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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
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![]() | MRFE6S9046NR1 | - - - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Oberflächenhalterung | To-270ab | Mrfe6 | 960 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 300 ma | 35.5W | 19db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB110NQ08LT, 118 | - - - | ![]() | 1844 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | PHB11 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 75 V | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 127,3 NC @ 10 V | ± 20 V | 6631 PF @ 25 V. | - - - | 230W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC557C, 126 | - - - | ![]() | 8780 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu8.2b, 115 | 0,0300 | ![]() | 40 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu8.2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T21H141W24SR3 | - - - | ![]() | 3478 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | A2T21 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZV85-C15,133 | - - - | ![]() | 9859 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZV85 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC807-25/6235 | 0,0200 | ![]() | 370 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX884-C5V6,315 | 0,0200 | ![]() | 571 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SOD-882 | 250 MW | DFN1006-2 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 1 µa @ 2 V. | 5.6 v | 40 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK7524-55A, 127 | - - - | ![]() | 4840 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 47a (TC) | 10V | 24MOHM @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 1310 PF @ 25 V. | - - - | 106W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG10,215 | - - - | ![]() | 2413 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFG10 | 400 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 7db | 8v | 250 Ma | Npn | 25 @ 50 Ma, 5V | 1,9 GHz | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZB84-C43,215 | 0,0200 | ![]() | 8006 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZB84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA204W-600F, 135 | 0,2300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bta20 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC69PAS115 | 1.0000 | ![]() | 1354 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bas316/zlx | - - - | ![]() | 8288 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | Bas31 | Standard | SOD-323 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 100 v | 1,25 V @ 150 mA | 4 ns | 500 na @ 80 V | 150 ° C (max) | 215 Ma | 1pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK962R6-40E, 118 | 1.2200 | ![]() | 640 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 246 | N-Kanal | 40 v | 100a (TC) | 5v, 10V | 2,4 MOHM @ 25a, 10V | 2,1 V @ 250 ähm | 80.6 NC @ 32 V | ± 10 V | 10285 PF @ 25 V. | - - - | 263W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MRFE6S9130HR5 | - - - | ![]() | 4332 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Chassis -berg | SOT-957A | Mrfe6 | 880 MHz | Ldmos | NI-780H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 950 Ma | 27W | 19.2db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFU530XRVL | 0,1380 | ![]() | 6461 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BFU530 | 450 MW | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067712235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 16.5db | 12V | 40 ma | Npn | 60 @ 10ma, 8v | 11GHz | 1,1 dB @ 1,8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BLD6G21L-50,112 | 92.1400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-1130A | 2.02 GHz | Ldmos | CDFM4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | Dual Gemeinsame Quelle | 10.2a | 170 Ma | 8W | 14.5db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Php129nq04lt, 127 | - - - | ![]() | 5297 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Php12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 44,2 NC @ 5 V. | ± 15 V | 3965 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143ZE/DG/B3115 | - - - | ![]() | 2400 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT20P140-4WGNR3 | - - - | ![]() | 8705 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | OM-780G-4L | Achtern20 | 1,88 GHz ~ 1,91 GHz | Ldmos | OM-780G-4L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935320319528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 500 mA | 24W | 17.8db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC858B/DG/B4215 | 0,0200 | ![]() | 9864 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52H-B3V9,115 | - - - | ![]() | 7649 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZT52 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BFG520,215 | - - - | ![]() | 2668 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFG52 | 300 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA143TS, 126 | - - - | ![]() | 8990 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTA143 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 200 @ 1ma, 5V | 4.7 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHB153NQ08LT, 118 | - - - | ![]() | 3205 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | PHB15 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 75 V | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 5,5 MOHM @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 95 NC @ 5 V. | ± 15 V | 8770 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pdta143eef, 115 | - - - | ![]() | 4536 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTA143 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10ma, 5v | 4.7 Kohms | 4.7 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C24,215 | - - - | ![]() | 3693 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C39/LF1R | - - - | ![]() | 6205 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C39 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069467215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 27.3 v | 39 v | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AFT18S260W31GSR3 | - - - | ![]() | 9485 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780GS-2L2LA | Achtern18 | 1,88 GHz | Ldmos | NI-780GS-2L2LA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935312554128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1,8 a | 50W | 19.6db | - - - | 28 v |
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