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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Max Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss @ if, f Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
PMEG045V150EPD146 NXP USA Inc. PMEG045V150EPD146 0,3300
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 1.500
MRF7S21210HR5 NXP USA Inc. MRF7S21210HR5 - - -
RFQ
 ECAD 1245 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-957A MRF7 2,17 GHz Ldmos NI-780H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 1.4 a 63W 18.5db - - - 28 v
PDTC143XQA147 NXP USA Inc. PDTC143XQA147 0,0300
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 5.000
MRF9045NBR1 NXP USA Inc. MRF9045NBR1 - - -
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 ECAD 1111 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V To-272-2 MRF90 945 MHz Ldmos To-272-2 Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 500 - - - 350 Ma 45W 19db - - - 28 v
BZV85-C20,113 NXP USA Inc. BZV85-C20,113 - - -
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 ECAD 1506 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZV85 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000
MRF7S19170HSR3 NXP USA Inc. MRF7S19170HSR3 - - -
RFQ
 ECAD 7830 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Oberflächenhalterung Ni-880s MRF7 1,99 GHz Ldmos Ni-880s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 935319253128 Ear99 8541.21.0075 250 - - - 1.4 a 50W 17.2db - - - 28 v
BC517,112 NXP USA Inc. BC517,112 - - -
RFQ
 ECAD 7387 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC51 625 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 30 v 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1 V @ 100 µA, 100 mA 30000 @ 20 mA, 2V 220 MHz
BUK652R7-30C,127 NXP USA Inc. BUK652R7-30C, 127 - - -
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 ECAD 2639 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BUK65 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 30 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 3,3 MOHM @ 25a, 10V 2,8 V @ 1ma 114 NC @ 10 V ± 16 v 6960 PF @ 25 V. - - - 204W (TC)
1N4738A,113 NXP USA Inc. 1N4738a, 113 0,0400
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 ECAD 370 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv 1N47 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 5.000
BFG505/X,235 NXP USA Inc. BFG505/X, 235 - - -
RFQ
 ECAD 5935 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BFG50 150 MW SOT-143b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934018770235 Ear99 8541.21.0075 10.000 - - - 15 v 18 Ma Npn 60 @ 5ma, 6v 9GHz 1,2 dB ~ 1,9 dB @ 900 MHz ~ 2GHz
MHTG1200HSR3 NXP USA Inc. MHTG1200HSR3 99.3479
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 ECAD 2583 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 50 v Oberflächenhalterung NI-780S-4L 2,4 GHz ~ 2,5 GHz Gan NI-780S-4L - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 568-MHTG1200HSR3TR Ear99 8541.29.0095 250 2 N-Kanal - - - 300W - - - - - -
ON5233,118 NXP USA Inc. On5233,118 - - -
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 ECAD 3804 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 On5233 - - - - - - Dpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934056765118 Ear99 8541.29.0095 2.500 - - - - - - - - - - - - - - -
BUK95150-55A,127 NXP USA Inc. BUK95150-55A, 127 - - -
RFQ
 ECAD 5425 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BUK95 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 13a (TC) 4,5 V, 10 V. 137mohm @ 13a, 10V 2V @ 1ma ± 10 V 339 PF @ 25 V. - - - 53W (TC)
PDTA114TU,115 NXP USA Inc. PDTA114TU, 115 0,0200
RFQ
 ECAD 305 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTA11 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
MRF8S19260HSR5 NXP USA Inc. MRF8S19260HSR5 - - -
RFQ
 ECAD 8525 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-1110B MRF8 1,99 GHz Ldmos NI1230S-8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 Dual - - - 1.6 a 74W 18.2db - - - 30 v
PDTA144WK,115 NXP USA Inc. PDTA144WK, 115 - - -
RFQ
 ECAD 3381 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTA144 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5ma, 5V 47 Kohms 22 Kohms
PDTA113EMB,315 NXP USA Inc. Pdta113emb, 315 0,0200
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 ECAD 140 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTA113 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 100NA (ICBO) PNP - VoreInensmen 150 mV @ 1,5 mA, 30 mA 30 @ 40 mA, 5V 180 MHz 1 Kohms 1 Kohms
BUK762R0-40C,118 NXP USA Inc. BUK762R0-40C, 118 0,9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BUK76 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800
BZX284-B56,115 NXP USA Inc. BZX284-B56,115 - - -
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-110 Bzx284 400 MW SOD-110 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 NA @ 39.2 V. 56 v 120 Ohm
BAP64-05W,115 NXP USA Inc. BAP64-05W, 115 0,4500
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 ECAD 8689 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 Bap64 SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 100 ma 240 MW 0,35PF @ 20V, 1 MHz Pin - 1 Paar Gemeinsame Kathode 100V 1,35OHM @ 100 mA, 100 MHz
BFU725F/N1/S115 NXP USA Inc. BFU725F/N1/S115 1.0000
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 ECAD 7446 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
2N3904,116 NXP USA Inc. 2N3904,116 - - -
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads 2n39 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 200 ma 50na (ICBO) Npn 200mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V 300 MHz
PDTC144WE,115 NXP USA Inc. PDTC144WE, 115 - - -
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 ECAD 3344 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 PDTC144 150 MW SC-75 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5ma, 5V 47 Kohms 22 Kohms
PZU5.1B,115 NXP USA Inc. Pzu 5.1b, 115 0,0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pzu5.1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
PDTC114YT235 NXP USA Inc. PDTC114YT235 1.0000
RFQ
 ECAD 3353 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1
BFS17A,235 NXP USA Inc. BFS17A, 235 - - -
RFQ
 ECAD 8751 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BFS17 300 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 933750250235 Ear99 8541.21.0075 10.000 - - - 15 v 25ma Npn 25 @ 2MA, 1V 2,8 GHz 2,5 dB bei 800 MHz
MMRF1008HSR5 NXP USA Inc. MMRF1008HSR5 - - -
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 ECAD 7453 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 100 v Chassis -berg NI-780s MMRF1 1,03 GHz Ldmos NI-780s - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935311734178 Ear99 8541.29.0075 50 - - - 100 ma 275W 20.3db - - - 50 v
2PB709AS,115 NXP USA Inc. 2pb709as, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 2pb70 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 15.000 45 V 100 ma 10NA (ICBO) PNP 500mv @ 10 mA, 100 mA 290 @ 2MA, 10V 80MHz
BC856B,215 NXP USA Inc. BC856B, 215 0,0200
RFQ
 ECAD 929 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BC856 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
BUK9606-55B,118 NXP USA Inc. BUK9606-55B, 118 0,6800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BUK96 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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