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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MRF7S35120HSR5 | - - - |  | 7823 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF7 | 3,1 GHz ~ 3,5 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 150 Ma | 120W | 12 dB | - - - | 32 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MPSA42,412 | - - - | | 2626 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | MPSA42 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 300 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 2MA, 20 mA | 40 @ 30 ma, 10V | 50 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP56H115 | - - - | | 5339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF8G22LS-310AVJ | - - - | | 8340 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | BLF8 | - - - | - - - | - - - | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067838118 | Ear99 | 8542.39.0001 | 100 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BT134-800,127 | - - - | | 9652 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | SOT-82 | SOT-82-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 9 | Einzel | 15 Ma | Standard | 800 V | 4 a | 1,5 v | 25a, 27a | 35 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFQ149,115 | - - - | | 4659 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | BFQ14 | 1W | SOT-89-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | - - - | 15 v | 100 ma | PNP | 20 @ 70 mA, 10V | 5GHz | 3,3 dB @ 500 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLT80,115 | - - - | | 5252 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BLT8 | 2W | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 10V | 250 Ma | Npn | 25 @ 150 mA, 5V | 900 MHz | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX884-C8V2,315 | - - - | | 1803 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX884 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1214,115 | - - - | | 7455 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 6 v | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF121 | 400 MHz | Mosfet | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 18 Ma | - - - | 31 dB | 0,9 dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA204W-600B, 135 | 0,2300 | | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SOT-223 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.303 | Einzel | 30 ma | Standard | 600 V | 1 a | 1,5 v | 10a, 11a | 50 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BT234-600D, 127 | 0,2300 | | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1,110 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PhD36N03LT, 118 | - - - | | 4863 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | PhD36 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 30 v | 43,4a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 25a, 10V | 2v @ 250 ähm | 18,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 690 PF @ 25 V. | - - - | 57,6W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B68,215 | - - - | | 4488 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZB84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S15100HR5 | - - - | | 2065 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 1,51 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 600 mA | 23W | 19.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pumb14,115 | 0,0300 | | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumb14 | 300 MW | SOT-363 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | - - - | 47kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU550XVL | 0,1553 | | 8873 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFU550 | 450 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067708235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 15.5db | 12V | 50 ma | Npn | 60 @ 15ma, 8v | 11GHz | 1,3 dB bei 1,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLS3135-20,114 | - - - | | 6192 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-422a | BLS3 | 80W | CDFM2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4 | 8db | 75 V | 2a | Npn | 40 @ 1,5a, 5V | 3,5 GHz | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NX7002BKM315 | 0,0200 | | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9180R5 | - - - | | 1884 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF91 | 880 MHz | Ldmos | Ni-1230 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - - - | 1.4 a | 170W | 17.5db | - - - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC124TK, 115 | - - - | | 5147 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC124 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC123EEF, 115 | - - - | | 6317 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC123 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S9101NBR1 | - - - | | 7547 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Chassis -berg | To-272bb | MRF5 | 960 MHz | Ldmos | To-272 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 700 Ma | 100W | 17.5db | - - - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S18140HSR5 | - - - | | 4471 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | Ni-880s | MRF6 | 1,88 GHz | Ldmos | Ni-880s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.2 a | 29W | 16 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS21AVD135 | 1.0000 | | 3821 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9Y43-60E/GFX | - - - | | 5034 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BUK9 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Z00607MA, 412 | - - - | | 8745 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 125 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | Z00607 | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 800 mA | 2 v | 9a, 10a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT09S200W02GNR3 | - - - | | 8295 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Chassis -berg | OM-780-2G | Achtern | 960 MHz | Ldmos | OM-780-2 Möwe | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935320369528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.4 a | 56W | 19.2db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124TE, 115 | - - - | | 6158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA124 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFX600HR5 | 156.0300 | | 5945 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 179 v | Chassis -berg | NI-780-4 | MRFX600 | 1,8 MHz ~ 400 MHz | Ldmos | NI-780-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | 10 µA | 100 ma | 600W | 26.4db | - - - | 65 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA115TK, 115 | - - - | | 2246 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA115 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 100 Kohms |
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