Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MRF8S26120HR3 | - - - | ![]() | 4807 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF8 | 2,69 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935324359128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 900 Ma | 28W | 15.6db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA124EK, 115 | - - - | ![]() | 8915 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA124 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 9.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF909,215 | - - - | ![]() | 8738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 7 v | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BF909 | 800 MHz | Mosfet | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 40 ma | 15 Ma | - - - | - - - | 2 dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG520W/X, 115 | - - - | ![]() | 6008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343 Reverse Pinning | BFG52 | 500 MW | 4-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG520W, 115 | - - - | ![]() | 1947 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343 Reverse Pinning | BFG52 | 500 MW | 4-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | On5088,115 | 0,3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343F | On5088 | 136 MW | 4-dfp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 13 dB | 10V | 40 ma | Npn | 160 @ 10ma, 2v | 55 GHz | 1.1db @ 12ghz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B2V7,115 | - - - | ![]() | 2394 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF5017HSR5 | 229.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 150 v | Oberflächenhalterung | NI-400S-2S | MMRF5017 | 30 MHz ~ 2,2 GHz | Hemt | NI-400S-2S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 200 ma | 125W | 18.4db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PhD55N03LTA, 118 | - - - | ![]() | 2500 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | PhD55 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 55a (TC) | 5v, 10V | 14mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 20 NC @ 5 V | ± 20 V | 950 PF @ 25 V. | - - - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV170QA147 | 0,0300 | ![]() | 164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BF1101R, 215 | - - - | ![]() | 9420 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 7 v | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BF110 | 800 MHz | Mosfet | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 12 Ma | - - - | - - - | 1.7db | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN7R0-40LS, 115 | - - - | ![]() | 4278 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | PSMN7 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn3333 (3,3x3,3) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.400 | N-Kanal | 40 v | 40a (TC) | 10V | 7mohm @ 10a, 10V | 4v @ 1ma | 21.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 1286 PF @ 12 V | - - - | 65W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEM1505PG, 115 | - - - | ![]() | 3880 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | PMEM1 | 300 MW | 5-tssop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP + Diode (Isolier) | 250mv @ 50 mA, 500 mA | 150 @ 100 mA, 2V | 280 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdta143ze, 115 | - - - | ![]() | 4030 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143ET235 | - - - | ![]() | 3530 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM22NB1,115 | - - - | ![]() | 1630 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM22 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 17 V | 22 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF1208d, 115 | - - - | ![]() | 7972 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 6 v | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | BF120 | 400 MHz | Mosfet | SOT-666 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 19 ma | - - - | 32db | 0,9 dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857at, 115 | - - - | ![]() | 7061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BC857 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM5.6NB2A, 115 | - - - | ![]() | 1351 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM5.6 | 220 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumb2/zlx | - - - | ![]() | 8798 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Veraltet | Pumb2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV28UNEA215 | - - - | ![]() | 1192 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Php110NQ08LT, 127 | - - - | ![]() | 5437 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Php11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 75 V | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 127,3 NC @ 10 V | ± 20 V | 6631 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P9300HSR5 | - - - | ![]() | 2627 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 70 V | Chassis -berg | Ni-1230s | MRF8 | 960 MHz | Ldmos | Ni-1230s | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935310166178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 2.4 a | 100W | 19.4db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6215-75C, 118 | - - - | ![]() | 4160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 75 V | 57a (ta) | 15mohm @ 15a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 61,8 NC @ 10 V | ± 16 v | 3900 PF @ 25 V. | - - - | 128W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP2600HR6 | - - - | ![]() | 4651 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 110 v | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF6 | 225 MHz | Ldmos | Ni-1230 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - - - | 2.6 a | 125W | 25 dB | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C30/LF1VL | - - - | ![]() | 7503 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C30 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069459235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 30 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | OT407,126 | 0,1500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | OT40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMBT4401/S911215 | - - - | ![]() | 7253 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLC8G24LS-240AVU | - - - | ![]() | 4646 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 65 V | Chassis -berg | SOT-1252-1 | BLC8 | 2,3 GHz ~ 2,4 GHz | Ldmos | SOT1252-1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 934067995112 | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | Dual | - - - | 800 mA | 63W | 15 dB | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B13/LF1R | - - - | ![]() | 6517 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B13 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069389215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus