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Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFU520XRVL | 0,1208 |  | 7220 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BFU520 | 450 MW | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 17.5db | 12V | 30 ma | Npn | 60 @ 5ma, 8v | 10,5 GHz | 1 dB @ 1,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZT3904,115 | - - - | | 5492 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | PZT39 | 1,05 w | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 v | 200 ma | 50na (ICBO) | Npn | 200mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF1535NN1 | - - - | | 3368 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 40 v | Chassis -berg | To-272aa | MRF15 | 520 MHz | Ldmos | To-272-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 500 | 6a | 500 mA | 35W | 13,5 dB | - - - | 12,5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S18060NBR1 | - - - | | 1653 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Chassis -berg | To-272bb | MRF5 | 1,88 GHz | Mosfet | To-272 WB-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | N-Kanal | - - - | 60W | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX10A, 133 | 0,0200 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC640,112 | - - - | | 6821 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC64 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 145 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC337-16,126 | - - - | | 2298 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC33 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6V10250HSR5 | - - - | | 4818 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 100 v | Chassis -berg | NI-780s | MRF6 | 1,09 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 250 Ma | 250W | 21db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA2008W-600D, 135 | 0,1800 | | 15 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | SOT-223 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1.708 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 800 mA | 2 v | 9a, 9,9a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pc4081q, 115 | 0,0200 | | 9339 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | 2pc40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK7M21-40E, 115 | - - - | | 4797 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S19210HR3 | - - - | | 7430 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 1,99 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.4 a | 63W | 20db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK954R4-80E, 127 | - - - | | 3028 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK95 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 80 v | 120a (TC) | 5v, 10V | 4.2mohm @ 25a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 123 NC @ 5 V | ± 10 V | 17130 PF @ 25 V. | - - - | 349W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA113ZK, 115 | - - - | | 9603 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA113 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 35 @ 5ma, 5V | 1 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMEM4020PD, 115 | - - - | | 2889 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMEM4 | 600 MW | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 750 Ma | 100na | PNP + Diode (Isolier) | 530 mV @ 200 Ma, 2a | 300 @ 100 mA, 5V | 150 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF5S9101NR1 | - - - | | 1383 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270ab | MRF5 | 960 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 700 Ma | 100W | 17.5db | - - - | 26 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144VT215 | - - - | | 7005 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMBT2222A, 235 | - - - | | 2074 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PMBT2222 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BTA208S-800F, 118 | 1.0000 | | 3547 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Dpak | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 30 ma | Standard | 800 V | 8 a | 1,5 v | 65a, 71a | 25 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124TK, 115 | - - - | | 4615 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA124 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 22 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC114ES, 126 | - - - | | 2217 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTC114 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF7S16150HR3 | - - - | | 5187 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 1,6 GHz ~ 1,66 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1,5 a | 32W | 19.7db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFM912NT1 | 2.9754 | | 9766 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 30 v | Oberflächenhalterung | 16-VDFN Exposed Pad | 136 MHz ~ 941 MHz | Ldmos | 16-dfn (4x6) | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 568-AFM912NT1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - - - | 10 µA | - - - | 13.3db | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFV141KHSR5 | 605.1276 | | 7798 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 105 V | Chassis -berg | Ni-1230-4s | AFV141 | 1,4 GHz | Ldmos | Ni-1230-4s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935316277178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 1000W | 17.7db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS17W, 115 | - - - | | 4071 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFS17 | 300 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 50 ma | Npn | 25 @ 2MA, 1V | 1,6 GHz | 4,5 dB bei 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2pb710ar, 115 | - - - | | 6269 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pb71 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 12.000 | 50 v | 500 mA | 10NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 120 @ 150 mA, 10V | 120 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX284-B4V7,115 | - - - | | 1402 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-110 | Bzx284 | 400 MW | SOD-110 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 3 µa @ 2 V | 4,7 v | 80 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAT46WJ/DG/B2115 | - - - | | 7701 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT23S160W02SR3 | - - - | | 4697 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | AFT23 | 2,4 GHz | Ldmos | NI-780s | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | - - - | 1.1 a | 45W | 17.9db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1N4731a, 133 | 0,0300 | | 39 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C. | K. Loch | Do-204Al, Do-41, axial | 1 w | Do-41 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,2 V @ 200 Ma | 10 µa @ 1 V | 4.3 v | 9 Ohm |
2000+
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