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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7Y18-55B, 115 | - - - |  | 6607 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 55 v | 47,4a (TC) | 10V | 18MOHM @ 20A, 10V | 4v @ 1ma | 21.9 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1263 PF @ 25 V. | - - - | 85W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG410W, 115 | - - - | | 9341 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFG41 | 54 MW | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 21db | 4,5 v | 12 Ma | Npn | 50 @ 10ma, 2v | 22GHz | 0,9 dB ~ 1,2 dB @ 900 MHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A2T26H160-24SR3 | - - - | | 5230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780S-4L2L | A2T26 | 2,58 GHz | Ldmos | NI-780S-4L2L | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935315428128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 350 Ma | 28W | 15.5db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMSTA3904/LF1X | - - - | | 3156 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | PMSTA | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069432115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB84-B10,215 | 0,0300 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 900 mv @ 10 mA | 200 na @ 7 V | 10 v | 20 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA114EEAF | - - - | | 7243 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA114 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934051530135 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 180 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S9202NR3 | - - - | | 1218 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Oberflächenhalterung | OM-780-2 | MRF8 | 920 MHz | Ldmos | OM-780-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935310535528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.3 a | 58W | 19db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSR14,215 | - - - | | 1002 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BSR1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9130HR3 | - - - | | 7270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Chassis -berg | SOT-957A | Mrfe6 | 880 MHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 950 Ma | 27W | 19.2db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S27015GNR1 | - - - | | 5511 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270ba | MRF6 | 2,6 GHz | Ldmos | To-270-2 Möwe | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | - - - | 160 ma | 3W | 14db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF512,235 | - - - | | 6563 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 20 v | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BF512 | 100 MHz | Jfet | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 933505290235 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 ma | 5 Ma | - - - | - - - | 1,5 dB | 10 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF19090SR3 | - - - | | 1022 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | Ni-880s | MRF19 | 1,93 GHz | Ldmos | Ni-880s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 250 | - - - | 750 Ma | 90W | 11.5db | - - - | 26 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF10M6LS200U112 | 95.3500 | | 260 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMV16un, 215 | - - - | | 9100 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMV1 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5.8a (ta) | 1,8 V, 4,5 V. | 18mohm @ 5,8a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 11 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 670 PF @ 10 V. | - - - | 510 MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV42G-200,127 | - - - | | 4544 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | Byv42 | Standard | I2pak (to-262) | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 200 v | 15a | 850 mv @ 15 a | 28 ns | 100 µA @ 200 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ACT108-600E, 126 | 0,1700 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.799 | Einzel | 25 ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 800 mA | 1 v | 8a, 8,8a | 10 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pa1774r, 115 | - - - | | 2474 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2pa17 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 200mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 1ma, 6v | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114TMB315 | 0,0200 | | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-C30.133 | 0,0200 | | 87 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB135,135 | 0,0779 | | 6155 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB135 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 2.1pf @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 12 | C0.5/C28 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMCM6501VNEZ | 0,2000 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-XFBGA, WLCSP | MOSFET (Metalloxid) | 6-WLCSP (1,48x0,98) | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,528 | N-Kanal | 12 v | 7.3a (ta) | 1,5 V, 4,5 V. | 18mohm @ 3a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 24 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 920 PF @ 6 V | - - - | 556 MW (TA), 12,5 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA115TT, 215 | - - - | | 3574 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT26P100-4WSR3 | - - - | | 1657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | AFT26 | 2,69 GHz | Ldmos | NI-780S-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935320111128 | 5a991g | 8541.29.0040 | 250 | Dual | - - - | 200 ma | 22W | 15.1db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu3.0b, 115 | 0,0300 | | 27 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu3.0 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX384-B39,115 | - - - | | 3184 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC143XE, 115 | - - - | | 4662 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTC143 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFS520,115 | - - - | | 6551 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFS52 | 300 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144VK, 115 | - - - | | 3665 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC144 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 40 @ 5ma, 5v | 47 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-C36,115 | - - - | | 5753 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 25.2 V. | 36 v | 60 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAV199/ZLR | - - - | | 8859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BAV199 | Standard | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 75 V | 160 mA (DC) | 1,25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 Na @ 75 V | 150 ° C (max) |
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