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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
BZX84-B9V1/DG/B3215 NXP USA Inc. BZX84-B9V1/DG/B3215 0,0200
RFQ
 ECAD 8574 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 6.000
PZM2.4NB,115 NXP USA Inc. PZM2.4NB, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5254 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM2.4 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 µa @ 1 V 2,4 v 100 Ohm
BUK9523-75A,127 NXP USA Inc. BUK9523-75A, 127 - - -
RFQ
 ECAD 5434 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 BUK95 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 53a (TC) 4,5 V, 10 V. 22mohm @ 25a, 10V 2V @ 1ma ± 10 V 3120 PF @ 25 V. - - - 138W (TC)
BCP54-16,115 NXP USA Inc. BCP54-16,115 - - -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BCP54 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1.000
BZT52H-B15,115 NXP USA Inc. BZT52H-B15,115 0,0200
RFQ
 ECAD 71 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TA) Oberflächenhalterung SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F Herunterladen Ear99 8541.10.0050 15.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 10,5 V. 15 v 15 Ohm
BZV55-B8V2,115 NXP USA Inc. BZV55-B8V2,115 - - -
RFQ
 ECAD 3231 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZv55 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 2.500
BAS70-05235 NXP USA Inc. BAS70-05235 0,0200
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung Bas70 Schottky Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar Gemeinsamer Kathode 70 V 70 Ma (DC) 1 V @ 15 mA 10 µa @ 70 V 150 ° C (max)
BZX84-B15/LF1VL NXP USA Inc. BZX84-B15/LF1VL - - -
RFQ
 ECAD 9433 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Band & Rollen (TR) Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BZX84-B15 250 MW SOT-23 (to-236ab) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934069392235 Ear99 8541.10.0050 3.000 900 mv @ 10 mA 50 na @ 10,5 V. 15 v 30 Ohm
BAS116T,115 NXP USA Inc. Bas116t, 115 - - -
RFQ
 ECAD 2965 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 Bas11 Standard SC-75 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 Standardwiederherhersterung> 500 ns,> 200 Ma (IO) 75 V 1,25 V @ 150 mA 3 µs 5 Na @ 75 V 150 ° C (max) 215 Ma 2PF @ 0V, 1MHz
BUK9624-55A118 NXP USA Inc. BUK9624-55A118 0,6300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.29.0095 515
BC547B,116 NXP USA Inc. BC547B, 116 - - -
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC54 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 400mv @ 5 mA, 100 mA 200 @ 2MA, 5V 100 MHz
MRF8S18260HR6 NXP USA Inc. MRF8S18260HR6 - - -
RFQ
 ECAD 9262 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-1110A MRF8 1,81 GHz Ldmos NI1230-8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935314351128 5a991g 8541.29.0075 150 Dual - - - 1.6 a 74W 17.9db - - - 30 v
PMF250XNE115 NXP USA Inc. PMF250XNE115 1.0000
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 3.000
BLF8G27LS-100V,118 NXP USA Inc. BLF8G27LS-100V, 118 57.2300
RFQ
 ECAD 74 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 65 V Chassis -berg SOT-1244B 2,5 GHz ~ 2,7 GHz Ldmos CDFM6 Herunterladen Ear99 8541.29.0075 6 - - - 900 Ma 25W 17db - - - 28 v
MRF5S9080NBR1,528 NXP USA Inc. MRF5S9080NBR1,528 51.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1
BZX284-B68,115 NXP USA Inc. BZX284-B68,115 - - -
RFQ
 ECAD 7127 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-110 Bzx284 400 MW SOD-110 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 NA @ 47.6 V. 68 v 160 Ohm
BC52PAS115 NXP USA Inc. BC52PAS115 - - -
RFQ
 ECAD 1086 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 3.000
MRF7S16150HSR5 NXP USA Inc. MRF7S16150HSR5 - - -
RFQ
 ECAD 2434 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg NI-780s MRF7 1,6 GHz ~ 1,66 GHz Ldmos NI-780s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 1,5 a 32W 19.7db - - - 28 v
BUK9275-100A,118 NXP USA Inc. BUK9275-100A, 118 - - -
RFQ
 ECAD 8015 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BUK92 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500
PZM4.3NB2A,115 NXP USA Inc. PZM4.3NB2A, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5346 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM4.3 220 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1 V 4.3 v 90 Ohm
BF904R,235 NXP USA Inc. BF904R, 235 - - -
RFQ
 ECAD 4441 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 7 v Oberflächenhalterung SOT-143R BF904 200 MHz Mosfet SOT-143R Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934020440235 Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal Dual Gate 30 ma 10 ma - - - - - - 1 dB 5 v
BC550C,116 NXP USA Inc. BC550C, 116 - - -
RFQ
 ECAD 2803 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads BC55 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 2.000 45 V 100 ma 15NA (ICBO) Npn 600mv @ 5ma, 100 mA 420 @ 2MA, 5V 100 MHz
PSMN035-150P NXP USA Inc. PSMN035-150P 1.0000
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 1
BZX284-B62,115 NXP USA Inc. BZX284-B62,115 - - -
RFQ
 ECAD 7228 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-110 Bzx284 400 MW SOD-110 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 43.4 v 62 v 140 Ohm
A5G23H065NT4 NXP USA Inc. A5G23H065NN4 22.0869
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 125 v Oberflächenhalterung 6-ldfn exponiert Pad 2,3 GHz ~ 2,4 GHz - - - 6-PDFN (7x6.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0075 2.500 - - - - - - 30 ma 8.8W 15.5db - - - 48 v
PSMN004-36B,118 NXP USA Inc. PSMN004-36B, 118 - - -
RFQ
 ECAD 1460 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab PSMN0 MOSFET (Metalloxid) D2pak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 36 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 4mohm @ 25a, 10V 2V @ 1ma 97 NC @ 5 V. ± 15 V 6000 PF @ 20 V - - - 230W (TC)
BZX84J-B30,115 NXP USA Inc. BZX84J-B30,115 0,0300
RFQ
 ECAD 8786 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Bzx84 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
MRF8P23160WHR3 NXP USA Inc. MRF8P23160WHR3 - - -
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V NI-780-4 MRF8 2,32 GHz Mosfet NI-780-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935317531128 Ear99 8541.29.0095 250 N-Kanal - - - 600 mA 30W 14.1db - - - 28 v
MRF7S19170HSR3 NXP USA Inc. MRF7S19170HSR3 - - -
RFQ
 ECAD 7830 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Oberflächenhalterung Ni-880s MRF7 1,99 GHz Ldmos Ni-880s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 935319253128 Ear99 8541.21.0075 250 - - - 1.4 a 50W 17.2db - - - 28 v
MRF8S9202NR3 NXP USA Inc. MRF8S9202NR3 - - -
RFQ
 ECAD 1218 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 70 V Oberflächenhalterung OM-780-2 MRF8 920 MHz Ldmos OM-780-2 - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935310535528 Ear99 8541.29.0075 250 - - - 1.3 a 58W 19db - - - 28 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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