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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLF4G22LS-130,112 | - - - |  | 6514 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-502B | BLF4 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | Ldmos | SOT502B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 15a | 1.15 a | 33W | 13,5 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19100NBR1 | - - - | | 2162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | To-272bb | MRF6 | 1,99 GHz | Ldmos | To-272 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 950 Ma | 22W | 14.5db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1PS75SB45,135 | - - - | | 9466 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 1PS75 | Schottky | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S18120HSR3 | - - - | | 7139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF8 | 1,81 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 800 mA | 72W | 18.2db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV25FX-600,127 | 0,2900 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | To-220f | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 875 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,9 V @ 5 a | 35 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 5a | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFS19,215 | 0,0900 | | 66 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BFS19 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHP75NQ08T, 127 | - - - | | 6949 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Php75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 75 V | 75a (TC) | 10V | 13mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1985 PF @ 25 V. | - - - | 157W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| J2A080GX0/T0BG295, | - - - | | 3183 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | - - - | - - - | J2A080 | - - - | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935292489118 | 0000.00.0000 | 12.500 | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG4002AESFC315 | 0,0500 | | 45 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 9.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Nx7002ak.215 | 1.0000 | | 9268 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ON5257,215 | - - - | | 9913 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | On52 | - - - | - - - | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934058039215 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B2V7/LF1R | - - - | | 4607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B2V7 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069396215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 20 µa @ 1 V | 2,7 v | 100 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF18060AlR5 | - - - | | 1982 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF18 | 1,81 GHz ~ 1,88 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - - - | 500 mA | 60W | 13 dB | - - - | 26 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM18NB3,115 | - - - | | 6232 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM18 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 13 v | 18 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF2004NBR1 | - - - | | 2402 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | To-272-16 Variante, Flache-Leads | MMRF2004 | 2,7 GHz | Ldmos | To-272 WB-16 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935320315528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 77 Ma | 4W | 28.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7905-40AIE, 127 | - - - | | 7293 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BUK79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C4V7,113 | 0,0400 | | 100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1,3 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 50 Ma | 3 µa @ 1 V | 4,7 v | 13 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9Y59-60E/GFX | - - - | | 9584 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BUK9 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFV09P350-04NR3 | 88.9166 | | 2616 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 105 V | Oberflächenhalterung | OM-780-4L | AFV09 | 920 MHz | Ldmos | OM-780-4L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935322054528 | 5a991g | 8541.29.0040 | 250 | Dual | - - - | 860 Ma | 100W | 19.5db | - - - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP5600HSR6 | - - - | | 7384 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 130 v | Chassis -berg | Ni-1230-4s | Mrfe6 | 230 MHz | Ldmos | Ni-1230-4s | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - - - | 100 ma | 600W | 25 dB | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V13250HR3 | - - - | | 1068 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 120 v | Chassis -berg | SOT-957A | MRF6 | 1,3 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 100 ma | 250W | 22.7db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBTA06/DG/B3235 | 0,0400 | | 119 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTD113EQA147 | - - - | | 1306 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB135,115 | 0,4500 | | 13 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB135 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 2.1pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 12 | C0.5/C28 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1206,115 | - - - | | 4985 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 6 v | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF120 | 400 MHz | Mosfet | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 18 Ma | - - - | 30 dB | 1,3 dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF21030LR3 | - - - | | 8777 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-400 | MRF21 | 2.14 GHz | Ldmos | Ni-400 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8542.31.0001 | 250 | - - - | 250 Ma | 30W | 13 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9046GNR1 | - - - | | 3323 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Oberflächenhalterung | To-270bb | Mrfe6 | 960 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 Möwe | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935314093528 | 5a991g | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 300 ma | 35.5W | 19db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZH12B, 115 | - - - | | 8751 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZH1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6V13250HSR5 | - - - | | 9553 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 120 v | Chassis -berg | NI-780s | MRF6 | 1,3 GHz | Ldmos | NI-780s | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935323152178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 100 ma | 250W | 22.7db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC56PAS115 | - - - | | 8724 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
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