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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2pd602ar, 115 | - - - |  | 9837 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2pd60 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 12.000 | 50 v | 500 mA | 10NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 30 mA, 300 mA | 120 @ 150 mA, 10V | 160 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84J-B33115 | 1.0000 | | 2364 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT23S170-13SR3 | - - - | | 3586 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | NI-780S-6 | AFT23 | 2,4 GHz | Ldmos | NI-780S-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.1 a | 45W | 18.8db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFR93A, 215 | - - - | | 8135 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFR93 | 300 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 12V | 35 Ma | Npn | 40 @ 30 Ma, 5V | 6GHz | 1,9 db ~ 3db @ 1GHz ~ 2GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MBC13900NN1 | - - - | | 4333 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | MBC13 | 188mw | SOT-343 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.21.0075 | 3.000 | 15 dB ~ 22 dB | 6,5 v | 20 ma | Npn | 100 @ 5ma, 2v | 15GHz | 0,8 db ~ 1,1 db bei 900 MHz ~ 1,9 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | J5A080GHNT0BG2084, | - - - | | 6062 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | J5A080 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC547C, 126 | - - - | | 9198 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC54 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU520WF | 0,4900 | | 3121 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFU520 | 450 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 13 dB | 12V | 30 ma | Npn | 60 @ 5ma, 8v | 10GHz | 1 dB @ 1,8 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK663R2-40C, 118 | - - - | | 7644 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BUK66 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMXB65UPE147 | 0,0500 | | 8 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCP56-10H, 115 | - - - | | 3757 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu6.8b, 115 | 0,0300 | | 14 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu6.8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN020-30MLCX | 0,1500 | | 6 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) | MOSFET (Metalloxid) | Lfpak33 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.052 | N-Kanal | 30 v | 31.8a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 18.1Mohm @ 5a, 10V | 1,95 V @ 1ma | 9,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 430 PF @ 15 V | - - - | 33W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK652R6-40C, 127 | - - - | | 2814 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK65 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2,7 MOHM @ 25a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 199 NC @ 10 V | ± 16 v | 11334 PF @ 25 V. | - - - | 263W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
| BC847BW, 135 | - - - | | 1472 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF7S15100HR5 | - - - | | 2065 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-957A | MRF7 | 1,51 GHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 600 mA | 23W | 19.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzm6,8nb1,115 | - - - | | 9604 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM6.8 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 2 µa @ 3,5 V | 6,8 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7Y28-75B, 115 | 0,4000 | | 2672 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 166 | N-Kanal | 75 V | 35,5a (TC) | 10V | 28mohm @ 15a, 10V | 4v @ 1ma | 21.2 NC @ 10 V | ± 20 V | 1417 PF @ 25 V. | - - - | 85W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6VP41KHR7 | - - - | | 2638 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | 110 v | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF6 | 450 MHz | Ldmos | Ni-1230 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 25 | Dual | - - - | 150 Ma | 1000W | 20db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MHT2025GNR1 | - - - | | 6389 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | MHT2025 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 935341633528 | Veraltet | 0000.00.0000 | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA113EK, 115 | - - - | | 7239 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA113 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 1,5 mA, 30 mA | 30 @ 40 mA, 5V | 1 Kohms | 1 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T21H450W19SR6 | - - - | | 5096 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-1230S-4S4S | A2T21 | 2,11 GHz ~ 2,2 GHz | Ldmos | NI-1230S-4S4S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935323762128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | 10 µA | 800 mA | 390W | 15.7db | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N4401,116 | - - - | | 2551 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | 2N44 | 630 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 40 v | 600 mA | 50na (ICBO) | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | NZX14A, 133 | 0,0200 | | 33 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 175 ° C. | K. Loch | Do-204AH, Do-35, axial | 500 MW | ALF2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,5 V @ 200 Ma | 50 NA @ 9.8 V. | 14 v | 35 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZB84-B68,215 | - - - | | 4488 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZB84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S21120HSR3 | - - - | | 1489 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF8 | 2,17 GHz | Ldmos | NI-780s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935314227128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 850 Ma | 28W | 17.6db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT18H357-24NR6 | - - - | | 8649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | OM-1230-4L2L | Achtern18 | 1,81 GHz | Ldmos | OM-1230-4L2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - - - | 800 mA | 63W | 17.5db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA124XS, 126 | - - - | | 2982 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTA124 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BUK9Y3R0-40E/GFX | - - - | | 9046 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | BUK9 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC143TK, 115 | - - - | | 9182 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC143 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 200 @ 1ma, 5V | 4.7 Kohms |
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