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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | Spannung - Im Zustand (VTM) (max) | Strom - Auf demstaat (It (Av)) (max) | Aktuell - Aus dem Zustand (max) | SCR -Typ | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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![]() | MRF5S19060NBR1 | - - - | ![]() | 5540 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | To-272bb | MRF5 | 1,99 GHz | Ldmos | To-272 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 750 Ma | 12W | 14db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG6010ESB315 | - - - | ![]() | 4915 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMEG6010 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7526-100B, 127 | - - - | ![]() | 3903 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-Kanal | 100 v | 49a (TC) | 10V | 26mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 38 nc @ 10 v | ± 20 V | 2891 PF @ 25 V. | - - - | 157W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7606-55A, 118 | 0,8800 | ![]() | 800 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 6,3 Mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 6000 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdz10b/zlx | - - - | ![]() | 7092 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | PDZ10 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069115115 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA123ye, 115 | - - - | ![]() | 1950 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA123 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF992,215 | - - - | ![]() | 9440 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 20 v | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BF992 | 200 MHz | Mosfet | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 40 ma | 15 Ma | - - - | - - - | 1.2db | 10 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC848W, 115 | - - - | ![]() | 3287 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRFG35010ANR5 | - - - | ![]() | 5304 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 15 v | Chassis -berg | Ni-360HF | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | Ni-360HF | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 130 ma | 1W | 10 dB | - - - | 12 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC115TK, 115 | - - - | ![]() | 3808 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC115 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU550AVL | 0,0884 | ![]() | 6967 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFU550 | 450 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067699235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 12 dB | 12V | 50 ma | Npn | 60 @ 15ma, 8v | 11GHz | 1,4 dB bei 1,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFV121KGSR5 | 621.2116 | ![]() | 8369 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 112 v | Oberflächenhalterung | NI-1230-4S GW | AFV121 | 960 MHz ~ 1,22 GHz | Ldmos | NI-1230-4S Möwe | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935313048178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 1000W | 19.6db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ON5174,118 | - - - | ![]() | 2377 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-263-5, d²pak (4 Leitete + Tab), to-263BBBBBBBB. | On51 | - - - | - - - | D2pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934056352118 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB143NQ04T, 118 | - - - | ![]() | 3944 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | PHB14 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 5.2mohm @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 52 NC @ 10 V | ± 20 V | 2840 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT09H310-03SR6 | - - - | ![]() | 8970 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Chassis -berg | Ni-1230s | Achtern | 920 MHz | Ldmos | Ni-1230s | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935324687128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | - - - | 680 Ma | 56W | 17.9db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C15/CH/LF1VL | - - - | ![]() | 7380 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C15 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069442235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 10,5 V. | 15 v | 30 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG3010ESB315 | 0,0400 | ![]() | 429 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFR505T115 | - - - | ![]() | 8876 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 166 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHX23NQ10T, 127 | - - - | ![]() | 1564 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | PHX23 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 13a (TC) | 10V | 70 MOHM @ 13A, 10V | 4v @ 1ma | 22 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1187 PF @ 25 V. | - - - | 27W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114et, 235 | 0,0200 | ![]() | 154 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA114 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PH2525L, 115 | - - - | ![]() | 3949 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Ph25 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX284-C22,115 | - - - | ![]() | 2912 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 15.4 v | 22 v | 25 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF9030LR5 | - - - | ![]() | 5419 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | Ni-360 | MRF90 | 945 MHz | Ldmos | Ni-360 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - - - | 250 Ma | 30W | 19db | - - - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B51,133 | 0,0200 | ![]() | 83 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV55-C4V7,115 | 0,0200 | ![]() | 8266 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT150S-600R, 118 | - - - | ![]() | 1713 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Dpak | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 6 Ma | 600 V | 4 a | 1 v | 35a, 38a | 200 µA | 1,8 v | 2,5 a | 500 µA | Sensibler tor | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMV37en, 215 | - - - | ![]() | 9564 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMV3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 3.1a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 36mohm @ 3.1a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 330 PF @ 10 V. | - - - | 380 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCX55,115 | - - - | ![]() | 8695 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCX55 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA206X-800CT/L01127 | 0,3200 | ![]() | 18 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF8S9260HR5 | - - - | ![]() | 8801 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF8 | 960 MHz | Ldmos | NI-880H-2L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935317145178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.7 a | 75W | 18.6db | - - - | 28 v |
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