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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFG31,115 | - - - |  | 7404 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BFG31 | 1W | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 15 v | 100 ma | PNP | 25 @ 70 mA, 10V | 5GHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX585-C4V3,115 | 1.0000 | | 4422 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 4.3 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B8V2,115 | - - - | | 2804 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc4617r, 115 | - - - | | 9396 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2pc46 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 180 @ 1ma, 6v | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG425W, 135 | - - - | | 7048 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BFG42 | 135 MW | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934047470135 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 20db | 4,5 v | 30 ma | Npn | 50 @ 25ma, 2v | 25ghz | 0,8 dB ~ 1,2 dB @ 900 MHz ~ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PN2907A, 126 | - - - | | 2351 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN29 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 60 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 1,6 V @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4032NX/DG/B2115 | 0,2200 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C5V6,135 | 0,0200 | | 390 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG045V150EPD146 | 0,3300 | | 43 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857CQA147 | 0,0300 | | 141 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC857 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU725F/N1/S115 | 1.0000 | | 7446 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV85-C20,113 | - - - | | 1506 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZV85 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu3.3BL315 | - - - | | 1428 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,370 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC144WE, 115 | - - - | | 3344 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTC144 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V3090NR5 | - - - | | 7743 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 110 v | Oberflächenhalterung | To-270ab | MRF6 | 860 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935321513578 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 350 Ma | 18W | 22 dB | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PRF947,115 | - - - | | 6646 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PRF94 | 250 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | 10V | 50 ma | Npn | 50 @ 5ma, 6v | 8,5 GHz | 1,5 dB ~ 2,1 dB @ 1GHz ~ 2GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C11.135 | 0,0200 | | 160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | Oberflächenhalterung | Do-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500 MW | Llds; Minimelf | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 100 na @ 8 v | 11 v | 20 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S9060NR1 | - - - | | 5779 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270aa | MRF6 | 880 MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 450 Ma | 14W | 21.4db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PHB152NQ03LTA, 118 | - - - | | 2282 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | PHB15 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 25 v | 75a (TC) | 5v, 10V | 4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 36 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3140 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S38075HSR5 | - - - | | 8378 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 900 Ma | 12W | 14db | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC547C, 112 | - - - | | 9494 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC54 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bta410-600et, 127 | 0,4900 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 614 | Einzel | 15 Ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 10 a | 1,5 v | 100a, 110a | 10 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu16b3a, 115 | - - - | | 7154 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu16 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A2T26H165-24SR3 | - - - | | 8778 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780S-4L2L | A2T26 | 2,5 GHz | Ldmos | NI-780S-4L2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935313041128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 400 ma | 32W | 14.7db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PN2222A, 116 | - - - | | 4478 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PN22 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 600 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-A2V4,235 | 0,1000 | | 32 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 1% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 50 µa @ 1 V | 2,4 v | 100 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMEG3010BEA/ZLF | - - - | | 4074 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | PMEG3010 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068957135 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S21210HR5 | - - - | | 1245 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 2,17 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.4 a | 63W | 18.5db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9Y7R8-80E, 115 | - - - | | 2261 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | BUK9Y7 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067026115 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 80 v | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF9045NBR1 | - - - | | 1111 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | To-272-2 | MRF90 | 945 MHz | Ldmos | To-272-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | - - - | 350 Ma | 45W | 19db | - - - | 28 v |
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