SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - DC Reverse (VR) (max) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) Kapazität @ vr, f Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Diodentyp Spannung - Peak Reverse (max) Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) Kapazitätsverhöltnis Kapazitätsverhöltnis Q @ vr, f
BFR93AR,215 NXP USA Inc. BFR93AR, 215 - - -
RFQ
ECAD 7156 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BFR93 300 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 - - - 12V 35 Ma Npn 40 @ 30 Ma, 5V 6GHz 1,9 db ~ 3db @ 1GHz ~ 2GHz
PZU15B2115 NXP USA Inc. Pzu15b2115 - - -
RFQ
ECAD 1606 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
PMN25EN,115 NXP USA Inc. PMN25en, 115 - - -
RFQ
ECAD 8906 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-74, SOT-457 PMN2 MOSFET (Metalloxid) SC-74 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal 30 v 6.2a (ta) 4,5 V, 10 V. 23mohm @ 6.2a, 10V 2,5 V @ 250 ähm 11 NC @ 10 V ± 20 V 492 PF @ 15 V - - - 540 MW (TA), 6,25 W (TC)
BC850B,215 NXP USA Inc. BC850B, 215 0,0200
RFQ
ECAD 6728 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BC85 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
BB181,115 NXP USA Inc. BB181,115 0,3700
RFQ
ECAD 965 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-79, SOD-523 BB181 SOD-523 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000 1.055PF @ 28V, 1 MHz Einzel 30 v 16 C0.5/C28 - - -
BAT74S135 NXP USA Inc. Bat74S135 - - -
RFQ
ECAD 3420 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0070 1
PEMX1,315 NXP USA Inc. Pemx1,315 0,0700
RFQ
ECAD 704 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-563, SOT-666 Pemx1 300 MW SOT-666 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 4.699 40V 100 ma 100NA (ICBO) 2 NPN (Dual) 200mv @ 5ma, 50 mA 120 @ 1ma, 6v 100 MHz
PDTC124ET,235 NXP USA Inc. PDTC124et, 235 0,0200
RFQ
ECAD 60 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PDTC124 250 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 60 @ 5ma, 5V 22 Kohms 22 Kohms
BZX84-C3V6/DG/B3235 NXP USA Inc. BZX84-C3V6/DG/B3235 0,0200
RFQ
ECAD 20 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 15.000
BY459X-1500,127 NXP USA Inc. BY459X-1500,127 - - -
RFQ
ECAD 5615 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Rohr Veraltet K. Loch To-220-2 Full Pack BY45 Standard To-220fp Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0080 3.000 SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) 1500 V 1,3 V @ 6,5 a 350 ns 250 µa @ 1300 V 150 ° C (max) 12a - - -
PBLS1502Y,115 NXP USA Inc. PBLS1502y, 115 0,0700
RFQ
ECAD 79 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PBLS1502 300 MW SOT-363 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 4,873 50 V, 15 V 100 mA, 500 mA 1 µA, 100NA 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 250 mV @ 50 mA, 500 mA 30 @ 10ma, 5v / 150 @ 100 mA, 2 V. 280 MHz 4.7kohm 4.7kohm
1PS301,115 NXP USA Inc. 1PS301,115 0,0300
RFQ
ECAD 438 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv 1PS30 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0070 3.000
PZM24NB3,115 NXP USA Inc. PZM24NB3,115 - - -
RFQ
ECAD 6878 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM24 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 70 NA @ 19 V. 24 v 30 Ohm
A2T21H410-24SR6 NXP USA Inc. A2T21H410-24SR6 - - -
RFQ
ECAD 1483 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg NI-1230-4LS2L A2T21 2,17 GHz Ldmos NI-1230-4LS2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935312756128 Ear99 8541.29.0075 150 Dual - - - 600 mA 72W 15.6db - - - 28 v
PSMN1R7-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN1R7-25YLC, 115 - - -
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 PSMN1 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 25 v 100a (TC) 4,5 V, 10 V. 1,9 MOHM @ 25a, 10V 1,95 V @ 1ma 59 NC @ 10 V ± 20 V 3735 PF @ 12 V - - - 164W (TC)
BLF4G20-110B,112 NXP USA Inc. BLF4G20-110B, 112 - - -
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Tablett Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-502A BLF4 1,93 GHz ~ 1,99 GHz Ldmos Ldsten Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 60 12a 700 Ma 100W 13,5 dB - - - 28 v
PZM10NB2,115 NXP USA Inc. PZM10NB2,115 - - -
RFQ
ECAD 5193 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM10 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 200 na @ 7 V 10 v 10 Ohm
PZU15B1115 NXP USA Inc. Pzu15b1115 1.0000
RFQ
ECAD 7689 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SC-90, SOD-323F 310 MW SOD-323F Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 50 na @ 11 v 15 v 15 Ohm
PZM18NB,115 NXP USA Inc. PZM18NB, 115 - - -
RFQ
ECAD 5016 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM18 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 70 na @ 13 v 18 v 20 Ohm
NZX3V6C,133 NXP USA Inc. NZX3V6C, 133 0,0200
RFQ
ECAD 62 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv NZX3 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
BZX884-C3V0,315 NXP USA Inc. BZX884-C3V0,315 0,0300
RFQ
ECAD 33 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung SOD-882 250 MW DFN1006-2 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 10.606 900 mv @ 10 mA 10 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
MRF377HR3 NXP USA Inc. MRF377HR3 - - -
RFQ
ECAD 4060 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg NI-860C3 MRF37 860 MHz Ldmos NI-860C3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 250 17a 2 a 45W 18.2db - - - 32 v
PMEG1201AESF/S500315 NXP USA Inc. PMEG1201AESF/S500315 0,0400
RFQ
ECAD 216 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 9.000
NZX11A133 NXP USA Inc. NZX11A133 - - -
RFQ
ECAD 8898 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 9.800
PZM5.1NB2A,115 NXP USA Inc. PZM5.1NB2A, 115 - - -
RFQ
ECAD 3703 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM5.1 220 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 3 µa @ 1,5 V 5.1 v 60 Ohm
PZU10B3A115 NXP USA Inc. Pzu10b3a115 - - -
RFQ
ECAD 5800 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
MRF24301HSR5 NXP USA Inc. MRF24301HSR5 - - -
RFQ
ECAD 7882 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Chassis -berg NI-780s MRF24 2,4 GHz ~ 2,5 GHz Ldmos NI-780s - - - ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 300W 13,5 dB - - -
MRFG35003N6AT1 NXP USA Inc. MRFG35003N6AT1 20.5400
RFQ
ECAD 863 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 8 v Oberflächenhalterung PLD-1.5 MRFG35003 3,55 GHz Phemt Fet PLD-1.5 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 - - - 180 ma 450 MW 10 dB - - - 6 v
BZX84-C5V1,215 NXP USA Inc. BZX84-C5V1,215 - - -
RFQ
ECAD 9425 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Bzx84 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
PMBFJ176,215 NXP USA Inc. PMBFJ176,215 - - -
RFQ
ECAD 4158 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PMBFJ1 300 MW SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 P-Kanal 30 v 8PF @ 10V (VGS) 30 v 2 ma @ 15 v 1 V @ 10 na 250 Ohm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus