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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
MRF8S9202GNR3 NXP USA Inc. MRF8S9202GNR3 - - -
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 ECAD 5390 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 70 V Oberflächenhalterung OM-780-2 MRF8 920 MHz Mosfet OM-780-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935319678528 Ear99 8541.29.0095 250 N-Kanal - - - 1.3 a 58W 19db - - - 28 v
BAS40W,115 NXP USA Inc. Bas40W, 115 0,0300
RFQ
 ECAD 65 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Bas40 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000
BLF7G24L-100,112 NXP USA Inc. BLF7G24L-100,112 62.7300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Rohr Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-502A 2,3 GHz ~ 2,4 GHz Ldmos SOT502A Herunterladen ROHS3 -KONFORM 5a991g 8541.29.0075 20 28a 900 Ma 20W 18db - - - 28 v
BZX79-B36,133 NXP USA Inc. BZX79-B36,133 0,0200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 16.000 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 25.2 V. 36 v 90 Ohm
BLF6G20S-45112 NXP USA Inc. BLF6G20S-45112 - - -
RFQ
 ECAD 8282 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1
PMGD175XN,115 NXP USA Inc. PMGD175XN, 115 - - -
RFQ
 ECAD 6582 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PMGD1 MOSFET (Metalloxid) 390 MW 6-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 900 Ma 225mohm @ 1a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 1,1NC @ 4,5V 75PF @ 15V Logikpegel -tor
BAV70/LF1215 NXP USA Inc. BAV70/LF1215 0,0200
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 ECAD 555 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BAV70 Standard SOT-23-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 100 v 215 Ma (DC) 1,25 V @ 150 mA 4 ns 500 na @ 80 V 150 ° C (max)
BC69-16PAS115 NXP USA Inc. BC69-16PAS115 - - -
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 ECAD 8452 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
PHB119NQ06T,118 NXP USA Inc. PHB119NQ06T, 118 - - -
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 ECAD 1389 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab PHB11 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 7.1Mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma 53 NC @ 10 V ± 20 V 2820 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
BUK9Y104-100B,115 NXP USA Inc. BUK9Y104-100B, 115 1.0000
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 ECAD 1854 0.00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 N-Kanal 100 v 14,8a (TC) 5v, 10V 99mohm @ 5a, 10V 2,15 V @ 1ma 11 NC @ 5 V ± 15 V 1139 PF @ 25 V. - - - 59W (TC)
MRF6VP41KHR6 NXP USA Inc. MRF6VP41KHR6 - - -
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 ECAD 5850 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 110 v Chassis -berg Ni-1230 MRF6 450 MHz Ldmos Ni-1230 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 150 Dual - - - 150 Ma 1000W 20db - - - 50 v
PMEG2005ELD,315 NXP USA Inc. PMEG2005eld, 315 - - -
RFQ
 ECAD 3428 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PMEG2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000
A3I25D080GNR1 NXP USA Inc. A3I25D080GNR1 30.4350
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 ECAD 8365 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 65 V Oberflächenhalterung Bis 270-17 Variante, Möwenflügel 2,3 GHz ~ 2,69 GHz Ldmos To-270WBG-17 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 568-A3I25D080GNR1TR Ear99 8542.33.0001 500 Dual 10 µA 175 Ma 8.3W 29.2db - - - 28 v
BUK96150-55A,118 NXP USA Inc. BUK96150-55A, 118 - - -
RFQ
 ECAD 3555 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab BUK96 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 13a (TC) 4,5 V, 10 V. 137mohm @ 13a, 10V 2V @ 1ma ± 10 V 339 PF @ 25 V. - - - 53W (TC)
PMZ550UNE315 NXP USA Inc. Pmz550une315 - - -
RFQ
 ECAD 6723 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 10.000
BUK6215-75C,118 NXP USA Inc. BUK6215-75C, 118 - - -
RFQ
 ECAD 4160 0.00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) Dpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 75 V 57a (ta) 15mohm @ 15a, 10V 2,8 V @ 1ma 61,8 NC @ 10 V ± 16 v 3900 PF @ 25 V. - - - 128W (TA)
ON5520215 NXP USA Inc. ON5520215 0,0200
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 ECAD 6925 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 3.000
PMEG4005EGW115 NXP USA Inc. PMEG4005EGW115 1.0000
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 1
BLF6G13LS-250P,112 NXP USA Inc. BLF6G13LS-250P, 112 215.6600
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 ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 100 v Oberflächenhalterung SOT-1121B 1,3 GHz Ldmos Ldsten Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1 - - - 100 ma 250W 17db - - - 50 v
BC807-40/DG/B2215 NXP USA Inc. BC807-40/DG/B2215 1.0000
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
MRF9045LSR1 NXP USA Inc. MRF9045LSR1 - - -
RFQ
 ECAD 4168 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg Ni-360s MRF90 945 MHz Ldmos Ni-360s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.21.0075 500 - - - 350 Ma 45W 18.8db - - - 28 v
BB208-03,135 NXP USA Inc. BB208-03,135 - - -
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 ECAD 7903 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BB20 SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 5.4PF @ 7.5V, 1 MHz Einzel 10 v 5.2 C1/C7.5 - - -
BY459X-1500S,127 NXP USA Inc. BY459X-1500S, 127 - - -
RFQ
 ECAD 2238 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Full Pack BY45 Standard To-220fp Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934052990127 Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1500 V 1,35 V @ 6,5 a 220 ns 250 µa @ 1300 V 150 ° C (max) 10a - - -
CLF1G0035-100PU NXP USA Inc. CLF1G0035-100PU 263.3300
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 ECAD 25 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 150 v Chassis -berg SOT-1228a 3GHz Gan Hemt Ldsten Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1 - - - 100 ma 100W 14db - - - 50 v
PDTA114YM,315 NXP USA Inc. Pdta114ym, 315 - - -
RFQ
 ECAD 7076 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTA11 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000
PMST6429,115 NXP USA Inc. PMST6429,115 0,0200
RFQ
 ECAD 941 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 45 V 100 ma 10NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 500 @ 100 µA, 5V 700 MHz
BZX384-C3V3/ZLX NXP USA Inc. BZX384-C3V3/ZLX - - -
RFQ
 ECAD 4129 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZX384 300 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934068951115 Veraltet 0000.00.0000 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 700 mv 3.3 v 95 Ohm
BB141,115 NXP USA Inc. BB141,115 - - -
RFQ
 ECAD 2926 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BB14 SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 2,55PF @ 4V, 1 MHz Einzel 6 v 1.76 C1/C4 - - -
BUK9614-60E118 NXP USA Inc. BUK9614-60E118 - - -
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
MRF6V2300NR5 NXP USA Inc. MRF6v2300NR5 - - -
RFQ
 ECAD 4065 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 110 v Oberflächenhalterung To-270ab MRF6 220 MHz Ldmos To-270 WB-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935309909578 Ear99 8541.29.0075 50 - - - 900 Ma 300W 25,5 dB - - - 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerlager

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