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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
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![]() | BT1308-600D, 412 | - - - | ![]() | 7408 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 125 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BT130 | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.000 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 800 mA | 2 v | 9a, 10a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-C33,115 | - - - | ![]() | 2920 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143XK, 115 | - - - | ![]() | 1945 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA143 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 50 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BB131,135 | - - - | ![]() | 8349 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BB131 | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 1.055PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 30 v | 16 | C0.5/C28 | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF861B, 215 | - - - | ![]() | 8477 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 25 v | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BF861 | - - - | Jfet | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 15 Ma | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB113EK, 115 | - - - | ![]() | 5961 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTB113 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 33 @ 50 Ma, 5V | 1 Kohms | 1 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMRF1015GNR1 | 18.9720 | ![]() | 7999 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270ba | MMRF1015 | 960 MHz | Ldmos | To-270-2 Möwe | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935315212528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 125 Ma | 10W | 18db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN8R0-30LYC115 | 1.0000 | ![]() | 3272 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | J2A012YXZ/S1AY73AJ | - - - | ![]() | 7237 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J2A0 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS40/ZLVL | - - - | ![]() | 2930 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bas40 | Schottky | SOT-23 (to-236ab) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 1 V @ 40 mA | 10 µa @ 40 V | 150 ° C (max) | 120 Ma | 5PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7628-55A/C1118 | 0,4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54SW, 115 | - - - | ![]() | 7472 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bat54 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTC143EEF, 115 | - - - | ![]() | 4745 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC143 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC58X-600,127 | 0,6300 | ![]() | 910 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BYC58 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54A/6215 | 0,0300 | ![]() | 207 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101, BAT54 | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Bat54 | Schottky | SOT-23-3 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 1 Paar -Gemeinsamer -Anode | 30 v | 200 Ma (DC) | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRFG35003ANR5 | - - - | ![]() | 8033 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 15 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 55 Ma | 3W | 10.8db | - - - | 12 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZv49-C10,115 | 0,1800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv49 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PSMN3R5-30YL, 115 | - - - | ![]() | 4239 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PSMN3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2010AEB/S500115 | 0,0700 | ![]() | 1772 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S18170HR5 | - - - | ![]() | 1668 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 1,81 GHz | Ldmos | NI-880H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - - - | 1.4 a | 50W | 17.5db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9606-75B, 118 | - - - | ![]() | 8574 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BUK96 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACT102H-600D, 118 | 0,1400 | ![]() | 649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Act10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PEMH1,115 | - - - | ![]() | 2295 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PEMH1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pht8n06lt, 135 | - - - | ![]() | 1176 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | Pht8 | MOSFET (Metalloxid) | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 55 v | 3,5a (TA) | 5v | 80Mohm @ 5a, 5V | 2V @ 1ma | 11.2 NC @ 5 V. | ± 13 v | 650 PF @ 25 V. | - - - | 1,8W (TA), 8,3W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bta420x-800ct, 127 | 1.0000 | ![]() | 3038 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | To-220f | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 40 ma | Standard | 800 V | 20 a | 1,5 v | 200a, 220a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRF7S18125AHSR5 | - - - | ![]() | 6379 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF7 | 1,88 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.1 a | 125W | 17db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK9515-60E, 127 | - - - | ![]() | 7879 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK95 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 60 v | 54a (TC) | 5v, 10V | 13mohm @ 15a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 20,5 NC @ 5 V. | ± 10 V | 2651 PF @ 25 V. | - - - | 96W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzm3.3nb2a, 115 | - - - | ![]() | 9326 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 4% | - - - | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM3.3 | 220 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.3 v | 95 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-800D, 112 | 0,1200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2,404 | Einzel | 5 Ma | Logik - Sensitive Gate | 800 V | 1 a | 1,5 v | 12,5a, 13,8a | 3 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG325/XR, 215 | - - - | ![]() | 2389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BFG32 | 210 MW | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 18.3db | 6v | 35 Ma | Npn | 60 @ 15ma, 3v | 14GHz | 1.1db @ 2ghz |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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