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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | PDTC143TU, 135 | 0,0200 | ![]() | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S8260HSR3 | - - - | ![]() | 1485 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Oberflächenhalterung | Ni-880s | MRF8 | 895 MHz | Ldmos | Ni-880s | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935310533128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1,5 a | 70W | 21.1DB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHP45NQ10TA, 127 | - - - | ![]() | 7128 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-220-3 | Php45 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934059957127 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 47a (TC) | 25mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 61 NC @ 10 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S9202GNR3 | - - - | ![]() | 5390 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Oberflächenhalterung | OM-780-2 | MRF8 | 920 MHz | Mosfet | OM-780-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935319678528 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | - - - | 1.3 a | 58W | 19db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6S9045NR1 | - - - | ![]() | 6948 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270aa | MRF6 | 880 MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 350 Ma | 10W | 22.7db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pa1576r/zlx | - - - | ![]() | 7625 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2pa15 | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDXB950UPE147 | - - - | ![]() | 5599 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PH6530AL115 | 0,1800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF6S9060NBR1 | - - - | ![]() | 8198 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | To-272BC | MRF6 | 880 MHz | Ldmos | To-272-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 450 Ma | 14W | 21.4db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC368,126 | - - - | ![]() | 8843 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC36 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 20 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 100 mA, 1a | 85 @ 500 mA, 1V | 170 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBSS301ND, 115 | - - - | ![]() | 9903 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBSS3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC144WMB, 315 | 0,0300 | ![]() | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTC144 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 230 MHz | 47 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84J-B3V6,115 | - - - | ![]() | 5658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bta316x-800e, 127 | - - - | ![]() | 1731 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | To-220f | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 15 Ma | Logik - Sensitive Gate | 800 V | 16 a | 1,5 v | 140a, 150a | 10 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmzb350upe, 315 | - - - | ![]() | 1157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-xfdfn | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006B-3 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | P-Kanal | 20 v | 1a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 450MOHM @ 300 mA, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 1,9 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 127 PF @ 10 V | - - - | 360 MW (TA), 3.125 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114EQA147 | 0,0300 | ![]() | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK958R5-40E, 127 | - - - | ![]() | 3037 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK95 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 5v, 10V | 6,6 MOHM @ 20A, 10V | 2,1 V @ 1ma | 20,9 NC @ 5 V. | ± 10 V | 2600 PF @ 25 V. | - - - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas19,235 | - - - | ![]() | 5775 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Standard | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 100 v | 1,25 V @ 200 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 v | 150 ° C (max) | 200 ma | 5PF @ 0V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7226-75A/C1,118 | - - - | ![]() | 6908 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | BUK7226 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934061629118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 75 V | 45a (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 48 nc @ 10 v | ± 20 V | 2385 PF @ 25 V. | - - - | 158W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | OT355,127 | - - - | ![]() | 4868 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | - - - | - - - | OT35 | - - - | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934057936127 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Einzel | Standard | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF101an | 26.4000 | ![]() | 836 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 133 v | To-220-3 | MRF101 | 1,8 MHz ~ 250 MHz | Ldmos | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 10 µA | 100 ma | 115W | 21.1DB | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRFG35010NR5 | - - - | ![]() | 4367 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 15 v | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 180 ma | 9W | 10 dB | - - - | 12 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6607-55C, 118 | 0,8500 | ![]() | 400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | N-Kanal | 55 v | 100a (TC) | 10V | 6,5 MOHM @ 25a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 82 NC @ 10 V | ± 16 v | 5160 PF @ 25 V. | - - - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40-04,235 | - - - | ![]() | 6391 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C27/LF1R | - - - | ![]() | 8639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C27 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069452215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD113ZS, 126 | - - - | ![]() | 3923 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTD113 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC124EE, 115 | - - - | ![]() | 9408 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTC124 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA124EE, 115 | - - - | ![]() | 4089 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA124 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143XE, 115 | - - - | ![]() | 8017 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmzb420un | - - - | ![]() | 9917 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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