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Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PMN45en, 165 | - - - |  | 9346 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PMN4 | MOSFET (Metalloxid) | SC-74 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 5.2a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 40mohm @ 3a, 10V | 2V @ 1ma | 6.1 NC @ 4.5 V. | 20V | 495 PF @ 25 V. | - - - | 1,75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MHT1008NT1 | - - - | | 9066 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 28 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5W | MHT1008 | 2,4 GHz ~ 2,5 GHz | Ldmos | PLD-1.5W | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 12.5W | 18.6db | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9045NR1 | - - - | | 3612 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | To-270aa | MRF90 | 945 MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935322765528 | 5a991g | 8541.21.0075 | 500 | - - - | 350 Ma | 45W | 19db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU725F, 115 | - - - | | 6308 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343F | BFU72 | 136 MW | 4-dfp | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 10 dB ~ 24 dB | 2,8 v | 40 ma | Npn | 300 @ 10ma, 2v | 70 GHz | 0,42 db ~ 1,1 db bei 1,5 GHz ~ 12 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BYV29X-600,127 | 0,4100 | | 941 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-220-2 Full Pack | Standard | To-220f | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0080 | 941 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 600 V | 1,26 V @ 8 a | 60 ns | 50 µa @ 600 V | 150 ° C (max) | 9a | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A2T18S160W31GSR3 | - - - | | 7894 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780GS-2L2LA | A2T18 | 1,88 GHz | Ldmos | NI-780GS-2L2LA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935312705128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1 a | 32W | 19.9db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFS17,235 | - - - | | 3944 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFS17 | 300 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 933082771235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | - - - | 15 v | 25ma | Npn | 25 @ 2MA, 1V | 1GHz | 4,5 dB bei 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S19100NR1 | - - - | | 7815 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270ab | MRF6 | 1,99 GHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 950 Ma | 22W | 14.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T21S160-12SR3 | 113.6220 | | 2983 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Chassis -berg | NI-780-2S2L | A2T21 | 2,17 GHz | Ldmos | NI-780-2S2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935323736128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 600 mA | 38W | 18.4db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS2515MB, 315 | 1.0000 | | 3685 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | 250 MW | DFN1006B-3 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 15 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 25mv @ 500 µA, 10 mA | 200 @ 10ma, 2v | 420 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG25AW/X, 115 | - - - | | 8926 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-343 Reverse Pinning | BFG25 | 500 MW | 4-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - - - | 5v | 6,5 Ma | Npn | 50 @ 500 µA, 1V | 5GHz | 1,9 dB ~ 2 dB @ 1 GHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1018NR1 | - - - | | 6451 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 120 v | Oberflächenhalterung | To-270-4 | MMRF1 | 860 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935320384528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 350 Ma | 18W | 22 dB | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144VM, 315 | 0,0300 | | 109 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTC14 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC857C/DG/B4235 | 0,0800 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BC857 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMV30UN, 215 | - - - | | 9868 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMV3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 5.7a (TC) | 1,8 V, 4,5 V. | 36mohm @ 2a, 4,5 V. | 700 mV @ 1ma (Typ) | 7,4 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 460 PF @ 20 V | - - - | 1,9W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| NZX6V8D, 133 | 0,0200 | | 98 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | NZX6 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX384-B75/ZLX | - - - | | 9396 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | BZX384 | 300 MW | SOD-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934068669115 | Veraltet | 0000.00.0000 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 700 mv | 75 V | 255 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144EE, 135 | - - - | | 8225 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTC144 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 47 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG520/XR, 235 | - - - | | 3066 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-143R | BFG52 | 300 MW | SOT-143R | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934018820235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | - - - | 15 v | 70 Ma | Npn | 60 @ 20 ma, 6v | 9GHz | 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-C18/LF1VL | - - - | | 6514 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-C18 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069446235 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 NA @ 12,6 V. | 18 v | 45 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTA123EE, 115 | - - - | | 4017 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA123 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124XK, 115 | - - - | | 4759 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA124 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 80 @ 5ma, 5V | 22 Kohms | 47 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS5250x146 | - - - | | 4467 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZv49-C7V5115 | - - - | | 7385 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pdta115te, 115 | - - - | | 9061 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA115 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 1ma, 5V | 100 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMV30XN, 215 | - - - | | 7398 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMV3 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 20 v | 3.2a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 35mohm @ 3,2a, 4,5 V. | 1,5 V @ 250 ähm | 7,4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 420 PF @ 15 V | - - - | 380 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZV55-C5V1,135 | 0,0200 | | 110 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv55 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC114ee, 115 | - - - | | 4949 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTC114 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 230 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK653R5-55C, 127 | - - - | | 9522 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK65 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 55 v | 120a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3,9 MOHM @ 25a, 10V | 2,8 V @ 1ma | 191 NC @ 10 V. | ± 16 v | 11516 PF @ 25 V. | - - - | 263W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu 5.6db2,115 | 0,0300 | | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Pzuxdb2 | Schüttgut | Aktiv | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C (TA) | 250 MW | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 Unabhängig | 900 mv @ 10 mA | 10 µa @ 2,5 V | 5.6 v |
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