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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pumb14,115 | 0,0300 |  | 84 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Pumb14 | 300 MW | SOT-363 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50V | 100 ma | 1 µA | 2 PNP - Voreeinnensmen (Dual) | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | - - - | 47kohm | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFU550XVL | 0,1553 | | 8873 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFU550 | 450 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067708235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 15.5db | 12V | 50 ma | Npn | 60 @ 15ma, 8v | 11GHz | 1,3 dB bei 1,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLS3135-20,114 | - - - | | 6192 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-422a | BLS3 | 80W | CDFM2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 4 | 8db | 75 V | 2a | Npn | 40 @ 1,5a, 5V | 3,5 GHz | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NX7002BKM315 | 0,0200 | | 42 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF9180R5 | - - - | | 1884 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-1230 | MRF91 | 880 MHz | Ldmos | Ni-1230 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 50 | - - - | 1.4 a | 170W | 17.5db | - - - | 26 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC124TK, 115 | - - - | | 5147 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC124 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC123EEF, 115 | - - - | | 6317 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC123 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 20 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 2.2 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF6S18140HSR5 | - - - | | 4471 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | Ni-880s | MRF6 | 1,88 GHz | Ldmos | Ni-880s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.2 a | 29W | 16 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAS21AVD135 | 1.0000 | | 3821 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Z00607MA, 412 | - - - | | 8745 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 125 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | Z00607 | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 600 V | 800 mA | 2 v | 9a, 10a | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT09S200W02GNR3 | - - - | | 8295 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 70 V | Chassis -berg | OM-780-2G | Achtern | 960 MHz | Ldmos | OM-780-2 Möwe | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935320369528 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1.4 a | 56W | 19.2db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA124TE, 115 | - - - | | 6158 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | PDTA124 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFX600HR5 | 156.0300 | | 5945 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 179 v | Chassis -berg | NI-780-4 | MRFX600 | 1,8 MHz ~ 400 MHz | Ldmos | NI-780-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | 10 µA | 100 ma | 600W | 26.4db | - - - | 65 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC337-16,126 | - - - | | 2298 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Klebeband (CT) Schneiden | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC33 | 625 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC114EK, 135 | - - - | | 4217 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC114 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RB751V40,115 | 0,0200 | | 5386 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | RB751 | Schottky | SOD-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 40 v | 370 mv @ 1 mA | 500 na @ 30 v | 150 ° C (max) | 120 Ma | 2PF @ 1V, 1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCV61,235 | - - - | | 4319 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 30V | Stromspiegel | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BCV61 | SOT-143b | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 100 ma | 2 NPN (Dual) Stromspiegel | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMCM650vnez | 1.0100 | | 461 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-XFBGA, WLCSP | MOSFET (Metalloxid) | 6-WLCSP (1,48x0,98) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.500 | N-Kanal | 12 v | 6.4a (ta) | 4,5 v | 25mo @ 3a, 4,5 V. | 900 MV @ 250 ähm | 15,4 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 1060 PF @ 6 V | - - - | 556 MW (TA), 12,5 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFS17W, 115 | - - - | | 4071 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFS17 | 300 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 50 ma | Npn | 25 @ 2MA, 1V | 1,6 GHz | 4,5 dB bei 500 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | OT406,135 | 0,1500 | | 7 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | OT40 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.30.0080 | 4.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PDTC115EEF, 115 | - - - | | 9960 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-89, SOT-490 | PDTC115 | 250 MW | SC-89 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 v | 20 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 250 ua, 5 mA | 80 @ 5ma, 5V | 100 Kohms | 100 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BAS21/DG/B3215 | 0,0200 | | 5934 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas21 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 7.548 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN3R2-25YLC, 115 | - - - | | 6069 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | PSMN3 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 25 v | 100a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3.4mohm @ 25a, 10V | 1,95 V @ 1ma | 30 NC @ 10 V | ± 20 V | 1781 PF @ 12 V | - - - | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT05MS003NT1 | - - - | | 6273 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 30 v | Oberflächenhalterung | To-243aa | Achtern | 520 MHz | Ldmos | SOT-89A | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | - - - | 100 ma | 3W | 20.8db | - - - | 7,5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bas21/mi, 215 | 0,0200 | | 467 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas21 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC144WU, 115 | 0,0200 | | 57 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | PDTC144 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 60 @ 5ma, 5V | 47 Kohms | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B7V5,215 | 0,0200 | | 39 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9E04-30B, 127 | - - - | | 6137 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | BUK9 | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 30 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 56 NC @ 5 V. | ± 15 V | 6526 PF @ 25 V. | - - - | 254W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A2T18S160W31GSR3 | - - - | | 7894 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780GS-2L2LA | A2T18 | 1,88 GHz | Ldmos | NI-780GS-2L2LA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935312705128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1 a | 32W | 19.9db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF421,112 | - - - | | 7067 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BF421 | 830 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 300 V | 50 ma | 10NA (ICBO) | PNP | 600mv @ 5ma, 30 mA | 50 @ 25ma, 20V | 60 MHz |
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