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Diskette HalblerProdukte (6133)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Toleranz Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Frequenz Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Strom - Test Leistung - Ausgabe Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if Strom - reverse -lockage @ vr Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) Spannung - Zener (NOM) (VZ) Impedanz (max) (ZZT) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Ausflussbasis (R1)
AFT20P060-4GNR3 NXP USA Inc. AFT20P060-4GNR3 - - -
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 ECAD 9604 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Oberflächenhalterung OM-780G-4L Achtern20 2,17 GHz Ldmos OM-780G-4L - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 935322069528 5a991g 8541.29.0040 250 Dual - - - 450 Ma 6.3W 18.9db - - - 28 v
BZX84-C5V6/DG/B3235 NXP USA Inc. BZX84-C5V6/DG/B3235 0,0200
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.10.0050 10.000
PMMT491A,235 NXP USA Inc. Pmmt491a, 235 0,0400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pmmt4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 10.000
PH9930L,115 NXP USA Inc. Ph9930l, 115 - - -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 NXP USA Inc. Trenchmos ™ Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-100, SOT-669 Ph99 MOSFET (Metalloxid) LFPAK56, Power-SO8 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.500 N-Kanal 30 v 63a (TC) 4,5 V, 10 V. 9,9 Mohm @ 25a, 10V 2,15 V @ 1ma 13,3 NC @ 4,5 V. ± 20 V 1565 PF @ 12 V - - - 62,5W (TC)
BF904WR,135 NXP USA Inc. BF904WR, 135 - - -
RFQ
 ECAD 5229 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 7 v Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BF904 200 MHz Mosfet Cmpak-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 934031480135 Ear99 8541.21.0095 10.000 N-Kanal Dual Gate 30 ma 10 ma - - - - - - 1 dB 5 v
AFT18HW355SR6 NXP USA Inc. AFT18HW355SR6 - - -
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 ECAD 7340 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg Ni-1230s Achtern18 1,88 GHz Ldmos Ni-1230s Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 935320115128 5a991g 8541.29.0040 150 Dual - - - 1.1 a 63W 15.2db - - - 28 v
BF1217WR,115 NXP USA Inc. BF1217WR, 115 - - -
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 ECAD 5086 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 6 v Oberflächenhalterung SC-82A, SOT-343 BF121 400 MHz Mosfet Cmpak-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 3.000 N-Kanal Dual Gate 30 ma 18 Ma - - - 30 dB 1 dB 5 v
MRF6S24140HS NXP USA Inc. MRF6S24140HS - - -
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 ECAD 1678 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Veraltet 68 v Oberflächenhalterung Ni-880s MRF6 2,39 GHz Ldmos Ni-880s Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0075 1 - - - 1.3 a 28W 15.2db - - - 28 v
MRF5P21240HR6 NXP USA Inc. MRF5P21240HR6 - - -
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 ECAD 5411 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Ni-1230 MRF5 2,11 GHz ~ 2,17 GHz Ldmos Ni-1230 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 5a991g 8541.29.0075 150 - - - 2.2 a 52W 13 dB - - - 28 v
BZV49-C6V2,115 NXP USA Inc. BZv49-C6V2,115 0,1800
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 ECAD 4 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZv49 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.000
BZV90-C10115 NXP USA Inc. BZV90-C10115 1.0000
RFQ
 ECAD 6616 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen 0000.00.0000 1
PZU13B1,115 NXP USA Inc. Pzu13b1,115 - - -
RFQ
 ECAD 5760 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Pzu13 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000
BZV49-C30,115 NXP USA Inc. BZv49-C30,115 0,1800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZv49 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 1.000
A3V07H600-42NR6 NXP USA Inc. A3V07H600-42NR6 110.9400
RFQ
 ECAD 8077 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 105 V OM-1230-6L 616 MHz ~ 870 MHz Ldmos OM-1230-6L Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 150 Verdreifachen 10 µA 900 Ma 112W 16.9db - - - 48 v
BZB784-C4V7115 NXP USA Inc. BZB784-C4V7115 1.0000
RFQ
 ECAD 9301 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1
MRF5S9070NR1 NXP USA Inc. MRF5S9070NR1 - - -
RFQ
 ECAD 3445 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Oberflächenhalterung To-270aa MRF5 880 MHz Ldmos To-270-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 500 - - - 600 mA 14W 17.8db - - - 26 v
PZM3.6NB1,115 NXP USA Inc. Pzm3,6nb1,115 - - -
RFQ
 ECAD 9212 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C. Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 PZM3.6 300 MW SMT3; Mpak - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 3.000 1,1 V @ 100 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
BZX79-B36,113 NXP USA Inc. BZX79-B36,113 0,0200
RFQ
 ECAD 162 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 2% -65 ° C ~ 200 ° C. K. Loch Do-204AH, Do-35, axial 400 MW ALF2 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 1 900 mv @ 10 mA 50 NA @ 25.2 V. 36 v 90 Ohm
MRF5S19090HR3 NXP USA Inc. MRF5S19090HR3 - - -
RFQ
 ECAD 5701 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Ni-780 MRF5 1,93 GHz ~ 1,99 GHz Ldmos Ni-780 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 - - - 850 Ma 18W 14.5db - - - 28 v
BC817-16W,115 NXP USA Inc. BC817-16W, 115 0,0200
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 ECAD 51 0.00000000 NXP USA Inc. Automobil, AEC-Q101 Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SC-70, SOT-323 BC817 200 MW SOT-323 Herunterladen Ear99 8541.21.0075 1 45 V 500 mA 100NA (ICBO) Npn 700 mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 100 mA, 1V 100 MHz
AFT31150NR5 NXP USA Inc. AFT31150NR5 193.8900
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 65 V Oberflächenhalterung OM-780-2 AFT31150 2,7 GHz ~ 3,1 GHz Ldmos OM-780-2 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 10 µA 100 ma 150W 17.2db - - - 32 v
OT418115 NXP USA Inc. OT418115 0,1400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.30.0080 1.000
PDTC144TS,126 NXP USA Inc. PDTC144TS, 126 - - -
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 ECAD 8210 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Box (TB) Veraltet K. Loch Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads PDTC144 500 MW To-92-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 2.000 50 v 100 ma 1 µA NPN - VORGEPANNT 150 mV @ 500 µA, 10 mA 100 @ 1ma, 5V 47 Kohms
PMDPB56XN,115 NXP USA Inc. PMDPB56XN, 115 - - -
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 ECAD 4420 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 6-udfn exponiert pad PMDPB56 MOSFET (Metalloxid) 510 MW 6-Ehemann (2x2) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 3.000 2 n-kanal (dual) 30V 3.1a 73mohm @ 3,1a, 4,5 V. 1,5 V @ 250 ähm 2,9nc @ 4,5 V 170pf @ 15V Logikpegel -tor
MRF6S21140HR3 NXP USA Inc. MRF6S21140HR3 - - -
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 ECAD 2630 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 68 v Chassis -berg SOT-957A MRF6 2,12 GHz Ldmos NI-880H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 - - - 1.2 a 30W 15.5db - - - 28 v
BZB84-C3V6,215 NXP USA Inc. BZB84-C3V6,215 0,0200
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 ECAD 5682 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Schüttgut Aktiv ± 5% - - - Oberflächenhalterung To-236-3, sc-59, SOT-23-3 300 MW SOT-23 Herunterladen Ear99 8541.10.0050 3.278 1 Paar -Gemeinsamer -Anode 900 mv @ 10 mA 5 µa @ 1 V 3.6 V 90 Ohm
MRF7S38075HR3 NXP USA Inc. MRF7S38075HR3 - - -
RFQ
 ECAD 3953 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 65 V Chassis -berg SOT-957A MRF7 3,4 GHz ~ 3,6 GHz Ldmos NI-780H-2L Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 250 - - - 900 Ma 12W 14db - - - 30 v
BZV55-B12,135 NXP USA Inc. BZV55-B12,135 - - -
RFQ
 ECAD 2397 0.00000000 NXP USA Inc. * Schüttgut Aktiv BZv55 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.10.0050 10.000
MRF1K50HR5 NXP USA Inc. MRF1K50HR5 190.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 50 v Chassis -berg SOT-979A MRF1K50 1,8 MHz ~ 500 MHz Ldmos NI-1230-4H Herunterladen Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 50 - - - 1500W 22.5db - - -
PSMN013-30LL,115 NXP USA Inc. PSMN013-30LL, 115 - - -
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 ECAD 4757 0.00000000 NXP USA Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 8-VDFN Exposed Pad PSMN0 MOSFET (Metalloxid) 8-dfn3333 (3,3x3,3) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1.400 N-Kanal 30 v 21a (TC) 4,5 V, 10 V. 13mohm @ 5a, 10V 2,15 V @ 1ma 12.2 NC @ 10 V. ± 20 V 768 PF @ 15 V - - - 41W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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