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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Geschwindigkeit FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Hold (ih) (max) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Triactyp Spannung - Staat Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) Strom - Gate Trigger (IGT) (max) RAUSCHFIGUR Diodenkonfiguration Spannung - DC Reverse (VR) (max) Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Reverse Recovery Time (TRR) Strom - reverse -lockage @ vr Biebstemperatur - übergang Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Ausfluss - rds (on) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1) Ausfluss - Emitterbasis (R2) RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
BUK9Y07-30B115 NXP USA Inc. BUK9Y07-30B115 - - -
RFQ
 ECAD 6231 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1
AFT18H357-24NR6 NXP USA Inc. AFT18H357-24NR6 - - -
RFQ
 ECAD 8649 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg OM-1230-4L2L Achtern18 1,81 GHz Ldmos OM-1230-4L2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 150 Dual - - - 800 mA 63W 17.5db - - - 28 v
A2T21H450W19SR6 NXP USA Inc. A2T21H450W19SR6 - - -
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 ECAD 5096 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg NI-1230S-4S4S A2T21 2,11 GHz ~ 2,2 GHz Ldmos NI-1230S-4S4S Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935323762128 Ear99 8541.29.0075 150 10 µA 800 mA 390W 15.7db - - - 30 v
PMDPB85UPE,115 NXP USA Inc. PMDPB85UPE, 115 - - -
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 ECAD 2016 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-UFDFN exponiert Pad PMDPB85 MOSFET (Metalloxid) 515 MW 6-Ehemann (2x2) Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1 2 p-kanal (dual) 20V 2.9a 103mohm @ 1,3a, 4,5 V. 950 MV @ 250 ähm 8.1nc @ 4.5v 514PF @ 10V Logikpegel -tor
PZU3.0BA115 NXP USA Inc. Pzu3.0ba115 - - -
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 ECAD 5938 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
J108,126 NXP USA Inc. J108,126 - - -
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 ECAD 3924 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads J108 400 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934003850126 Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 25 v 30pf @ 0v 25 v 80 mA @ 5 V 10 V @ 1 µA 8 Ohm
2N7002BKV,115 NXP USA Inc. 2N7002BKV, 115 - - -
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 ECAD 8792 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv 2N70 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000
PH5330E,115 NXP USA Inc. Ph5330e, 115 - - -
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 ECAD 3158 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 Ph53 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 30 v 80A (TC) 4,5 V, 10 V. 5.7mohm @ 15a, 10V 2,5 V @ 1ma 21 NC @ 5 V ± 20 V 2010 PF @ 10 V - - - 62,5W (TC)
PSMN7R0-30MLC115 NXP USA Inc. PSMN7R0-30MLC115 1.0000
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 ECAD 4369 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
BTA208-600D,127 NXP USA Inc. Bta208-600d, 127 0,4000
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 ECAD 333 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 125 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 To-220ab Herunterladen Ear99 8541.30.0080 760 Einzel 15 Ma Logik - Sensitive Gate 600 V 8 a 1,5 v 65a, 72a 5 Ma
PSMN2R6-30YLC,115 NXP USA Inc. PSMN2R6-30YLC, 115 - - -
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 ECAD 8994 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PSMN2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1.500
PBRN123ES,126 NXP USA Inc. Pbrn123es, 126 - - -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads Pbrn123 700 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 40 v 800 mA 500NA NPN - VORGEPANNT 1,15 V @ 8ma, 800 mA 280 @ 300 mA, 5V 2.2 Kohms 2.2 Kohms
MRF5S9070NR5 NXP USA Inc. MRF5S9070NR5 - - -
RFQ
 ECAD 7271 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Oberflächenhalterung To-270aa MRF5 880 MHz Ldmos To-270-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 600 mA 14W 17.8db - - - 26 v
BC54-10PA,115 NXP USA Inc. BC54-10PA, 115 0,0500
RFQ
 ECAD 47 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-Powerudfn 420 MW 3-Huson (2x2) Herunterladen Ear99 8541.29.0075 1 45 V 1 a 100NA (ICBO) Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150 mA, 2V 180 MHz
BAT54AW/6115 NXP USA Inc. BAT54AW/6115 0,0300
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 ECAD 81 0.00000000 NXP USA Inc. Automotive, AEC-Q101, BAT54W Schüttgut Aktiv Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 Bat54 Schottky SOT-323 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0070 3.000 Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 30 v 200 Ma (DC) 800 mV @ 100 mA 5 ns 2 µa @ 25 V. 150 ° C (max)
BF1218,115 NXP USA Inc. BF1218,115 - - -
RFQ
 ECAD 7037 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 6 v Oberflächenhalterung 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BF121 400 MHz Mosfet 6-tssop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 N-Kanal Dual Gate 30 ma 19 ma - - - 32db 0,9 dB 5 v
BZX84-C20/DG/B2215 NXP USA Inc. BZX84-C20/DG/B2215 0,0200
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 3.000
MRF7P20040HSR3 NXP USA Inc. MRF7P20040HSR3 - - -
RFQ
 ECAD 1382 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Oberflächenhalterung NI-780S-4L MRF7 2,03 GHz Ldmos NI-780S-4L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935310091128 Ear99 8541.29.0075 250 Dual - - - 150 Ma 10W 18.2db - - - 32 v
PEMH11,115 NXP USA Inc. PEMH11,115 - - -
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 ECAD 6906 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv PEMH1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 4.000
BCW72,215 NXP USA Inc. BCW72,215 - - -
RFQ
 ECAD 1959 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BCW72 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000
BFG520/X,235 NXP USA Inc. BFG520/X, 235 - - -
RFQ
 ECAD 2660 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BFG52 300 MW SOT-143b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934018810235 Ear99 8541.21.0075 10.000 - - - 15 v 70 Ma Npn 60 @ 20 ma, 6v 9GHz 1,1 dB ~ 2,1 dB @ 900 MHz
BUK9K45-100E115 NXP USA Inc. BUK9K45-100E115 - - -
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 ECAD 9021 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BUK9K45 Herunterladen Ear99 8541.29.0095 1
BZX84J-C10,115 NXP USA Inc. BZX84J-C10,115 - - -
RFQ
 ECAD 2351 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Bzx84 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
PZU24B,115 NXP USA Inc. Pzu24b, 115 - - -
RFQ
 ECAD 3193 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pzu24 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
SI9936DY,518 NXP USA Inc. Si9936dy, 518 - - -
RFQ
 ECAD 2904 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) SI9936 MOSFET (Metalloxid) 900 MW 8-so Herunterladen ROHS3 -KONFORM 2 (1 Jahr) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.500 2 n-kanal (dual) 30V 5a 50mohm @ 5a, 10V 1V @ 250 ähm 35nc @ 10v - - - Logikpegel -tor
PZU9.1B3 NXP USA Inc. Pzu9.1B3 - - -
RFQ
 ECAD 4131 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
BZB84-B36,215 NXP USA Inc. BZB84-B36,215 0,0300
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 6,028 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 25.2 V. 36 v 90 Ohm
BFG10/X,215 NXP USA Inc. BFG10/X, 215 - - -
RFQ
 ECAD 3630 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-253-4, to-253aa BFG10 400 MW SOT-143b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 3.000 7db 8v 250 Ma Npn 25 @ 50 Ma, 5V 1,9 GHz - - -
BF556A,235 NXP USA Inc. BF556a, 235 - - -
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 30 v Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 BF556 - - - Jfet SOT-23 (to-236ab) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934021470235 Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal 7ma - - - - - - - - -
PMF63UNE115 NXP USA Inc. PMF63Une115 - - -
RFQ
 ECAD 1327 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 3.000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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