SIC
close
Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BZX79-C8V2,143 NXP USA Inc. BZX79-C8V2,143 0,0200
RFQ
ECAD 525 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 700 NA @ 5 V. 8.2 v 15 Ohm
PBLS6001D,115 NXP USA Inc. PBLS6001d, 115 0,0700
RFQ
ECAD 111 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PBLS60 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
BZX585-B62,115 NXP USA Inc. BZX585-B62,115 - - -
RFQ
ECAD 1828 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX585 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
BZX84-C10/DG/B3235 NXP USA Inc. BZX84-C10/DG/B3235 - - -
RFQ
ECAD 9058 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 10.000
PDTC114TEF,115 NXP USA Inc. PDTC114TEF, 115 - - -
RFQ
ECAD 1331 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-89, SOT-490 PDTC114 150 MW SC-89 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 200 @ 1ma, 5V 10 Kohms
MRF5S21100HR3 NXP USA Inc. MRF5S21100HR3 - - -
RFQ
ECAD 3229 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-957A MRF5 2,16 GHz ~ 2,17 GHz Ldmos NI-780H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 250 - - - 1.05 a 23W 13,5 dB - - - 28 v
BZX384-C7V5/ZLX NXP USA Inc. BZX384-C7V5/ZLX - - -
RFQ
ECAD 4157 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-76, SOD-323 BZX384 300 MW SOD-323 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934069127115 Veraltet 0000.00.0000 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 700 mv 7,5 v 15 Ohm
PSMN023-40YLCX NXP USA Inc. PSMN023-40ylcx - - -
RFQ
ECAD 5066 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 PSMN0 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 40 v 24a (TC) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 5a, 10V 1,95 V @ 1ma 8.4 NC @ 10 V ± 20 V 520 PF @ 20 V - - - 25W (TC)
BFG541,115 NXP USA Inc. BFG541,115 - - -
RFQ
ECAD 2350 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa BFG54 650 MW SC-73 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000 - - - 15 v 120 Ma Npn 60 @ 40 ma, 8v 9GHz 1,3 dB ~ 2,4 dB bei 900 MHz
BZX84-C4V3,215 NXP USA Inc. BZX84-C4V3,215 0,0200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 90 Ohm
BFG424W,115 NXP USA Inc. BFG424W, 115 - - -
RFQ
ECAD 2830 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BFG42 135 MW Cmpak-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 22 dB 4,5 v 30 ma Npn 50 @ 25ma, 2v 25ghz 0,8 dB ~ 1,2 dB @ 900 MHz ~ 2GHz
BUK9624-55A118 NXP USA Inc. BUK9624-55A118 0,6300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.29.0095 515
PZU3.3B,115 NXP USA Inc. Pzu3.3b, 115 0,0300
RFQ
ECAD 827 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pzu3.3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
BZX84-C22/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-C22/LF1VL - - -
RFQ
ECAD 8702 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84-C22 250 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934069449235 Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 15.4 v 22 v 55 Ohm
PDZ9.1B145 NXP USA Inc. PDZ9.1B145 0,0200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
MRF7S21110HSR5 NXP USA Inc. MRF7S21110HSR5 - - -
RFQ
ECAD 8783 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg NI-780s MRF7 2,17 GHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 1.1 a 33W 17.3db - - - 28 v
A2T27S020GNR1 NXP USA Inc. A2T27S020GNR1 24.6050
RFQ
ECAD 3612 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 65 V Oberflächenhalterung To-270ba A2T27 400 MHz ~ 2,7 GHz Ldmos To-270-2 Möwe Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935331769528 Ear99 8541.29.0075 500 10 µA 185 Ma 20W 21db - - - 28 v
BZT52H-B75,115 NXP USA Inc. BZT52H-B75,115 0,0200
RFQ
ECAD 40 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 52,5 V. 75 V 175 Ohm
MHT1801B NXP USA Inc. MHT1801B 1.3000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Nicht für Designs - - - Nicht Anwendbar Verkäfer undefiniert Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar 2832-MHT1801B Ear99 1
BYV10X-600P127 NXP USA Inc. BYV10X-600P127 1.0000
RFQ
ECAD 4140 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv K. Loch To-220-2 Full Pack Standard To-220f Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 1 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 600 V 2 V @ 10 a 50 ns 10 µa @ 600 V 175 ° C. 10a - - -
IRFZ24N,127 NXP USA Inc. Irfz24n, 127 - - -
RFQ
ECAD 5929 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Irfz2 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 17a (TC) 10V 70 Mohm @ 10a, 10V 4v @ 1ma 19 NC @ 10 V ± 20 V 500 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
PBSS4032NX/DG/B2115 NXP USA Inc. PBSS4032NX/DG/B2115 0,2200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 1.000
PZM5.1NB1,115 NXP USA Inc. PZM5.1NB1,115 - - -
RFQ
ECAD 9692 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM5.1 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1,5 V 5.1 v 60 Ohm
BZB784-C6V2115 NXP USA Inc. BZB784-C6V2115 - - -
RFQ
ECAD 2278 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
PDTA323TK,115 NXP USA Inc. PDTA323TK, 115 - - -
RFQ
ECAD 1479 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTA32 250 MW SMT3; Mpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 15 v 500 mA 500NA PNP - VoreInensmen 80 MV @ 2,5 mA, 50 mA 100 @ 50 Ma, 5V 2.2 Kohms
SRF9030NR1 NXP USA Inc. SRF9030NR1 - - -
RFQ
ECAD 4262 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Veraltet SRF90 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1
MRF8S7120NR3 NXP USA Inc. MRF8S7120NR3 - - -
RFQ
ECAD 5789 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 70 V Oberflächenhalterung OM-780-2 MRF8 768 MHz Ldmos OM-780-2 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935314209528 Ear99 8541.29.0075 250 - - - 600 mA 32W 19.2db - - - 28 v
NZX11A133 NXP USA Inc. NZX11A133 - - -
RFQ
ECAD 8898 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 9.800
BF862,235 NXP USA Inc. BF862,235 - - -
RFQ
ECAD 6032 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 20 v Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BF862 - - - Jfet SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934055519235 Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 25ma - - - - - - - - -
BZX585-C56,115 NXP USA Inc. BZX585-C56,115 - - -
RFQ
ECAD 7653 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX585 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus