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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Max | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BYV34-500,127 | 0,5100 |  | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Byv34 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC807-25W, 135 | 0,0200 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9Y153-100E, 115 | 1.0000 | | 2230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 v | 9,4a (TC) | 5v | 146mohm @ 2a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 6,8 NC @ 5 V. | ± 10 V | 716 PF @ 25 V. | - - - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C30,235 | 0,0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 21 v | 30 v | 80 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG6030EVP115 | 0,1300 | | 47 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG6030 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.270 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF8G22LS-310AVU | - - - | | 6597 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | BLF8 | - - - | - - - | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067838112 | Ear99 | 8542.39.0001 | 20 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BA891,115 | 0,3600 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | BA89 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 715 MW | 0,9PF @ 3V, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 500mohm @ 10 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8P9210NR3 | - - - | | 1418 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | NI-780-4 | MRF8P9210 | 960 MHz | Mosfet | NI-780-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935321673528 | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | N-Kanal | - - - | 750 Ma | 63W | 16.8db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Prll5819,115 | - - - | | 7717 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SOD-87 | Prll58 | Schottky | Melf | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 40 v | 600 mv @ 1 a | 1 ma @ 40 v | 125 ° C (max) | 1a | 50pf @ 4v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C51/LF1VL | - - - | | 4274 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C51 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069496235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 35.7 V. | 51 v | 180 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C6V2,135 | - - - | | 5302 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 11.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 4 V. | 6.2 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7528-100A, 127 | 0,4700 | | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | BUK75 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S21060NR1 | - - - | | 1476 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270ab | MRF6 | 2,12 GHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 610 Ma | 14W | 15.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC327-25,116 | - - - | | 7568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC32 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7Y25-80E/CX | - - - | | 9726 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | BUK7 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 80 v | 39a (TC) | 10V | 25mohm @ 10a, 10V | 4v @ 1ma | 25,9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1800 PF @ 25 V. | - - - | 95W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMST2369/ZLX | - - - | | 3252 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | PMST2369 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069181115 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCV27/DG/B2215 | 1.0000 | | 2209 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35003ant1 | - - - | | 3304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 15 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 55 Ma | 3W | 10.8db | - - - | 12 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9Y98-80E, 115 | - - - | | 6303 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | BUK9Y98 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067034115 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 80 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A3T18H360W23SR6 | 83.7375 | | 1649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Chassis -berg | ACP-1230S-4L2S | A3T18 | 1,8 GHz ~ 1,88 GHz | Ldmos | ACP-1230S-4L2S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935346354128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | 10 µA | 700 Ma | 63W | 16.6db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAW156/ZL215 | 0,0300 | | 156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1102R, 115 | - - - | | 7124 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 7 v | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF110 | 800 MHz | Mosfet | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 40 ma | 15 Ma | - - - | - - - | 2 dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5P21180HR6 | - - - | | 3934 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF5 | 2,16 GHz | Ldmos | Ni-1230 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 150 | - - - | 1.6 a | 38W | 14db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7628-55A, 118 | - - - | | 3586 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BUK76 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 42a (TC) | 10V | 28mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 1165 PF @ 25 V. | - - - | 99W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB784-C4V3,115 | 0,0300 | | 113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZB784 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF888AS, 112 | 224.6300 | | 113 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | BLF88 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 60 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1015NR1 | 20.9500 | | 355 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270-2 | MMRF1015 | 960 MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 125 Ma | 10W | 18db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A8V2/DG/B3215 | 0,1200 | | 48 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZv49-C62,115 | - - - | | 4990 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv49 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MW6S010GMR1 | - - - | | 8184 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270ba | MW6S010 | 960 MHz | Ldmos | To-270-2 Möwe | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 125 Ma | 10W | 18db | - - - | 28 v |
2000+
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