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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Max | Strom - Hold (ih) (max) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Triactyp | Spannung - Staat | Strom - Auf Status (It (RMS)) (max) | Spannung - Gate Trigger (VGT) (max) | Strom - nicht -rep. Surge 50, 60 Hz (ITSM) | Strom - Gate Trigger (IGT) (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Diodentyp | Spannung - Peak Reverse (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Ausfluss @ if, f | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
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![]() | Bta206-800et, 127 | 0,2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | To-220ab | Herunterladen | Ear99 | 8541.30.0080 | 962 | Einzel | 15 Ma | Logik - Sensitive Gate | 800 V | 6 a | 1,5 v | 60a, 66a | 10 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD123YK, 115 | - - - | ![]() | 4011 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTD123 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 v | 500 mA | 500NA | NPN - VORGEPANNT | 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA | 70 @ 50 Ma, 5V | 2.2 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2005EGW, 115 | - - - | ![]() | 4874 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAP142LX, 315 | - - - | ![]() | 3591 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | SOD-882 | Bap14 | SOD2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 10.000 | 100 ma | 130 MW | 0,26PF @ 20V, 1 MHz | Pin - Single | 50V | 1,3OHM @ 100 mA, 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | On5234,118 | - - - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | On5234 | - - - | - - - | D2pak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX79-B39,133 | 0,0200 | ![]() | 22 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUK956R1-100E, 127 | - - - | ![]() | 3617 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | BUK95 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 120a (TC) | 5v, 10V | 5.9mohm @ 25a, 10V | 2,1 V @ 1ma | 133 NC @ 5 V | ± 10 V | 17460 PF @ 25 V. | - - - | 349W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV25D-600,118 | 0,3000 | ![]() | 76 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Byv25 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8P20160HR3 | - - - | ![]() | 3579 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780-4 | MRF8 | 1,92 GHz | Ldmos | NI-780-4 | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935317195128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | Dual | - - - | 550 Ma | 37W | 16.5db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BF908,215 | - - - | ![]() | 4741 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 12 v | Oberflächenhalterung | To-253-4, to-253aa | BF908 | 200 MHz | Mosfet | SOT-143b | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 40 ma | 15 Ma | - - - | - - - | 0,6 dB | 8 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCW60C215 | - - - | ![]() | 5382 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHX34NQ11T, 127 | - - - | ![]() | 3140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte | PHX34 | MOSFET (Metalloxid) | To-220f | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 110 v | 24,8a (TC) | 10V | 40mohm @ 17a, 10V | 4v @ 1ma | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 1700 PF @ 25 V. | - - - | 56,8W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTD143EQA147 | 0,0300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMRF1308HR5 | 241.6868 | ![]() | 2145 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 133 v | Chassis -berg | SOT-979A | MMRF1308 | 230 MHz | Ldmos | NI-1230-4H | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 600W | 25 dB | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84-C10/DG/B3215 | 0,0300 | ![]() | 60 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAS16/CH235 | 1.0000 | ![]() | 2456 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bas16 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF6VP3450HSR5 | - - - | ![]() | 5195 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 110 v | Chassis -berg | Ni-1230s | MRF6 | 860 MHz | Ldmos | Ni-1230s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935314024178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 1.4 a | 90W | 22.5db | - - - | 50 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC15-600PQ127 | - - - | ![]() | 6222 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 571 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG2010AEK, 115 | - - - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PMEG2 | Schottky | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | SCHNELLE WEDERHERSTELLUNG = <500NS,> 200 Ma (IO) | 20 v | 450 mV @ 1 a | 200 µa @ 20 V | 150 ° C (max) | 1a | 70pf @ 5v, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2T18S162W31GSR3 | - - - | ![]() | 7611 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780GS-2L2LA | A2T18 | 1,84 GHz | Ldmos | NI-780GS-2L2LA | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935322254128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 1 a | 32W | 20.1db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C8V2135 | 1.0000 | ![]() | 8949 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 700 NA @ 5 V. | 8.2 v | 10 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHPT61002NYC115 | 0,1300 | ![]() | 427 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0075 | 2.379 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTA114TT, 215 | - - - | ![]() | 6368 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | PDTA11 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8VP13350NR5 | 160.8106 | ![]() | 3415 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 100 v | Oberflächenhalterung | OM-780G-4L | MRF8VP13350 | 700 MHz ~ 1,3 GHz | Ldmos | OM-780G-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935316089578 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | 10 µA | 100 ma | 350W | 19.2db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PDTB143XT215 | - - - | ![]() | 4734 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV34G-600127 | 0,6000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Byv34 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 407 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Pzu15ba115 | - - - | ![]() | 9657 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-76, SOD-323 | 320 MW | SOD-323 | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 50 na @ 11 v | 15 v | 15 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMEG45T15EPD139 | 0,3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-C3V6,115 | 1.0000 | ![]() | 4201 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | SC-79, SOD-523 | BZX585-C3V6 | 300 MW | SOD-523 | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MRF8S18260HSR6 | - - - | ![]() | 6240 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-1110B | MRF8 | 1,81 GHz | Ldmos | NI1230S-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935319642128 | 5a991g | 8541.29.0075 | 150 | Dual | - - - | 1.6 a | 74W | 17.9db | - - - | 30 v |
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