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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Max Strom - Hold (ih) (max) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) RAUSCHFIGUR Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss @ if, f Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
PZU3.9B2,115 NXP USA Inc. Pzu3.9b2,115 - - -
RFQ
 ECAD 6048 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pzu3.9 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
PBSS4230QA147 NXP USA Inc. PBSS4230QA147 - - -
RFQ
 ECAD 9558 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 5.000
BZB84-C20,215 NXP USA Inc. BZB84-C20,215 0,0200
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 900 mv @ 10 mA 50 na @ 14 v 20 v 55 Ohm
BZX585-B3V6,135 NXP USA Inc. BZX585-B3V6,135 - - -
RFQ
 ECAD 9599 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 300 MW SOD-523 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 1,1 V @ 100 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
BTA212-600F,127 NXP USA Inc. Bta212-600f, 127 0,4100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 125 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 To-220ab Herunterladen Ear99 8541.30.0080 740 Einzel 30 ma Standard 600 V 12 a 1,5 v 95a, 105a 25 ma
PSMN3R7-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN3R7-25YLC, 115 - - -
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 PSMN3 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 25 v 97a (TC) 4,5 V, 10 V. 3,9 MOHM @ 20A, 10V 1,95 V @ 1ma 21.6 NC @ 10 V ± 20 V 1585 PF @ 12 V - - - 64W (TC)
BZX284-C20,115 NXP USA Inc. BZX284-C20,115 - - -
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 ECAD 1735 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-110 Bzx284 400 MW SOD-110 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 14 v 20 v 20 Ohm
BFG520/X,215 NXP USA Inc. BFG520/X, 215 - - -
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BFG52 300 MW SOT-143b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 - - - 15 v 70 Ma Npn 60 @ 20 ma, 6v 9GHz 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz
BC557B,112 NXP USA Inc. BC557B, 112 - - -
RFQ
 ECAD 2655 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC55 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) PNP 650 mv @ 5ma, 100 mA 220 @ 2MA, 5V 100 MHz
PDTA115EE,115 NXP USA Inc. Pdta115ee, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5755 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 PDTA115 150 MW SC-75 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 20 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 250 ua, 5 mA 80 @ 5ma, 5V 100 Kohms 100 Kohms
BC856BM315 NXP USA Inc. BC856BM315 1.0000
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BC856 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 10.000
BF550,215 NXP USA Inc. BF550,215 - - -
RFQ
 ECAD 6379 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BF550 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000
MRF6VP3091NBR1 NXP USA Inc. MRF6VP3091NBR1 - - -
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 115 v Chassis -berg To-272bb MRF6 860 MHz Ldmos To-272 WB-4 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935319809528 5a991g 8541.29.0075 500 Dual - - - 350 Ma 18W 22 dB - - - 50 v
PZU2.7B1A115 NXP USA Inc. Pzu2.7b1a115 0,0200
RFQ
 ECAD 4989 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 8.950
PBLS2021D,115 NXP USA Inc. PBLS2021D, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PBLS20 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000
BC56-10PAS115 NXP USA Inc. BC56-10PAS115 0,0600
RFQ
 ECAD 54 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
BAP70-04W,115 NXP USA Inc. BAP70-04W, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1785 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) SC-70, SOT-323 BAP70 SC-70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 100 ma 260 MW 0,3PF @ 20V, 1 MHz Pin - 1 Paar Serie Verbindung 50V 1,9ohm @ 100 mA, 100 MHz
BT131-600/DG,116 NXP USA Inc. BT131-600/DG, 116 0,1000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 125 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads To-92-3 Herunterladen Ear99 8541.30.0080 3.037 Einzel 5 Ma Logik - Sensitive Gate 600 V 1 a 1,5 v 12,5a, 13,8a 3 ma
PDTA144EMB,315 NXP USA Inc. PDTA144EMB, 315 0,0300
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-101, SOT-883 PDTA144 250 MW DFN1006B-3 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 1 µA PNP - VoreInensmen 150 mV @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 5V 180 MHz 47 Kohms 47 Kohms
PMEG6002TV,115 NXP USA Inc. PMEG6002TV, 115 - - -
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 ECAD 6226 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 PMEG6002 Schottky SOT-666 Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 2 Unabhängig 60 v 200 Ma (DC) 600 MV @ 200 Ma 100 µa @ 60 V 150 ° C (max)
BLF1820-90,112 NXP USA Inc. BLF1820-90,112 - - -
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 ECAD 4535 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Rohr Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-502A BLF18 2GHz Ldmos Ldsten Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 60 12a 750 Ma 90W 11db - - - 26 v
ON5239,135 NXP USA Inc. On5239,135 - - -
RFQ
 ECAD 2729 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa On52 - - - - - - SC-73 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934056911135 Ear99 8541.29.0095 4.000 - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN035-150P,127 NXP USA Inc. PSMN035-150P, 127 - - -
RFQ
 ECAD 8619 0.00000000 NXP USA Inc. * Rohr Aktiv PSMN0 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.000
PBSS305NZ,135 NXP USA Inc. PBSS305NZ, 135 - - -
RFQ
 ECAD 4669 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PBSS3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 4.000
BC807-16/6215 NXP USA Inc. BC807-16/6215 0,0200
RFQ
 ECAD 339 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
PBSS4140S,126 NXP USA Inc. PBSS4140S, 126 - - -
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PBSS4 830 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 40 v 1 a 100na Npn 500mv @ 100 mA, 1a 300 @ 500 mA, 5V 150 MHz
PSMN010-55D,118 NXP USA Inc. PSMN010-55d, 118 - - -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 PSMN0 MOSFET (Metalloxid) Dpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 55 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 10,5 MOHM @ 25a, 10V 2V @ 1ma 55 NC @ 5 V. ± 15 V 3300 PF @ 20 V - - - 125W (TC)
A2T21S260W12NR3 NXP USA Inc. A2T21S260W12NR3 - - -
RFQ
 ECAD 9301 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg OM-880x-2L2L A2T21 2,11 GHz ~ 2,2 GHz Ldmos OM-880x-2L2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935339757528 Ear99 8541.29.0075 250 10 µA 1.6 a 218W 17.9db - - - 28 v
PMDPB70EN,115 NXP USA Inc. PMDPB70EN, 115 0,1900
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-UFDFN exponiert Pad PMDPB70 MOSFET (Metalloxid) 510 MW 6-Ehemann (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 3.5a 57mohm @ 3,5a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 4,5nc @ 10v 130pf @ 15V Logikpegel -tor
PBSS4120T/S500,215 NXP USA Inc. PBSS4120T/S500,215 - - -
RFQ
 ECAD 3055 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Veraltet PBSS4 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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