V0,115 NXP USA Inc. BZX84J-B3V0,115 0,0300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F 550 MW SOD-323F Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 mA 10 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
AFV09P350-04NR3 NXP USA Inc. AFV09P350-04NR3 88.9166
RFQ
ECAD 2616 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 105 V Oberflächenhalterung OM-780-4L AFV09 920 MHz Ldmos OM-780-4L - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935322054528 5a991g 8541.29.0040 250 Dual - - - 860 Ma 100W 19.5db - - - 48 v
BFQ67W,135 NXP USA Inc. BFQ67W, 135 - - -
RFQ
ECAD 8779 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BFQ67 300 MW SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934021070135 Ear99 8541.21.0075 10.000 - - - 10V 50 ma Npn 60 @ 15ma, 5V 8GHz 1,3 db ~ 3 dB @ 1GHz ~ 2GHz
2PC1815BL,126 NXP USA Inc. 2pc1815bl, 126 - - -
RFQ
ECAD 4036 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2pc18 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 50 v 150 Ma 100NA (ICBO) Npn 300mv @ 10 mA, 100 mA 350 @ 2MA, 6V 80MHz
PZM3.9NB,115 NXP USA Inc. PZM3.9NB, 115 - - -
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM3.9 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1 V 3,9 v 90 Ohm
PDTA123TMB,315 NXP USA Inc. PDTA123TMB, 315 0,0200
RFQ
ECAD 110 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTA123 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 20 Ma, 5V 180 MHz 2.2 Kohms
PMBFJ110,215 NXP USA Inc. PMBFJ110,215 - - -
RFQ
ECAD 2273 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PMBFJ1 250 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal 25 v 30pf @ 10v (VGS) 25 v 10 mA @ 15 V 4 V @ 1 µA 18 Ohm
BCW66G215 NXP USA Inc. BCW66G215 1.0000
RFQ
ECAD 5035 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
PHB176NQ04T,118 NXP USA Inc. PHB176NQ04T, 118 - - -
RFQ
ECAD 2086 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab PHB17 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 75a (TC) 10V 4,3 Mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma 68,9 NC @ 10 V. ± 20 V 3620 PF @ 25 V. - - - 250 W (TC)
PBSS305PZ,135 NXP USA Inc. PBSS305PZ, 135 0,2100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PBSS3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000
2PB710ASL/ZLR NXP USA Inc. 2pb710asl/zlr - - -
RFQ
ECAD 6880 0.00000000 NXP USA Inc. * Band & Rollen (TR) Veraltet 2pb71 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
PDTC123TMB,315 NXP USA Inc. PDTC123TMB, 315 0,0300
RFQ
ECAD 100 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTC123 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 20 Ma, 5V 230 MHz 2.2 Kohms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus