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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkt (Hfe) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PSMN012-25YLC, 115 | - - - |  | 1882 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | PSMN0 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 25 v | 33a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12,6 MOHM @ 10a, 10V | 1,95 V @ 1ma | 8.3 NC @ 10 V | ± 20 V | 528 PF @ 12 V | - - - | 26W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-C51,215 | 1.0000 | | 8231 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZB84-C51 | 300 MW | To-236ab | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 35.7 V. | 51 v | 180 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMH16,115 | - - - | | 7278 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PEMH1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMB10115 | - - - | | 9249 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | PEMB10 | 300 MW | SOT-666 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 PNP Voreeinnensmen (Dual) | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | - - - | 2.2ko | 47kohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT131-800D, 112 | 0,1200 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2,404 | Einzel | 5 Ma | Logik - Sensitive Gate | 800 V | 1 a | 1,5 v | 12,5a, 13,8a | 3 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu6.2b1a115 | - - - | | 7835 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS301ND, 115 | - - - | | 9903 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-B24143 | 0,0200 | | 124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S18125AHSR5 | - - - | | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF7 | 1,88 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.1 a | 125W | 17db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N5551,116 | - - - | | 6708 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2n55 | 630 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 160 v | 300 ma | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 80 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu3.6ba, 115 | 0,0300 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.010 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDZ3.9BGW, 115 | - - - | | 7235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB222NQ04LT, 118 | - - - | | 4382 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | PHB22 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 93.6 NC @ 5 V. | ± 15 V | 7880 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK6607-55C, 118 | 0,8500 | | 400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 55 v | 100a (TC) | 10V | 6,5 MOHM @ 25a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 82 NC @ 10 V | ± 16 v | 5160 PF @ 25 V. | - - - | 158W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C27/LF1R | - - - | | 8639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C27 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069452215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB182,315 | - - - | | 6621 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934047500315 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 2,89PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 22 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC124EE, 115 | - - - | | 9408 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTC124 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC635-16,126 | - - - | | 4674 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC63 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | But11ai, 127 | - - - | | 6675 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | But11 | 100 w | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 450 V | 5 a | 1ma | Npn | 1,5 V @ 330 Ma, 2,5a | 14 @ 500 mA, 5V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143EEF, 115 | - - - | | 4745 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC143 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu22b, 115 | - - - | | 7008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu22 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc1815gr, 412 | - - - | | 5581 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2pc18 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT86,113 | 0,0800 | | 21 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bat86 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG325/XR, 215 | - - - | | 2389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BFG32 | 210 MW | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18.3db | 6v | 35 Ma | Npn | 60 @ 15ma, 3v | 14GHz | 1.1db @ 2ghz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu7.5b1a115 | - - - | | 4304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC368,126 | - - - | | 8843 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC36 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 85 @ 500 mA, 1V | 170 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDXB950UPE147 | - - - | | 5599 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PH6530AL115 | 0,1800 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pa1576r/zlx | - - - | | 7625 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2pa15 | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTD113ZS, 126 | - - - | | 3923 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTD113 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms |
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