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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Max | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | MMRF5017HS-1GHz | - - - | ![]() | 5591 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Tablett | Abgebrochen bei Sic | MMRF5017 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHK31NQ03LT, 518 | - - - | ![]() | 9829 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PHK31 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK6215-75C, 118 | - - - | ![]() | 4160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 75 V | 57a (ta) | 15mohm @ 15a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 61,8 NC @ 10 V | ± 16 v | 3900 PF @ 25 V. | - - - | 128W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pmz550une315 | - - - | ![]() | 6723 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK96150-55A, 118 | - - - | ![]() | 3555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BUK96 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 13a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 137mohm @ 13a, 10V | 2V @ 1ma | ± 10 V | 339 PF @ 25 V. | - - - | 53W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G13LS-250P, 112 | 215.6600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 100 v | Oberflächenhalterung | SOT-1121B | 1,3 GHz | Ldmos | Ldsten | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - - - | 100 ma | 250W | 17db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-40/DG/B2215 | 1.0000 | ![]() | 8750 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG4005EGW115 | 1.0000 | ![]() | 7167 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5520215 | 0,0200 | ![]() | 6925 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF9045LSR1 | - - - | ![]() | 4168 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-360s | MRF90 | 945 MHz | Ldmos | Ni-360s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.21.0075 | 500 | - - - | 350 Ma | 45W | 18.8db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLF1G0035-100PU | 263.3300 | ![]() | 25 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 v | Chassis -berg | SOT-1228a | 3GHz | Gan Hemt | Ldsten | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | - - - | 100 ma | 100W | 14db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C3V3/ZLX | - - - | ![]() | 4129 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068951115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 700 mv | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PMST6429,115 | 0,0200 | ![]() | 941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 45 V | 100 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 500 @ 100 µA, 5V | 700 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdta114ym, 315 | - - - | ![]() | 7076 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B13,143 | 0,0200 | ![]() | 150 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 30 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A3I25D080GNR1 | 30.4350 | ![]() | 8365 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Oberflächenhalterung | Bis 270-17 Variante, Möwenflügel | 2,3 GHz ~ 2,69 GHz | Ldmos | To-270WBG-17 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 568-A3I25D080GNR1TR | Ear99 | 8542.33.0001 | 500 | Dual | 10 µA | 175 Ma | 8.3W | 29.2db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB182,315 | - - - | ![]() | 6621 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB18 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934047500315 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | 2,89PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 22 | C1/C28 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A12215 | - - - | ![]() | 7332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP41KHR6 | - - - | ![]() | 5850 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 110 v | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF6 | 450 MHz | Ldmos | Ni-1230 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - - - | 150 Ma | 1000W | 20db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S9202GNR3 | - - - | ![]() | 5390 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Oberflächenhalterung | OM-780-2 | MRF8 | 920 MHz | Mosfet | OM-780-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935319678528 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | - - - | 1.3 a | 58W | 19db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BA277,135 | - - - | ![]() | 7570 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | Ba27 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934054935135 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 100 ma | 715 MW | 1,2pf @ 6v, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV70/LF1215 | 0,0200 | ![]() | 555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV70 | Standard | SOT-23-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 215 Ma (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B36,133 | 0,0200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 400 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 16.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 25.2 V. | 36 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu18b2a, 115 | 0,0300 | ![]() | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu18 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2005eld, 315 | - - - | ![]() | 3428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF6G20S-45112 | - - - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMGD175XN, 115 | - - - | ![]() | 6582 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PMGD1 | MOSFET (Metalloxid) | 390 MW | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 900 Ma | 225mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 1,1NC @ 4,5V | 75PF @ 15V | Logikpegel -tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-B68145 | 0,0200 | ![]() | 19 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP6300HSR5 | 124.2016 | ![]() | 9437 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 130 v | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | Mrfe6 | 230 MHz | Ldmos | NI-780S-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935314385178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 300W | 26.5db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B2V4143 | - - - | ![]() | 4217 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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