- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Strom Abfluss (ID) - Maximal |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BLS2731-10,114 | - - - |  | 9526 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-445C | BLS2 | 145W | CDFM2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4 | 10 dB | 75 V | 1,5a | Npn | 40 @ 250 mA, 5V | 3.1 GHz | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BSN254,126 | - - - | | 5940 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BSN2 | MOSFET (Metalloxid) | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-Kanal | 250 V | 310 mA (TA) | 2,4 V, 10 V. | 5ohm @ 300 mA, 10V | 2V @ 1ma | ± 20 V | 120 PF @ 25 V. | - - - | 1W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM3.9NB, 115 | - - - | | 9779 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM3.9 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 1 V | 3,9 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC53-16PAS115 | 1.0000 | | 3238 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9635-100A, 118 | - - - | | 5660 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BUK96 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 100 v | 41a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 34mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | ± 10 V | 3573 PF @ 25 V. | - - - | 149W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTB114EU135 | - - - | | 2077 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu15b1a, 115 | 0,0300 | | 12 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 12.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 11 v | 15 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B2V4/DG/B2115 | 0,0500 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX384 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 6.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PHB45NQ10T, 118 | - - - | | 5158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PHB45 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX585-C47,115 | - - - | | 7188 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX585 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEG2010AEB/S500115 | 0,0700 | | 1772 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYC58X-600,127 | 0,6300 | | 910 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BYC58 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT54A/6215 | 0,0300 | | 207 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101, BAT54 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35003ANR5 | - - - | | 8033 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 15 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 55 Ma | 3W | 10.8db | - - - | 12 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzm3.3nb2a, 115 | - - - | | 9326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 4% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM3.3 | 220 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF861A, 215 | - - - | | 9014 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 25 v | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BF861 | - - - | Jfet | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 6,5 Ma | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pht8n06lt, 135 | - - - | | 1176 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Pht8 | MOSFET (Metalloxid) | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 55 v | 3,5a (TA) | 5v | 80Mohm @ 5a, 5V | 2V @ 1ma | 11.2 NC @ 5 V. | ± 13 v | 650 PF @ 25 V. | - - - | 1,8W (TA), 8,3W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S18125AHSR5 | - - - | | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF7 | 1,88 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.1 a | 125W | 17db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG325/XR, 215 | - - - | | 2389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BFG32 | 210 MW | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18.3db | 6v | 35 Ma | Npn | 60 @ 15ma, 3v | 14GHz | 1.1db @ 2ghz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9515-60E, 127 | - - - | | 7879 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK95 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 54a (TC) | 5v, 10V | 13mohm @ 15a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 20,5 NC @ 5 V. | ± 10 V | 2651 PF @ 25 V. | - - - | 96W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35020AR1 | - - - | | 8870 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 15 v | Chassis -berg | Ni-360 | MRFG35 | 3,5 GHz | Phemt Fet | Ni-360 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 300 ma | 2W | 11.5db | - - - | 12 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S9102NR3 | - - - | | 2105 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Oberflächenhalterung | OM-780-2 | MRF8 | 920 MHz | Ldmos | OM-780-2 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 750 Ma | 28W | 23.1db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PEMH1,115 | - - - | | 2295 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PEMH1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMV65une, 215 | - - - | | 1184 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMV65 | - - - | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2pa1015gr, 126 | - - - | | 5321 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2pa10 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 10 mA, 100 mA | 200 @ 2ma, 6v | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF420,112 | - - - | | 8505 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BF420 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 300 V | 50 ma | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 30 mA | 50 @ 25ma, 20V | 60 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S21100HSR3 | - - - | | 5820 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | NI-780s | MRF5 | 2,16 GHz ~ 2,17 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.05 a | 23W | 13,5 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1204,115 | - - - | | 8977 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 10 v | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF120 | 400 MHz | Mosfet | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 12 Ma | - - - | 30 dB | 0,9 dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4728a, 133 | 0,0400 | | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 100 µa @ 1 V | 3.3 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFR31,235 | - - - | | 5520 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFR31 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 933163490235 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 25 v | 4pf @ 10v | 1 ma @ 10 v | 2,5 V @ 0,5 na | 10 ma |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)