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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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![]() | BFG94,115 | - - - | ![]() | 2198 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BFG94 | 700 MW | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | - - - | 12V | 60 mA | Npn | 45 @ 30 Ma, 5V | 6GHz | 2,7 dB ~ 3 dB @ 500 MHz ~ 1 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT1306-400D, 412 | - - - | ![]() | 8931 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BT130 | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 400 V | 600 mA | 2 v | 8a, 8,8a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2pd1820ar/zlx | - - - | ![]() | 2535 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 2pd18 | SC-70 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069199115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143TE, 115 | - - - | ![]() | 9162 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA143 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 100NA (ICBO) | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 200 @ 1ma, 5V | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B3V6,115 | - - - | ![]() | 3062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B20/DG/B3215 | 0,0300 | ![]() | 87 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-B10/LF1R | - - - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B10 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069514215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 10 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM16NB, 115 | - - - | ![]() | 2203 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM16 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 70 na @ 12 v | 16 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM7,5NB1,115 | - - - | ![]() | 9696 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM7.5 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.000 | 1,1 V @ 100 mA | 1 µA @ 4 V. | 7,5 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC847T, 115 | - - - | ![]() | 1144 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | BC84 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 110 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PDTB143EUF | 0,0400 | ![]() | 37 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTB143 | 300 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 100 MV @ 2,5 mA, 50 mA | 60 @ 50 Ma, 5V | 140 MHz | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PZM7,5NB3,115 | - - - | ![]() | 2881 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM7.5 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 1 µA @ 4 V. | 7,5 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NX7002BKMB315 | - - - | ![]() | 3657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pumd20,115 | - - - | ![]() | 3234 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumd20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX30B, 133 | 0,0200 | ![]() | 149 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF7S19100NR1 | - - - | ![]() | 1651 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | To-270ab | MRF7 | 1,93 GHz ~ 1,99 GHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935322766528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 1 a | 29W | 17.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMN28un, 135 | 0,1700 | ![]() | 16 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 12 v | 5.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 34mohm @ 2a, 4,5 V. | 700 mV @ 1ma (Typ) | 10.1 NC @ 4.5 V. | ± 8 v | 740 PF @ 10 V. | - - - | 1,75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-A4V7/DG/B4215 | 0,0700 | ![]() | 7540 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.900 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC327-25,116 | - - - | ![]() | 7568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC32 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP3091NR5 | - - - | ![]() | 5178 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 115 v | Chassis -berg | To-272bb | MRF6 | 860 MHz | Ldmos | To-272 WB-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935314619578 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Dual | - - - | 350 Ma | 18W | 22 dB | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK754R3-40B, 127 | - - - | ![]() | 4691 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 4,3 Mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 69 NC @ 10 V | ± 20 V | 4824 PF @ 25 V. | - - - | 254W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzm3,3nb1,115 | - - - | ![]() | 9706 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM3.3 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMRF1019NR4 | 77.8600 | ![]() | 35 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 100 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5 | MMRF1019 | 1,09 GHz | Ldmos | PLD-1.5 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | - - - | 10 ma | 10W | 25 dB | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123TS, 126 | - - - | ![]() | 7549 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTD123 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 100 @ 50 Ma, 5V | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143ES, 126 | - - - | ![]() | 5268 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTC143 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT26H050W26SR3 | - - - | ![]() | 5840 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780S-4L4L-8 | AFT26 | 2,69 GHz | Ldmos | NI-780S-4L4L-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935311268128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 100 ma | 9W | 14.2db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu11b3,115 | 0,0400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557,116 | - - - | ![]() | 2738 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC857BQA147 | - - - | ![]() | 7709 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC857 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFE6VP61K25GSR5 | 227.0268 | ![]() | 3977 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 133 v | Chassis -berg | NI-1230S-4 GW | Mrfe6 | 230 MHz | Ldmos | NI-1230S-4 Möwe | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935311183178 | 5a991g | 8541.29.0095 | 50 | - - - | 100 ma | 1250W | 24 dB | - - - | 50 v |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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