SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Max Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss @ if, f Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
BC557B,116 NXP USA Inc. BC557B, 116 - - -
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ECAD 9390 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC55 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
PDTA115EK,115 NXP USA Inc. PDTA115EK, 115 - - -
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTA115 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 20 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 5ma, 5V 100 Kohms 100 Kohms
PZM3.9NB,115 NXP USA Inc. PZM3.9NB, 115 - - -
RFQ
ECAD 9779 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM3.9 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1 V 3,9 v 90 Ohm
MRF6S23100HSR3 NXP USA Inc. MRF6S23100HSR3 - - -
RFQ
ECAD 8454 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Chassis -berg NI-780s MRF6 2,4 GHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 250 - - - 1 a 20W 15.4db - - - 28 v
BZX884-C4V7,315 NXP USA Inc. BZX884-C4V7,315 - - -
RFQ
ECAD 5954 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-882 250 MW DFN1006-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1.416 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 2 V 4,7 v 80 Ohm
BUK9635-100A,118 NXP USA Inc. BUK9635-100A, 118 - - -
RFQ
ECAD 5660 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab BUK96 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 100 v 41a (TC) 4,5 V, 10 V. 34mohm @ 25a, 10V 2V @ 1ma ± 10 V 3573 PF @ 25 V. - - - 149W (TC)
PZU15B1A,115 NXP USA Inc. Pzu15b1a, 115 0,0300
RFQ
ECAD 12 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 320 MW SOD-323 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 12.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 11 v 15 v 15 Ohm
BZX384-B2V4/DG/B2115 NXP USA Inc. BZX384-B2V4/DG/B2115 0,0500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX384 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 6.000
PDTB114EU135 NXP USA Inc. PDTB114EU135 - - -
RFQ
ECAD 2077 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1
BC53-16PAS115 NXP USA Inc. BC53-16PAS115 1.0000
RFQ
ECAD 3238 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
PHB45NQ10T,118 NXP USA Inc. PHB45NQ10T, 118 - - -
RFQ
ECAD 5158 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PHB45 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800
BZX585-C47,115 NXP USA Inc. BZX585-C47,115 - - -
RFQ
ECAD 7188 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX585 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
2PA1576R/ZLX NXP USA Inc. 2pa1576r/zlx - - -
RFQ
ECAD 7625 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 2pa15 SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
2PD601AR,115 NXP USA Inc. 2pd601ar, 115 - - -
RFQ
ECAD 9988 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2pd60 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 15.000 50 v 100 ma 10NA (ICBO) Npn 250mv @ 10 mA, 100 mA 210 @ 2MA, 10V 100 MHz
PSMN008-75P,127 NXP USA Inc. PSMN008-75P, 127 - - -
RFQ
ECAD 8560 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 PSMN0 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000 N-Kanal 75 V 75a (TC) 10V 8.5Mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma 122.8 NC @ 10 V ± 20 V 5260 PF @ 25 V. - - - 230W (TC)
BC327-25,112 NXP USA Inc. BC327-25,112 - - -
RFQ
ECAD 9269 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC32 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.000 45 V 500 mA 100NA (ICBO) PNP 700 mv @ 50 mA, 500 mA 160 @ 100 mA, 1V 80MHz
BAP64LX,315 NXP USA Inc. BAP64LX, 315 0,4300
RFQ
ECAD 1439 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SOD-882 Bap64 SOD2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 100 ma 150 MW 0,3PF @ 20V, 1 MHz Pin - Single 60 v 1,5OHM @ 100 mA, 100 MHz
PDTD113EU115 NXP USA Inc. PDTD113EU115 - - -
RFQ
ECAD 4055 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
MRF7S18125AHR3 NXP USA Inc. MRF7S18125AHR3 - - -
RFQ
ECAD 1906 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-957A MRF7 1,88 GHz Ldmos NI-780H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 - - - 1.1 a 125W 17db - - - 28 v
A2V09H525-04NR6 NXP USA Inc. A2V09H525-04NR6 110.3487
RFQ
ECAD 3941 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 105 V Oberflächenhalterung OM-1230-4L A2V09 720 MHz ~ 960 MHz Ldmos OM-1230-4L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935330045528 Ear99 8541.29.0075 150 10 µA 688 Ma 120W 18.9db - - - 48 v
BC638,116 NXP USA Inc. BC638,116 - - -
RFQ
ECAD 5664 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC63 830 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 100 MHz
BZX585-B5V1,135 NXP USA Inc. BZX585-B5V1,135 1.0000
RFQ
ECAD 4600 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
BAP65LX,315 NXP USA Inc. BAP65LX, 315 0,4000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SOD-882 Bap65 SOD2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 10.000 100 ma 135 MW 0,37PF @ 20V, 1 MHz Pin - Single 30V 350 MOHM @ 100 Ma, 100 MHz
BZX79-C5V1,143 NXP USA Inc. BZX79-C5V1,143 0,0200
RFQ
ECAD 131 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 2 µa @ 2 V 5.1 v 60 Ohm
BAP64-03,115 NXP USA Inc. BAP64-03,115 0,3900
RFQ
ECAD 8202 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 Bap64 SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 100 ma 500 MW 0,35PF @ 20V, 1 MHz Pin - Single 175V 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz
BB179B,335 NXP USA Inc. BB179B, 335 - - -
RFQ
ECAD 5502 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BB17 SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934053250335 Ear99 8541.10.0070 20.000 2.25PF @ 28V, 1 MHz Einzel 32 v 10 C1/C28 - - -
ON5088,115 NXP USA Inc. On5088,115 0,3300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-343F On5088 136 MW 4-dfp Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 13 dB 10V 40 ma Npn 160 @ 10ma, 2v 55 GHz 1.1db @ 12ghz
BZV55-B51,115 NXP USA Inc. BZV55-B51,115 - - -
RFQ
ECAD 2890 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZv55 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500
BF1105,215 NXP USA Inc. BF1105,215 - - -
RFQ
ECAD 6128 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 7 v Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BF110 800 MHz Mosfet SOT-143b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal Dual Gate 30 ma - - - 20db 1.7db 5 v
MRF8P9300HSR5 NXP USA Inc. MRF8P9300HSR5 - - -
RFQ
ECAD 2627 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 70 V Chassis -berg Ni-1230s MRF8 960 MHz Ldmos Ni-1230s - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935310166178 Ear99 8541.29.0075 50 Dual - - - 2.4 a 100W 19.4db - - - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus