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Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgang | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMV31XN, 215 | - - - |  | 2169 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMV3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5.9a (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 37mohm @ 1,5a, 4,5 V. | 1,5 V @ 1ma | 5,8 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 410 PF @ 20 V | - - - | 280 MW (TJ) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMT29EN, 115 | - - - | | 4432 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | PMT2 | MOSFET (Metalloxid) | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 30 v | 6a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 29mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 11 NC @ 10 V | ± 20 V | 492 PF @ 15 V | - - - | 820 MW (TA), 8,33W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC858W, 115 | 1.0000 | | 2509 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bta204-600c/dg, 127 | 0,2400 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1,110 | Einzel | 20 ma | Standard | 600 V | 4 a | 1,5 v | 25a, 27a | 35 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB179B, 135 | - - - | | 4045 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BB17 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934053250135 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 2.25PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 10 | C1/C28 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK953R2-40B, 127 | 0,9400 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | BUK95 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK964R2-55B/c | 0,7200 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM7,5NB1,115 | - - - | | 9696 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM7.5 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.000 | 1,1 V @ 100 mA | 1 µA @ 4 V. | 7,5 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PZM22NB3,115 | - - - | | 1093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM22 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 17 V | 22 v | 25 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V2010NBR5 | - - - | | 1901 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 110 v | Chassis -berg | To-272BC | MRF6 | 220 MHz | Ldmos | To-272-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 30 ma | 10W | 23.9db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU790f, 115 | 0,9600 | | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343F | BFU790 | 234 MW | 4-dfp | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 2,8 v | 100 ma | Npn | 235 @ 10ma, 2v | 25ghz | 0,4 db ~ 0,5 dB @ 1,5 GHz ~ 2,4 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT21S232SR3 | - - - | | 4791 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | AFT21 | 2.11GHz | Ldmos | NI-780s | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935311357128 | 5a991g | 8541.29.0095 | 250 | - - - | 1,5 a | 50W | 16.7db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143TE, 115 | - - - | | 9162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 200 @ 1ma, 5V | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4350S, 126 | - - - | | 9788 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PBSS4 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 50 v | 3 a | 100NA (ICBO) | Npn | 290mv @ 200 Ma, 2a | 100 @ 2a, 2v | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1211R, 215 | - - - | | 3848 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 6 v | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BF121 | 400 MHz | Mosfet | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 15 Ma | - - - | 29db | 0,9 dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9160HR5 | - - - | | 8242 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Chassis -berg | SOT-957A | Mrfe6 | 880 MHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.2 a | 35W | 21db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S9045MR1 | - - - | | 9397 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | To-270-2 | MRF6 | 880 MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 350 Ma | 10W | 22.7db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BB207,215 | 0,6700 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BB207 | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 26.3pf @ 8v, 1 MHz | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 15 v | 3.3 | C1/C7.5 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG93A, 215 | - - - | | 3130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFG93 | 300 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 12V | 35 Ma | Npn | 40 @ 30 Ma, 5V | 6GHz | 1,7 dB ~ 2,3 dB @ 1 GHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYD17J, 115 | - - - | | 5208 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-87 | BYD17 | Lawine | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,05 V @ 1 a | 3 µs | 1 µa @ 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1,5a | 21PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B3V3135 | 1.0000 | | 4563 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Bfu530xar | 0,4800 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFU530 | 450 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 22 dB | 12V | 40 ma | Npn | 60 @ 10ma, 8v | 11GHz | 0,7 dB @ 900MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1101WR, 115 | - - - | | 5654 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 7 v | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BF110 | 800 MHz | Mosfet | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 12 Ma | - - - | - - - | 1.7db | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX100A115 | - - - | | 9134 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 310 MW | SOD-323F | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 200 na @ 76 v | 100 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT26H250-24SR6 | - - - | | 7111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-1230-4LS2L | AFT26 | 2,5 GHz | Ldmos | NI-1230-4LS2L | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935323547128 | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | - - - | 700 Ma | 50W | 14.1db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S21130HSR3 | - - - | | 5008 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | Ni-880s | MRF5 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | Ldmos | Ni-880s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.2 a | 28W | 13,5 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTB123YT/APG215 | 0,0500 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ActT6-800e, 127 | 0,2900 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 875 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMDPB760E115 | 0,1600 | | 9 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NUR460/L02,112 | - - - | | 9169 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | Do-201ad, axial | Nur460 | Standard | Do-201ad | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,28 V @ 4 a | 65 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 4a | - - - |
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