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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Hold (ih) (max) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) RAUSCHFIGUR Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BCX52,115 NXP USA Inc. BCX52,115 0,0700
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BCX52 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000
BLF7G22L-130112 NXP USA Inc. BLF7G22L-130112 80.9000
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 5a991g 8541.29.0075 1
MRFE6S9205HSR5 NXP USA Inc. MRFE6S9205HSR5 - - -
RFQ
 ECAD 6531 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 66 v Oberflächenhalterung Ni-880s Mrfe6 880 MHz Ldmos Ni-880s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 1.4 a 58W 21.2db - - - 28 v
MRF7S19120NR1 NXP USA Inc. MRF7S19120NR1 - - -
RFQ
 ECAD 3931 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Oberflächenhalterung To-270ab MRF7 1,99 GHz Ldmos To-270 WB-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 935322767528 Ear99 8541.29.0075 500 - - - 1.2 a 36W 18db - - - 28 v
MRF8S9220HSR3 NXP USA Inc. MRF8S9220HSR3 - - -
RFQ
 ECAD 2652 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 70 V Chassis -berg NI-780s MRF8 960 MHz Ldmos NI-780s - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935310477128 Ear99 8541.29.0075 250 - - - 1.6 a 65W 19.4db - - - 28 v
PZU3.6B1,115 NXP USA Inc. Pzu3.6b1,115 - - -
RFQ
 ECAD 2897 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pzu3.6 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
BAS40-05V115 NXP USA Inc. BAS40-05V115 - - -
RFQ
 ECAD 3001 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
ON5257215 NXP USA Inc. ON5257215 0,1800
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1.664
NZH7V5C,115 NXP USA Inc. NZH7V5C, 115 0,0300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv NZH7 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
MMRF1008GHR5 NXP USA Inc. MMRF1008GHR5 271.0700
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 ECAD 7256 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Lets Kaufen 100 v Chassis -berg NI-780GH-2L MMRF1008 900 MHz ~ 1,215 GHz Ldmos NI-780GH-2L - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935320879178 Ear99 8541.29.0075 50 100 µA 100 ma 275W 20.3db - - - 50 v
PDTD113ZU115 NXP USA Inc. PDTD113ZU115 0,0400
RFQ
 ECAD 1867 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 5,340
BT136X-600,127 NXP USA Inc. BT136X-600,127 0,2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 125 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte To-220f Herunterladen Ear99 8541.30.0080 1.184 Einzel 15 Ma Standard 600 V 4 a 1,5 v 25a, 27a 35 Ma
BC817-25QA147 NXP USA Inc. BC817-25QA147 0,0300
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BC817 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1
PZM13NB1,115 NXP USA Inc. PZM13NB1,115 - - -
RFQ
 ECAD 2578 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM13 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 100 na @ 10 v 13 v 10 Ohm
BUK7105-40AIE,118 NXP USA Inc. BUK7105-40AIE, 118 1.2300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BUK71 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800
BUK9516-55A,127 NXP USA Inc. BUK9516-55A, 127 - - -
RFQ
 ECAD 9062 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BUK95 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 66a (TC) 5v, 10V 15mohm @ 25a, 10V 2V @ 1ma ± 10 V 3085 PF @ 25 V. - - - 138W (TC)
BAW62,133 NXP USA Inc. BAW62,133 - - -
RFQ
 ECAD 1966 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Aktiv K. Loch Do-204AH, Do-35, axial BAW62 Standard ALF2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 933101220133 Ear99 8541.10.0070 10.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 75 V 1 V @ 100 mA 4 ns 5 µa @ 75 V 200 ° C (max) 250 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
BFT93W,115 NXP USA Inc. BFT93W, 115 - - -
RFQ
 ECAD 8537 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BFT93 300 MW SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 - - - 12V 50 ma PNP 20 @ 30 Ma, 5V 4GHz 2,4 dB ~ 3 dB @ 500MHz ~ 1 GHz
PUMB11,135 NXP USA Inc. Pumb11.135 1.0000
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 ECAD 8128 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pumb11 300 MW SOT-363 Herunterladen Ear99 8541.21.0095 1 50V 100 ma 1 µA 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v - - - 10kohm 10kohm
PZU7.5B1,115 NXP USA Inc. Pzu7.5b1,115 - - -
RFQ
 ECAD 5301 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pzu7.5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
MRF9085LSR5 NXP USA Inc. MRF9085LSR5 - - -
RFQ
 ECAD 7837 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg NI-780s MRF90 880 MHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.31.0001 50 - - - 700 Ma 90W 17.9db - - - 26 v
BUK9230-100B,118 NXP USA Inc. BUK9230-100B, 118 - - -
RFQ
 ECAD 9343 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BUK92 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500
PMN27XPE115 NXP USA Inc. PMN27XPE115 0,2100
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 MOSFET (Metalloxid) 6-tsop Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1 P-Kanal 20 v 4,4a (TA) 2,5 V, 4,5 V. 30mohm @ 3a, 4,5 V. 1,25 V @ 250 ähm 22,5 NC @ 4,5 V. ± 12 V 1770 PF @ 10 V - - - 530 MW (TA), 8,33W (TC)
BFU520AR NXP USA Inc. BFU520AR 0,6100
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 ECAD 8617 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BFU520 450 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 18db 12V 30 ma Npn 60 @ 5ma, 8v 10GHz 0,7 dB @ 900MHz
PMBS3906,235 NXP USA Inc. PMBS3906,235 0,0200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 40 v 100 ma 50na (ICBO) PNP 400mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 150 MHz
PSMN3R5-80PS NXP USA Inc. PSMN3R5-80PS - - -
RFQ
 ECAD 4544 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1
MRF8S21140HR5 NXP USA Inc. MRF8S21140HR5 - - -
RFQ
 ECAD 6340 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-957A MRF8 2.14 GHz Ldmos NI-780H-2L - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 970 Ma 34W 17.9db - - - 28 v
BZV55-C4V3,115 NXP USA Inc. BZV55-C4V3,115 0,0200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZv55 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500
MRFE6VP6600GNR3 NXP USA Inc. MRFE6VP6600GNR3 93.4822
RFQ
 ECAD 1720 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 133 v Oberflächenhalterung OM-780G-4L Mrfe6 230 MHz Ldmos OM-780G-4L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935323761528 Ear99 8541.29.0075 250 Dual - - - 100 ma 600W 24.7db - - - 50 v
PMN70XPE,115 NXP USA Inc. PMN70XPE, 115 0,0600
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 MOSFET (Metalloxid) 6-tsop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 3.000 P-Kanal 20 v 3.2a (ta) 2,5 V, 4,5 V. 85mohm @ 2a, 4,5 V. 1,25 V @ 250 ähm 7,8 NC @ 4,5 V. ± 12 V 602 PF @ 10 V - - - 500 MW (TA), 6,25 W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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