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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
PBR941,215 NXP USA Inc. PBR941,215 - - -
RFQ
 ECAD 1630 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PBR94 360 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 - - - 10V 50 ma Npn 50 @ 5ma, 6v 8GHz 1,4 db ~ 2 dB @ 1GHz ~ 2GHz
BUK7608-55,118 NXP USA Inc. BUK7608-55,118 - - -
RFQ
 ECAD 4884 0.00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab BUK76 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 8mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma ± 16 v 4500 PF @ 25 V. - - - 187W (TC)
BAT46WH/DG/B2115 NXP USA Inc. BAT46WH/DG/B2115 0,0300
RFQ
 ECAD 5431 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0070 2.590
AFT09H310-03SR6 NXP USA Inc. AFT09H310-03SR6 - - -
RFQ
 ECAD 8970 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 70 V Chassis -berg Ni-1230s Achtern 920 MHz Ldmos Ni-1230s - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935324687128 Ear99 8541.29.0075 150 - - - 680 Ma 56W 17.9db - - - 28 v
PH2525L,115 NXP USA Inc. PH2525L, 115 - - -
RFQ
 ECAD 3949 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Ph25 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500
BZX79-B51,133 NXP USA Inc. BZX79-B51,133 0,0200
RFQ
 ECAD 83 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX79 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
BZX284-C22,115 NXP USA Inc. BZX284-C22,115 - - -
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-110 Bzx284 400 MW SOD-110 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 15.4 v 22 v 25 Ohm
MRF9030LR5 NXP USA Inc. MRF9030LR5 - - -
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 ECAD 5419 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Chassis -berg Ni-360 MRF90 945 MHz Ldmos Ni-360 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 50 - - - 250 Ma 30W 19db - - - 26 v
AFV121KGSR5 NXP USA Inc. AFV121KGSR5 621.2116
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 ECAD 8369 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 112 v Oberflächenhalterung NI-1230-4S GW AFV121 960 MHz ~ 1,22 GHz Ldmos NI-1230-4S Möwe Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935313048178 Ear99 8541.29.0075 50 Dual - - - 100 ma 1000W 19.6db - - - 50 v
PHX23NQ10T,127 NXP USA Inc. PHX23NQ10T, 127 - - -
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 ECAD 1564 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte PHX23 MOSFET (Metalloxid) To-220f Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 13a (TC) 10V 70 MOHM @ 13A, 10V 4v @ 1ma 22 NC @ 10 V. ± 20 V 1187 PF @ 25 V. - - - 27W (TC)
PDTA114ET,235 NXP USA Inc. PDTA114et, 235 0,0200
RFQ
 ECAD 154 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTA114 250 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 30 @ 5ma, 5v 10 Kohms 10 Kohms
PBLS2002S,115 NXP USA Inc. PBLS2002S, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5178 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) PBLS20 1,5W 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 50V, 20V 100 Ma, 3a 1 µA, 100NA 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 355 mV @ 300 mA, 3a 30 @ 10ma, 5v / 150 @ 2a, 2 V. 100 MHz 4.7kohm 4.7kohm
PMEG3010ESB315 NXP USA Inc. PMEG3010ESB315 0,0400
RFQ
 ECAD 429 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0080 10.000
BFR505T115 NXP USA Inc. BFR505T115 - - -
RFQ
 ECAD 8876 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 166
BZV55-C4V7,115 NXP USA Inc. BZV55-C4V7,115 0,0200
RFQ
 ECAD 8266 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZv55 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500
BUJ303B,127 NXP USA Inc. BUJ303B, 127 0,3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 100 w To-220ab Herunterladen Ear99 8541.29.0095 825 400 V 5 a 100 µA Npn 1,5 V @ 1a, 3a 23 @ 800 mA, 3V - - -
BZX84-C15/CH/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C15/CH/LF1VL - - -
RFQ
 ECAD 7380 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84-C15 250 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934069442235 Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 10,5 V. 15 v 30 Ohm
BUK968R3-40E,118 NXP USA Inc. BUK968R3-40E, 118 - - -
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab BUK96 MOSFET (Metalloxid) D2pak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 40 v 75a (TC) 5v, 10V 6.4mohm @ 20a, 10V 2,1 V @ 1ma 20,9 NC @ 5 V. ± 10 V 2600 PF @ 25 V. - - - 96W (TC)
BLS3135-50,114 NXP USA Inc. BLS3135-50,114 - - -
RFQ
 ECAD 7038 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Tablett Veraltet 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-422a BLS3 80W CDFM2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4 8db 75 V 6a Npn 40 @ 1,5a, 5V 3,5 GHz - - -
BZX79-B6V2,133 NXP USA Inc. BZX79-B6V2,133 0,0200
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX79 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
PZM4.3NB2A,115 NXP USA Inc. PZM4.3NB2A, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5346 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM4.3 220 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 90 Ohm
BUK9Y7R8-80E,115 NXP USA Inc. BUK9Y7R8-80E, 115 - - -
RFQ
 ECAD 2261 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 BUK9Y7 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934067026115 Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 80 v - - - - - - - - - - - - - - -
BC857CQA147 NXP USA Inc. BC857CQA147 0,0300
RFQ
 ECAD 141 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BC857 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 5.000
BZX84J-B43115 NXP USA Inc. BZX84J-B43115 - - -
RFQ
 ECAD 6170 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
MRF5S19150HR5 NXP USA Inc. MRF5S19150HR5 - - -
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-957A MRF5 1,93 GHz ~ 1,99 GHz Ldmos NI-880H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 50 - - - 1.4 a 32W 14db - - - 28 v
BCV26,235 NXP USA Inc. BCV26,235 0,0300
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 10.000 30 v 500 mA 100NA (ICBO) PNP - Darlington 1 V @ 100 µA, 100 mA 20000 @ 100ma, 5V 220 MHz
BZV55-C5V6,135 NXP USA Inc. BZV55-C5V6,135 0,0200
RFQ
 ECAD 390 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZv55 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
MRFE6VP5300NR1 NXP USA Inc. MRFE6VP5300NR1 66.1000
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 133 v Oberflächenhalterung To-270ab Mrfe6 1,8 MHz ~ 600 MHz Ldmos To-270 WB-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0040 500 Dual - - - 100 ma 300W 27 dB - - - 50 v
PZU3.3BL315 NXP USA Inc. Pzu3.3BL315 - - -
RFQ
 ECAD 1428 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 8,370
MRFE6VP61K25HSR6 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25HSR6 - - -
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic 133 v Chassis -berg Ni-1230s Mrfe6 230 MHz Ldmos Ni-1230s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 150 Dual - - - 100 ma 1250W 24 dB - - - 50 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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