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Diskette HalblerProdukte (6133)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Frequenz	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	Strom - Test	Leistung - Ausgabe	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	RAUSCHFIGUR	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Strom - reverse -lockage @ vr	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Spannung - Test	Strom - Sammler Cutoff (max)	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
BUK7230-55A/C1118	0,2900	RFQ	15	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	2.500
BF904215	- - -	RFQ	5420	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	2156-BF904215-NXP	Ear99	8541.21.0095	1
PMEG2005EJ, 115	0,0500	RFQ	39	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						PMEG2					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0070	3.000
1N4737a, 113	0,0400	RFQ	202	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						1N47					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	5.000
MRF6VP41KHR5	- - -	RFQ	4653	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		110 v		Chassis -berg	Ni-1230	MRF6	450 MHz	Ldmos		Ni-1230	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	935309956178	Ear99	8541.29.0075	50	Dual		- - -	150 Ma	1000W	20db											- - -					50 v
A3G35H100-04SR3	96.8086	RFQ	6166	NXP USA Inc.	*	Band & Rollen (TR)	Lets Kaufen						A3G35					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	250
Pmzb290une2315	- - -	RFQ	1067	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						PMZB290		- - -			Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	10.000															- - -
PDTB113ET, 215	0,0300	RFQ	6173	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						PDTB11					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000
MRFE6VP5600HR6	130.9800	RFQ	67	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv		130 v		Chassis -berg	SOT-979A	Mrfe6	230 MHz	Ldmos		NI-1230-4H	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	150	Dual		- - -	100 ma	600W	25 dB											- - -					50 v
PBSS301NX, 115	0,2000	RFQ	432	NXP USA Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv			150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa				2.1 w	SOT-89	Herunterladen					Ear99	8541.29.0075	1.495																				12 v	5.3 a		100NA (ICBO)			Npn	200mv @ 265 Ma, 5,3a	250 @ 2a, 2v	140 MHz
BLM7G22S-60PB, 118	- - -	RFQ	1440	NXP USA Inc.	*	Band & Rollen (TR)	Aktiv						BLM7					- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	934066082118	Ear99	8541.29.0075	100
BUK7K35-60EX	- - -	RFQ	9164	NXP USA Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK7K35		MOSFET (Metalloxid)	38W	Lfpak56d	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1	2 n-kanal (dual)						60 v	20.7a		30mohm @ 5a, 10V	4v @ 1ma	12.5nc @ 10v		794PF @ 25v	- - -
BZX884-C36,315	- - -	RFQ	6973	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						BZX884					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	10.000
BZX884-C62,315	0,0300	RFQ	19	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						BZX884					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	10.000
BYC10X-600PQ127	- - -	RFQ	2105	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0080	1
PMR780SN115	0,1000	RFQ	3	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Schüttgut	Aktiv			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-75, SOT-416			MOSFET (Metalloxid)		SC-75	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	3.000		N-Kanal					60 v	550 Ma (TA)	4,5 V, 10 V.	920mohm @ 300 mA, 10V	3v @ 250 ähm	1,05 NC @ 10 V.	± 20 V	23 PF @ 30 V	- - -	530 MW (TC)
MRF8S21100HR3	- - -	RFQ	9247	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		65 V		Chassis -berg	SOT-957A	MRF8	2,17 GHz	Mosfet		NI-780H-2L	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	935317144128	Ear99	8541.29.0095	250	N-Kanal		- - -	700 Ma	24W	18.3db											- - -					28 v
PBSS301NZ, 135	0,2200	RFQ	26	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						PBSS3					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	4.000
J3E081GXS/S1AGCK7J	- - -	RFQ	1884	NXP USA Inc.	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet						J3E0					- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Veraltet	0000.00.0000	2.500
PHPT610030NK115	0,2400	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0075	1.500
PZM8.2NB, 115	- - -	RFQ	3033	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	PZM8.2			300 MW	SMT3; Mpak	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																		1,1 V @ 100 mA	700 NA @ 5 V.					8.2 v	10 Ohm
PDTA115et, 215	0,0200	RFQ	39	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						PDTA11					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	3.000
BF1205,135	- - -	RFQ	4907	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		10 v		Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BF120	800 MHz	Mosfet		6-tssop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	934056890135	Ear99	8541.21.0095	10.000	N-Kanal Dual Gate		30 ma	12 Ma	- - -	35 dB											1.2db					5 v
BZX79-B24,113	0,0200	RFQ	111	NXP USA Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 2%		-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204AH, Do-35, axial				400 MW	ALF2	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	1																		900 mv @ 10 mA	50 Na @ 16,8 V.					24 v	70 Ohm
PSMN9R0-30LL, 115	- - -	RFQ	2816	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-VDFN Exposed Pad	PSMN9		MOSFET (Metalloxid)		8-dfn3333 (3,3x3,3)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.400		N-Kanal					30 v	21a (TC)	4,5 V, 10 V.	9mohm @ 5a, 10V	2,15 V @ 1ma	20,6 NC @ 10 V	± 20 V	1193 PF @ 15 V	- - -	50W (TC)
PDTA124XMB, 315	0,0200	RFQ	154	NXP USA Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv				Oberflächenhalterung	SC-101, SOT-883	PDTA124			250 MW	DFN1006B-3	Herunterladen					Ear99	8541.21.0075	1																				50 v	100 ma		1 µA			PNP - VoreInensmen	150 mV @ 500 µA, 10 mA	80 @ 5ma, 5V	180 MHz	22 Kohms	47 Kohms
J3D081YXV/T1AY5E4J	- - -	RFQ	2339	NXP USA Inc.	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet						J3D0					- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Veraltet	0000.00.0000	2.500
BUK7E2R7-30B, 127	- - -	RFQ	6208	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Rohr	Veraltet			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa	BUK7		MOSFET (Metalloxid)		I2pak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal					30 v	75a (TC)	10V	2,7 MOHM @ 25a, 10V	4v @ 1ma	91 nc @ 10 v	± 20 V	6212 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
BUK763R8-80E118	1.0000	RFQ	4080	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1
BZT52H-B43,115	1.0000	RFQ	4293	NXP USA Inc.	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	± 2%		-65 ° C ~ 150 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	SOD-123F	BZT52			375 MW	SOD-123F	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	1																		900 mv @ 10 mA	50 NA @ 30.1 V.					43 v	80 Ohm

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (6133)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²