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Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MMRF1015GNR1 | 18.9720 |  | 7999 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270ba | MMRF1015 | 960 MHz | Ldmos | To-270-2 Möwe | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935315212528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 125 Ma | 10W | 18db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCW61C/DG/B2215 | 0,0200 | | 117 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S4140HR5 | - - - | | 4227 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF5 | 465 MHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1,25 a | 28W | 21db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA144VE, 115 | - - - | | 1992 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA144 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 40 @ 5ma, 5v | 47 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-C3V9,115 | - - - | | 4025 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS2004D, 115 | 0,0700 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PBLS20 | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847AM315 | - - - | | 7014 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | 250 MW | SOT-883 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19140HR3 | - - - | | 5183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | Ldmos | NI-880H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.15 a | 29W | 16 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMT21EN, 135 | - - - | | 8722 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | PMT2 | MOSFET (Metalloxid) | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 30 v | 7.4a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 21mohm @ 7.4a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 14.4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 588 PF @ 15 V | - - - | 820 MW (TA), 8,33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
 | PMST6428,135 | 0,0200 | | 688 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 250 @ 100 µA, 5V | 700 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P20140WHR5 | - - - | | 1100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 65 V | Chassis -berg | NI-780-4 | MRF8 | 1,88 GHz ~ 1,91 GHz | Ldmos | NI-780-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 500 mA | 24W | 16 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX384-B2V4/DG/B2115 | 0,0500 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4160PAN, 115 | 0,1300 | | 22 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-UFDFN exponiert Pad | PBSS4160 | 510 MW | 6-Ehemann (2x2) | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.314 | 60 v | 1a | 100NA (ICBO) | 2 NPN (Dual) | 120 mV @ 50 mA, 500 mA | 150 @ 500 mA, 2V | 175MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMD9050d, 115 | - - - | | 4642 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 45 V | MOSFET -TRIBER | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMD90 | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | 100 ma | 2 NPN, PNP | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHU97NQ03LT, 127 | - - - | | 8021 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | Phu97 | MOSFET (Metalloxid) | I-Pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-Kanal | 25 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.6mohm @ 25a, 10V | 2,15 V @ 1ma | 11.7 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1570 PF @ 12 V | - - - | 107W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| BZX384-C2V7,115 | 0,0200 | | 5558 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9Y14-40B, 115 | - - - | | 1516 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 40 v | 56a (TC) | 5v | 11Mohm @ 20a, 10V | 2V @ 1ma | 21 NC @ 5 V | ± 15 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM16NB1,115 | - - - | | 9182 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM16 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 12 v | 16 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PH3855L, 115 | - - - | | 6429 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | Ph38 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 55 v | 24a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 15a, 10V | 2V @ 1ma | 11.7 NC @ 5 V. | ± 15 V | 765 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| PMN25un, 115 | - - - | | 7744 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMN2 | MOSFET (Metalloxid) | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 6a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 27mohm @ 6a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 10 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 470 PF @ 10 V. | - - - | 530 MW (TA), 6,25W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| A2T18H455W23NR6 | - - - | | 3983 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | OM-1230-4L2S | A2T18 | 1,805 GHz ~ 1,88 GHz | Ldmos | OM-1230-4L2S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935318707564 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | 10 µA | 1.08 a | 56 dBm | 14.5db | - - - | 31,5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZv49-C56,115 | 0,1800 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-243aa | 1 w | SOT-89 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.674 | 1 V @ 50 Ma | 50 NA @ 39.2 V. | 56 v | 200 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu8.2b3a115 | - - - | | 2738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817-25QA147 | 0,0300 | | 134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC817 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF1517NT1 | - - - | | 4699 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 25 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5 | MRF15 | 520 MHz | Ldmos | PLD-1.5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 4a | 150 Ma | 8W | 14db | - - - | 7,5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX15B133 | 0,0200 | | 157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | On5238,118 | - - - | | 6850 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-5, d²pak (4 Leitete + Tab), to-263BBBBBBBB. | On52 | - - - | - - - | D2pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934056900118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2005AESFC315 | 0,0400 | | 135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6020ELR/B115 | - - - | | 3801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG6020 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P9300HSR5 | - - - | | 2627 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 70 V | Chassis -berg | Ni-1230s | MRF8 | 960 MHz | Ldmos | Ni-1230s | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935310166178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 2.4 a | 100W | 19.4db | - - - | 28 v |
2000+
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