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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF6VP3091NR5 | - - - |  | 5178 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 115 v | Chassis -berg | To-272bb | MRF6 | 860 MHz | Ldmos | To-272 WB-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935314619578 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Dual | - - - | 350 Ma | 18W | 22 dB | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN28un, 135 | 0,1700 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 12 v | 5.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 34mohm @ 2a, 4,5 V. | 700 mV @ 1ma (Typ) | 10.1 NC @ 4.5 V. | ± 8 v | 740 PF @ 10 V. | - - - | 1,75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX30B, 133 | 0,0200 | | 149 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35003ant1 | - - - | | 3304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 15 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 55 Ma | 3W | 10.8db | - - - | 12 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC557,116 | - - - | | 2738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9610-55A, 118 | - - - | | 6033 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BUK96 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 68 NC @ 5 V. | ± 15 V | 4307 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BC847T, 115 | - - - | | 1144 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BC84 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHP78NQ03LT, 127 | - - - | | 6482 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Php78 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 25 v | 75a (TC) | 5v, 10V | 9mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 13 NC @ 5 V | ± 20 V | 1074 PF @ 25 V. | - - - | 93W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S38075HSR3 | - - - | | 8862 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 900 Ma | 12W | 14db | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG94,115 | - - - | | 2198 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BFG94 | 700 MW | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | - - - | 12V | 60 mA | Npn | 45 @ 30 Ma, 5V | 6GHz | 2,7 dB ~ 3 dB @ 500 MHz ~ 1 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA143TE, 115 | - - - | | 9162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 200 @ 1ma, 5V | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF19030LR5 | - - - | | 8536 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-400 | MRF19 | 1,96 GHz | Ldmos | Ni-400 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8542.31.0001 | 50 | - - - | 300 ma | 30W | 13 dB | - - - | 26 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BC635,116 | - - - | | 8542 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC63 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM16NB, 115 | - - - | | 2203 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM16 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 12 v | 16 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A4V7/DG/B4215 | 0,0700 | | 7540 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.900 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYQ28E-200/H127 | 0,2600 | | 313 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.031 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzm3,3nb1,115 | - - - | | 9706 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM3.3 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMSTA55,115 | 0,0200 | | 139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 60 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 250mv @ 10 mA, 100 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 50 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S38010HSR3 | - - - | | 9616 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | NI-400S-2S | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Ldmos | NI-400S-2S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 160 ma | 2W | 15 dB | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857QASX | - - - | | 8946 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | BC857 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068723115 | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT26H050W26SR3 | - - - | | 5840 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780S-4L4L-8 | AFT26 | 2,69 GHz | Ldmos | NI-780S-4L4L-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935311268128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 100 ma | 9W | 14.2db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||
| BC857BQA147 | - - - | | 7709 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC857 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumd20,115 | - - - | | 3234 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumd20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC327-25,116 | - - - | | 7568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC32 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTD123TS, 126 | - - - | | 7549 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTD123 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S9100NR1 | - - - | | 9156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270ab | MRF5 | 880 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 950 Ma | 20W | 19.5db | - - - | 26 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5330PAS115 | - - - | | 7873 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C56,115 | - - - | | 8218 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 39.2 V. | 56 v | 120 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Php119nq06t, 127 | - - - | | 8987 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Php11 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 7.1Mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 53 NC @ 10 V | ± 20 V | 2820 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VS25NR1 | 35.3500 | | 9281 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 133 v | Oberflächenhalterung | To-270aa | Mrfe6 | 512MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | - - - | 10 ma | 25W | 25.4db | - - - | 50 v |
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