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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK765R2-40B, 118 | 0,7900 |  | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 379 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 3789 PF @ 25 V. | - - - | 203W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTD114EU115 | 0,0300 | | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA123EMB, 315 | 0,0300 | | 139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | PDTA123 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | 180 MHz | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN4R6-100XS, 127 | - - - | | 9597 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | PSMN4 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 70,4a (TC) | 10V | 4.6mohm @ 15a, 10V | 4v @ 1ma | 153 NC @ 10 V | ± 20 V | 9900 PF @ 50 V | - - - | 63,8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | OT391412 | 0,0700 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PRF957,115 | - - - | | 9538 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PRF95 | 270 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | 10V | 100 ma | Npn | 50 @ 5ma, 6v | 8,5 GHz | 1,3 dB ~ 1,8 dB @ 1 GHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C27,135 | 0,0200 | | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds; Minimelf | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 18,9 v | 27 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA216X-800B/L02127 | 0,7200 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B8V2,135 | - - - | | 1852 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.000 | 1,1 V @ 100 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bta312-600ct, 127 | 1.0000 | | 5049 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 35 Ma | Standard | 600 V | 12 a | 1,5 v | 95a, 105a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT26HW050GSR3-NXP | 115.4500 | | 250 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7514-55A, 127 | - - - | | 6366 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 73a (TC) | 10V | 14mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 2464 PF @ 25 V. | - - - | 166W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZT52H-C43,115 | 0,0200 | | 31 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143EQA147 | 0,0300 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM12NB1,115 | - - - | | 8936 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM12 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 9 V | 12 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN50UPE, 115 | 1.0000 | | 3851 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 3.6a (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 66mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 15.7 NC @ 10 V. | ± 8 v | 24 PF @ 10 V | - - - | 510 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143EM, 315 | 0,0300 | | 132 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT151U-800C, 127 | - - - | | 4051 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C. | K. Loch | TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa | I-Pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 20 ma | 800 V | 12 a | 1,5 v | 100a, 110a | 15 Ma | 1,75 v | 7.5 a | 500 µA | Standardwiederherherster | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S38010HR3 | - - - | | 1700 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-400-240 | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Ldmos | NI-400-240 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 160 ma | 2W | 15 dB | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBFJ111,215 | - - - | | 8652 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMBFJ1 | 300 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 6PF @ 10V (VGS) | 40 v | 20 mA @ 15 V | 10 V @ 1 µA | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bta316-800c, 127 | - - - | | 6719 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 50 ma | Standard | 800 V | 16 a | 1,5 v | 140a, 150a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF998R, 215 | - - - | | 7525 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 12 v | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BF998 | 200 MHz | Mosfet | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 10 ma | - - - | - - - | 0,6 dB | 8 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | OT380,116 | - - - | | 5764 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | OT380 | To-92-3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934056295116 | Ear99 | 8541.30.0080 | 10.000 | Einzel | Standard | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT3906/DG215 | 0,0200 | | 249 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMBT3906 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ActT4X-800C, 127 | 0,3000 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | To-220f | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 995 | Einzel | 35 Ma | Standard | 800 V | 4 a | 1 v | 35a, 39a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu7.5b2,115 | 0,0400 | | 7238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu7.5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC856a, 215 | 0,0200 | | 707 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC856 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu6.2b1a115 | - - - | | 7835 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V13250HR5 | - - - | | 3701 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 120 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6 | 1,3 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935314557178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 100 ma | 250W | 22.7db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S21190HR3 | - - - | | 6484 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | Ldmos | NI-880H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.6 a | 54W | 16 dB | - - - | 28 v |
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