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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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![]() | BFT25,215 | - - - | ![]() | 4589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFT25 | 30 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 5v | 6,5 Ma | Npn | 20 @ 1ma, 1V | 2,3 GHz | 5,5 dB @ 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9520-55,127 | - - - | ![]() | 9391 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK95 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 52a (TC) | 5v | 20mohm @ 25a, 5V | 2V @ 1ma | ± 10 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 116W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16/LF1215 | 0,0200 | ![]() | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas16 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK624R5-30C, 118 | 0,4400 | ![]() | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 10V | 4,5 MOHM @ 25a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 78 NC @ 10 V | ± 16 v | 4707 PF @ 25 V. | - - - | 158W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK762R9-40E/GFJ | - - - | ![]() | 2511 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BUK76 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT26H250W03SR6 | - - - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-1230-4s | AFT26 | 2,5 GHz | Ldmos | Ni-1230-4s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935323483128 | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | - - - | 700 Ma | 50W | 14.1db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzm5,6nb2,115 | - - - | ![]() | 1765 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM5.6 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX18,215 | 0,0300 | ![]() | 130 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 25 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | PNP | 620 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 80MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU910f | - - - | ![]() | 5055 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9E4R4-40B, 127 | - - - | ![]() | 6907 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | BUK9 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 64 NC @ 5 V | ± 15 V | 7124 PF @ 25 V. | - - - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | A3G26H501W17SR3 | 140.6060 | ![]() | 9327 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | A3G26 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6002eld315 | 0,0400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG6002 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.755 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-B68,115 | - - - | ![]() | 7127 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 47.6 V. | 68 v | 160 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA144TE, 115 | - - - | ![]() | 1239 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA144 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDZ27BGW115 | 1.0000 | ![]() | 2903 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT137-600/DG/L01127 | 0,2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.065 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NZX2V4A, 133 | 0,0200 | ![]() | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BLF4G10-160,112 | - - - | ![]() | 6208 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-502A | BLF4 | 894MHz | Ldmos | Ldsten | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | 15a | 900 Ma | 160W | 19.7db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||
MRF5S21100HR3 | - - - | ![]() | 3229 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF5 | 2,16 GHz ~ 2,17 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.05 a | 23W | 13,5 dB | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C10/DG/B3235 | - - - | ![]() | 9058 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG424W, 115 | - - - | ![]() | 2830 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFG42 | 135 MW | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 22 dB | 4,5 v | 30 ma | Npn | 50 @ 25ma, 2v | 25ghz | 0,8 dB ~ 1,2 dB @ 900 MHz ~ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG541,115 | - - - | ![]() | 2350 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BFG54 | 650 MW | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | - - - | 15 v | 120 Ma | Npn | 60 @ 40 ma, 8v | 9GHz | 1,3 dB ~ 2,4 dB bei 900 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
PSMN023-40ylcx | - - - | ![]() | 5066 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | PSMN0 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 40 v | 24a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 23mohm @ 5a, 10V | 1,95 V @ 1ma | 8.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 520 PF @ 20 V | - - - | 25W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV90-C4V7,115 | - - - | ![]() | 7715 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZV90 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B62,115 | - - - | ![]() | 1828 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX585 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC114TEF, 115 | - - - | ![]() | 1331 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC114 | 150 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 200 @ 1ma, 5V | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX384-C7V5/ZLX | - - - | ![]() | 4157 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069127115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 700 mv | 7,5 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C4V3,215 | 0,0200 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRFE6S9201HSR5 | - - - | ![]() | 7713 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Chassis -berg | NI-780s | Mrfe6 | 880 MHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.4 a | 40W | 20.8db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PBLS6001d, 115 | 0,0700 | ![]() | 111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PBLS60 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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