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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BC856B, 215 | 0,0200 |  | 929 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC856 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX15B, 133 | - - - | | 8343 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBRN123YK, 115 | - - - | | 9188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Pbrn123 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 1,15 V @ 8ma, 800 mA | 500 @ 300 mA, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMV62XN, 215 | - - - | | 7380 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | PMV6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934066503215 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PLVA2656A, 215 | 0,0900 | | 11 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PLVA2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMN38en, 135 | - - - | | 4802 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMN3 | MOSFET (Metalloxid) | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 5.4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 38mohm @ 3a, 10V | 2V @ 1ma | 6.1 NC @ 4.5 V. | ± 20 V | 495 PF @ 25 V. | - - - | 1,75W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B16,133 | 0,0200 | | 2344 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA113ZS, 126 | - - - | | 3139 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTA113 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF8S19260HSR6 | - - - | | 5639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-1110B | MRF8 | 1,99 GHz | Ldmos | NI1230S-8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935310356128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - - - | 1.6 a | 74W | 18.2db | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF909,235 | - - - | | 6850 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 7 v | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BF909 | 800 MHz | Mosfet | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934028850235 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal Dual Gate | 40 ma | 15 Ma | - - - | - - - | 2 dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S7235NR3 | - - - | | 5031 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Oberflächenhalterung | OM-780-2 | MRF8 | 728 MHz | Ldmos | OM-780-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935314786528 | 5a991g | 8541.29.0095 | 250 | - - - | 1.4 a | 63W | 20db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC817-16/6215 | 0,0200 | | 27 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC817 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 15.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC53-10PA, 115 | - - - | | 3852 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-Powerudfn | 420 MW | 3-Huson (2x2) | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS40-04/ZLVL | - - - | | 5275 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar Serie Verbindung | 40 v | 120 Ma (DC) | 1 V @ 40 mA | 10 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT21S230SR3 | - - - | | 7962 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | NI-780s | AFT21 | 2.11GHz | Ldmos | NI-780S-6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935314997128 | 5a991g | 8541.29.0095 | 250 | - - - | 1,5 a | 50W | 16.7db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA124TS, 126 | - - - | | 6291 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTA124 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX33C, 133 | 0,0200 | | 240 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B43,115 | - - - | | 5376 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 NA @ 30.1 V. | 43 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLT50,115 | - - - | | 4323 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BLT5 | 2W | SC-73 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 10V | 500 mA | Npn | 25 @ 300 mA, 5V | 470 MHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK6207-30C, 118 | - - - | | 7428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | BUK62 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5.2mohm @ 15a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 54,8 NC @ 10 V. | ± 16 v | 3470 PF @ 25 V. | - - - | 128W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MW7IC2425NBR1 | - - - | | 8019 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | To-272-16 Variante, Flache-Leads | MW7IC | 2,45 GHz | Ldmos | To-272 WB-16 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.33.0001 | 500 | - - - | 55 Ma | 25W | 27.7db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C18,135 | 0,0200 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114YEF, 115 | - - - | | 5024 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC114 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFT25,215 | - - - | | 4589 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFT25 | 30 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 5v | 6,5 Ma | Npn | 20 @ 1ma, 1V | 2,3 GHz | 5,5 dB @ 500MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9520-55,127 | - - - | | 9391 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK95 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 52a (TC) | 5v | 20mohm @ 25a, 5V | 2V @ 1ma | ± 10 V | 2400 PF @ 25 V. | - - - | 116W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS16/LF1215 | 0,0200 | | 96 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas16 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK624R5-30C, 118 | 0,4400 | | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 90a (TC) | 10V | 4,5 MOHM @ 25a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 78 NC @ 10 V | ± 16 v | 4707 PF @ 25 V. | - - - | 158W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK762R9-40E/GFJ | - - - | | 2511 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BUK76 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT26H250W03SR6 | - - - | | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-1230-4s | AFT26 | 2,5 GHz | Ldmos | Ni-1230-4s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935323483128 | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | - - - | 700 Ma | 50W | 14.1db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzm5,6nb2,115 | - - - | | 1765 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM5.6 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 9.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 2,5 V | 5.6 v | 40 Ohm |
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