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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BFU550WF | 0,6000 |  | 27 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFU550 | 450 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 12 dB | 12V | 50 ma | Npn | 60 @ 15ma, 8v | 11GHz | 1,3 dB bei 1,8 GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-B68,215 | 0,0200 | | 236 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A3G26H502W17SR3 | 155.9687 | | 2650 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 125 v | Chassis -berg | NI-780-4S2S | 2.496 GHz ~ 2,69 GHz | Gan | NI-780-4S2S | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 568-A3G26H502W17SR3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 N-Kanal | - - - | 370 Ma | 80W | 13.1db | - - - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSH114,215 | - - - | | 1264 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BSH1 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV27,215 | 0,0400 | | 160 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCV27 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu6.2b3115 | 0,0300 | | 52 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9616-55A, 118 | - - - | | 4093 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | BUK96 | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 55 v | 66a (TC) | 5v, 10V | 15mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | ± 10 V | 3085 PF @ 25 V. | - - - | 138W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9880-55A, 115 | - - - | | 8639 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-261-4, to-261aa | BUK98 | MOSFET (Metalloxid) | SC-73 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 55 v | 7a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 73mohm @ 8a, 10V | 2V @ 1ma | 11 NC @ 5 V | ± 15 V | 584 PF @ 25 V. | - - - | 8W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC550C, 112 | - - - | | 6829 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 600mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B8V2/LF1R | - - - | | 2246 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B8V2 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069414215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 15 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6S9205HR5 | - - - | | 4894 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Chassis -berg | SOT-957A | Mrfe6 | 880 MHz | Ldmos | NI-880H-2L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - - - | 1.4 a | 58W | 21.2db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC847CW/DG/B2115 | 0,0200 | | 121 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | Npn | 400mv @ 5 mA, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCV61,215 | - - - | | 8342 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCV61 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MAC97A8/DG, 412 | 0,1200 | | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 125 ° C (TJ) | K. Loch | To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) | To-92-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 2,404 | Einzel | 10 ma | Logik - Sensitive Gate | 400 V | 600 mA | 2 v | 8a, 8,8a | 5 Ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK9E08-55B, 127-NXP | 1.0000 | | 2235 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | I2pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 5v, 10V | 7mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 45 NC @ 5 V. | ± 15 V | 5280 PF @ 25 V. | - - - | 203W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCM847DS, 115 | - - - | | 8047 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCM84 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFS17W, 115 | - - - | | 4071 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BFS17 | 300 MW | SC-70 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 50 ma | Npn | 25 @ 2MA, 1V | 1,6 GHz | 4,5 dB bei 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCX54-16,135 | - - - | | 8759 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BCX54 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BFG505,215 | - - - | | 5504 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BFG50 | 150 MW | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | - - - | 15 v | 18 Ma | Npn | 60 @ 5ma, 6v | 9GHz | 1,2 dB ~ 2,1 dB bei 900 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMBT5401,235 | - - - | | 8334 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMBT5 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 150 v | 300 ma | 50na (ICBO) | PNP | 500mv @ 5ma, 50 mA | 60 @ 10ma, 5V | 300 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PZM9.1NB2A, 115 | - - - | | 3045 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM9.1 | 220 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2N7002BK, 215 | - - - | | 4606 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 350 Ma (TA) | 10V | 1,6OHM @ 500 mA, 10 V. | 2,1 V @ 250 ähm | 0,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 370 MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bta425x-800b127 | - - - | | 5978 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC848B/DG/B3215 | 0,0200 | | 120 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3T18H455W23SR6 | 98.0184 | | 7499 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Chassis -berg | ACP-1230S-4L2S | A3T18 | 1,805 GHz ~ 1,88 GHz | Ldmos | ACP-1230S-4L2S | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935354975128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Dual | 10 µA | 600 mA | 192W | 16.7db | - - - | 30 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ph2369,126 | - - - | | 8562 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | Ph23 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 15 v | 200 ma | 400NA (ICBO) | Npn | 250 mV @ 1ma, 10 mA | 40 @ 10 Ma, 1V | 500 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MD7P19130HR3 | - - - | | 6039 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780-4 | MD7P1 | 1,99 GHz | Ldmos | NI-780-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 1,25 a | 40W | 20db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AFM906NN1 | 2.9400 | | 81 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 30 v | Oberflächenhalterung | 16-VDFN Exposed Pad | AFM906 | 136 MHz ~ 941 MHz | Ldmos | 16-dfn (4x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 1.000 | 2 µA | 100 ma | 6.8W | - - - | - - - | 10.8 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BC557B, 126 | - - - | | 6122 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | BC55 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 2.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC51-16PAS115 | - - - | | 6630 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 |
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