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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Max | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss - rds (on) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Kapazitätsverhöltnis | Kapazitätsverhöltnis | Q @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMBFJ176,215 | - - - |  | 4158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMBFJ1 | 300 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 8PF @ 10V (VGS) | 30 v | 2 ma @ 15 v | 1 V @ 10 na | 250 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTB114EU115 | 1.0000 | | 8066 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8P9040NR1 | - - - | | 2791 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Chassis -berg | To-272bb | MRF8P9040 | 960 MHz | Ldmos | To-272 WB-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935319637528 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | Dual | - - - | 320 Ma | 4W | 19.1db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PLVA659A/LF1R | - - - | | 1489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | PLVA659 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069468215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A3G26D055N-100 | 315.0000 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 v | Oberflächenhalterung | 6-ldfn exponiert Pad | 100 MHz ~ 2,69 GHz | Gan | 6-PDFN (7x6.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 568-A3G26D055N-100 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | 40 ma | 8W | 13.9db | - - - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | PMV65XP/MI215 | 1.0000 | | 7181 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA144EU/ZL115 | 0,0400 | | 5199 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 6.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NX7002BK215 | 0,0200 | | 813 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu15db2115 | 0,0300 | | 114 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN1R5-30BLE118 | 1.0000 | | 8581 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BUK9515-100A127 | 1.0300 | | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 14.4mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | ± 10 V | 8600 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAP55LX, 315 | 0,4600 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 2-xdfn | Bap55 | DFN1006D-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 100 ma | 135 MW | 0,28PF @ 20V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 800 MOHM @ 100 Ma, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYM359X-1500,127 | - - - | | 1270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | BYM35 | To-220f | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934055548127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 10 a | - - - | Standard - 1 Pair Series -Verbindung | 1500V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYM357X, 127 | - - - | | 5594 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 150 ° C (TJ) | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | BYM35 | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934056030127 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | 7 a | - - - | Standard - Single | 1500 V, 600 V | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BA278,115 | - - - | | 9453 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | Ba27 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 100 ma | 715 MW | 1,2pf @ 6v, 1 MHz | Standard - Single | 35 V | 700 MOHM @ 2MA, 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAP65-02,135 | 0,0809 | | 5769 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SC-79, SOD-523 | Bap65 | SOD-523 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934056546135 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 100 ma | 715 MW | 0,375PF @ 20V, 1 MHz | Pin - Single | 30V | 350 MOHM @ 100 Ma, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BB181LX, 315 | - - - | | 7091 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOD-882 | BB18 | SOD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 1.055PF @ 28V, 1 MHz | Einzel | 32 v | 16 | C0.5/C28 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CLF1G0035-100P | 202.5400 | | 994 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 v | Chassis -berg | SOT-1228a | 3,5 GHz | Hemt | Ldsten | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - - - | 330 Ma | 100W | 12.5db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK6212-40C, 118 | - - - | | 6413 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 2.500 | N-Kanal | 40 v | 50a (ta) | 11.2mohm @ 12a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 33,9 NC @ 10 V. | ± 16 v | 1900 PF @ 25 V. | - - - | 80W | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7509-75A, 127 | 0,8200 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | BUK75 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7109-75AIE, 118 | 1.1300 | | 3 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BUK71 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK96180-100A, 118 | 1.0000 | | 1557 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 100 v | 11a (ta) | 173mohm @ 5a, 10V | 2V @ 1ma | ± 15 V | 619 PF @ 25 V. | - - - | 54W (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84J-B13115 | - - - | | 7335 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 100 na @ 8 v | 13 v | 10 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7107-55ate, 118 | - - - | | 1603 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchplus ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-5, d²pak (4 Leitete + Tab), to-263BBBBBBBB. | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 55 v | 75A (TA) | 7mohm @ 50a, 10V | 4v @ 1ma | 116 nc @ 10 v | ± 20 V | 4500 PF @ 25 V. | - - - | 272W (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK6E3R2-55C, 127 | - - - | | 8042 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Rohr | Aktiv | BUK6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF7G10LS-250,112 | 97.2300 | | 55 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 65 V | Chassis -berg | SOT-502B | 869MHz ~ 960MHz | Ldmos | SOT502B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 4 | 5 ähm | 1,8 a | 250W | 19.5db | - - - | 30 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX79-B56,133 | 0,0200 | | 36 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B4V7,115 | 0,0300 | | 8932 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-90, SOD-323F | 550 MW | SOD-323F | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 2.740 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm |
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