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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BZT52H-B5V1/DLT115 NXP USA Inc. BZT52H-B5V1/DLT115 1.0000
RFQ
 ECAD 7470 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZT52 Herunterladen 0000.00.0000 1
PHD108NQ03LT,118 NXP USA Inc. PhD108NQ03LT, 118 - - -
RFQ
 ECAD 9462 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 PhD10 MOSFET (Metalloxid) Dpak Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500 N-Kanal 25 v 75a (TC) 5v, 10V 6mohm @ 25a, 10V 2V @ 1ma 16,3 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1375 PF @ 12 V - - - 187W (TC)
MMRF1312GSR5 NXP USA Inc. MMRF1312GSR5 654.7590
RFQ
 ECAD 1104 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 112 v Oberflächenhalterung NI-1230-4S GW MMRF1312 1,03 GHz Ldmos NI-1230-4S Möwe Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 Dual - - - 100 ma 1000W 19.6db - - - 50 v
BZV90-C3V0115 NXP USA Inc. BZV90-C3V0115 1.0000
RFQ
 ECAD 3262 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa 1,5 w SOT-223 - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1.000 1 V @ 50 Ma 10 µa @ 1 V 3 v 95 Ohm
BCX56,135 NXP USA Inc. BCX56,135 0,0700
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa 1,25 w SOT-89 Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1 80 v 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 180 MHz
BUK9Y29-40E/CX NXP USA Inc. BUK9Y29-40E/CX - - -
RFQ
 ECAD 7745 0.00000000 NXP USA Inc. * Band & Rollen (TR) Veraltet BUK9 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1.500
PSMN130-200D,118 NXP USA Inc. PSMN130-200D, 118 - - -
RFQ
 ECAD 4010 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PSMN1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2.500
J111,126 NXP USA Inc. J111,126 - - -
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 ECAD 1823 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Klebeband (CT) Schneiden Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads J111 400 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 N-Kanal 40 v 6PF @ 10V (VGS) 40 v 20 mA @ 15 V 10 V @ 1 µA 30 Ohm
BF909AWR,115 NXP USA Inc. BF909AWR, 115 - - -
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 ECAD 3254 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 7 v Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BF909 800 MHz Mosfet Cmpak-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal Dual Gate 40 ma 15 Ma - - - - - - 2 dB 5 v
PDZ36B/ZL115 NXP USA Inc. PDZ36B/ZL115 0,0200
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 15.000
BZX84J-B6V8,115 NXP USA Inc. BZX84J-B6V8,115 0,0300
RFQ
 ECAD 224 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Bzx84 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
MHT1807T1 NXP USA Inc. MHT1807T1 0,3200
RFQ
 ECAD 114 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Nicht für Designs - - - Nicht Anwendbar Verkäfer undefiniert Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar 2832-MHT1807T1 Ear99 1
2PB709ARL,215 NXP USA Inc. 2pb709arl, 215 0,0200
RFQ
 ECAD 199 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv 2pb70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000
BZX84-C2V7/DG/B2215 NXP USA Inc. BZX84-C2V7/DG/B2215 1.0000
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 3.000
PZM27NB,115 NXP USA Inc. PZM27NB, 115 - - -
RFQ
 ECAD 5799 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM27 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 70 NA @ 21 V. 27 v 40 Ohm
BFG67/X,215 NXP USA Inc. BFG67/X, 215 - - -
RFQ
 ECAD 9908 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BFG67 380 MW SOT-143b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 - - - 10V 50 ma Npn 60 @ 15ma, 5V 8GHz 1,3 dB @ 1 GHz
PDTC143EMB315 NXP USA Inc. PDTC143EMB315 0,0300
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1
PSMN012-25YLC,115 NXP USA Inc. PSMN012-25YLC, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1882 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 PSMN0 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 25 v 33a (TC) 4,5 V, 10 V. 12,6 MOHM @ 10a, 10V 1,95 V @ 1ma 8.3 NC @ 10 V ± 20 V 528 PF @ 12 V - - - 26W (TC)
PHP52N06T,127 NXP USA Inc. PHP52N06T, 127 - - -
RFQ
 ECAD 1863 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Php52 MOSFET (Metalloxid) To-220ab - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 60 v 52a (TC) 10V 22mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma 36 NC @ 10 V ± 20 V 1592 PF @ 25 V. - - - 120W (TC)
BLF6G24-180PN,112 NXP USA Inc. BLF6G24-180PN, 112 - - -
RFQ
 ECAD 8647 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Rohr Veraltet Chassis -berg SOT539A BLF6 2 GHz ~ 2,2 GHz Ldmos SOT539A - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934063604112 Ear99 8541.29.0095 20 - - - 50W 17.5db - - -
ON5173,118 NXP USA Inc. ON5173,118 - - -
RFQ
 ECAD 1711 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab On51 - - - - - - D2pak - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934057198118 Ear99 8541.29.0095 800 - - - - - - - - - - - - - - -
PHU97NQ03LT,127 NXP USA Inc. PHU97NQ03LT, 127 - - -
RFQ
 ECAD 8021 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa Phu97 MOSFET (Metalloxid) I-Pak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 75 N-Kanal 25 v 75a (TC) 4,5 V, 10 V. 6.6mohm @ 25a, 10V 2,15 V @ 1ma 11.7 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1570 PF @ 12 V - - - 107W (TC)
PVR100AZ-B3V0,115 NXP USA Inc. PVR100AZ-B3V0,115 - - -
RFQ
 ECAD 2613 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-261-4, to-261aa PVR10 550 MW SC-73 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1.000 45 V 100 ma 100NA (ICBO) NPN + Zener - - - 160 @ 100 mA, 1V - - -
BUK7E5R2-100E,127-NXP NXP USA Inc. BUK7E5R2-100E, 127-NXP 1.0000
RFQ
 ECAD 7907 0.00000000 NXP USA Inc. Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 100 v 120a (TC) 10V 5.2mohm @ 25a, 10V 4v @ 1ma 180 nc @ 10 v ± 20 V 11810 PF @ 25 V. - - - 349W (TC)
BFU590QX NXP USA Inc. BFU590QX 1.1200
RFQ
 ECAD 866 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-243aa BFU590 2W SOT-89-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.000 6,5 dB 12V 200 ma Npn 60 @ 80 Ma, 8v 8GHz - - -
BZX384-C7V5,115 NXP USA Inc. BZX384-C7V5,115 0,0200
RFQ
 ECAD 5480 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZX384 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
PDTC124XE,115 NXP USA Inc. PDTC124XE, 115 - - -
RFQ
 ECAD 1097 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Oberflächenhalterung SC-75, SOT-416 PDTC124 150 MW SC-75 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5ma, 5V 22 Kohms 47 Kohms
BC807-25/6215 NXP USA Inc. BC807-25/6215 0,0200
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0075 15.000
MRF6P3300HR3 NXP USA Inc. MRF6P3300HR3 - - -
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Chassis -berg NI-860C3 MRF6 857MHz ~ 863MHz Ldmos NI-860C3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 - - - 1.6 a 270W 20.2db - - - 32 v
PDTA144TM,315 NXP USA Inc. PDTA144TM, 315 0,0300
RFQ
 ECAD 158 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PDTA14 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 10.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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