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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Strom - reverse -lockage @ vr | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AFT09MS031NR1 | 13.8100 |  | 61 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 40 v | Oberflächenhalterung | To-270aa | Achtern | 870 MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | - - - | 500 mA | 31W | 17.2db | - - - | 13,6 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTA143ZK, 115 | - - - | | 3248 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTA143 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 9.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | PNP - VoreInensmen | 100 mv @ 250 ua, 5 mA | 100 @ 10ma, 5V | 4.7 Kohms | 47 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1308HSR5 | - - - | | 3782 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 133 v | Chassis -berg | Ni-1230-4s | MMRF1 | 230 MHz | Ldmos | Ni-1230-4s | - - - | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935324811178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 600W | 25 dB | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | AFT05MS004-200M | 240.5600 | | 9164 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 568-linde05ms004-200m | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PVR100AD-B5V0,115 | - - - | | 5806 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-74, SOT-457 | PVR10 | 300 MW | SC-74 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 100NA (ICBO) | NPN + Zener | - - - | 160 @ 100 mA, 1V | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu 10b1,115 | - - - | | 3609 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu10 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2pc4081s/zlx | - - - | | 4835 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 2pc40 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2pa1774q, 115 | - - - | | 8531 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | 2pa17 | 150 MW | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 200mv @ 5ma, 50 mA | 120 @ 1ma, 6v | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF1205C, 115 | - - - | | 7411 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 6 v | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BF120 | 400 MHz | Mosfet | 6-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 19 ma | - - - | 30 dB | 1,3 dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MMRF1310HSR5 | 95.4608 | | 4906 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 133 v | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | MMRF1310 | 230 MHz | Ldmos | NI-780S-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 9353203311178 | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 300W | 26.5db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V6,235 | 0,0200 | | 70 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRF8S21140HSR3 | - - - | | 5670 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | NI-780s | MRF8 | 2.14 GHz | Ldmos | NI-780s | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 935310254128 | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - - - | 970 Ma | 34W | 17.9db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK7Y9R9-80EX | 1.0000 | | 7555 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 80 v | 89a (TC) | 10V | 98mohm @ 5a, 10V | 4v @ 1ma | 51.6 NC @ 10 V. | ± 20 V | 498 PF @ 25 V. | - - - | 195W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| AFT20P060-4GNR3 | - - - | | 9604 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | OM-780G-4L | Achtern20 | 2,17 GHz | Ldmos | OM-780G-4L | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 935322069528 | 5a991g | 8541.29.0040 | 250 | Dual | - - - | 450 Ma | 6.3W | 18.9db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C5V6/DG/B3235 | 0,0200 | | 174 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmmt491a, 235 | 0,0400 | | 10 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pmmt4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Ph9930l, 115 | - - - | | 6535 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-100, SOT-669 | Ph99 | MOSFET (Metalloxid) | LFPAK56, Power-SO8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-Kanal | 30 v | 63a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9,9 Mohm @ 25a, 10V | 2,15 V @ 1ma | 13,3 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1565 PF @ 12 V | - - - | 62,5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||
 | BF904WR, 135 | - - - | | 5229 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 7 v | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BF904 | 200 MHz | Mosfet | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934031480135 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 10 ma | - - - | - - - | 1 dB | 5 v | ||||||||||||||||||||||||||||
| AFT18HW355SR6 | - - - | | 7340 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | Ni-1230s | Achtern18 | 1,88 GHz | Ldmos | Ni-1230s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | 935320115128 | 5a991g | 8541.29.0040 | 150 | Dual | - - - | 1.1 a | 63W | 15.2db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||
| BF1217WR, 115 | - - - | | 5086 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 6 v | Oberflächenhalterung | SC-82A, SOT-343 | BF121 | 400 MHz | Mosfet | Cmpak-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal Dual Gate | 30 ma | 18 Ma | - - - | 30 dB | 1 dB | 5 v | |||||||||||||||||||||||||||||
| MRF6S24140HS | - - - | | 1678 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | Ni-880s | MRF6 | 2,39 GHz | Ldmos | Ni-880s | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | - - - | 1.3 a | 28W | 15.2db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5P21240HR6 | - - - | | 5411 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 65 V | Ni-1230 | MRF5 | 2,11 GHz ~ 2,17 GHz | Ldmos | Ni-1230 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0075 | 150 | - - - | 2.2 a | 52W | 13 dB | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BZv49-C6V2,115 | 0,1800 | | 4 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv49 | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZV90-C10115 | 1.0000 | | 6616 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu13b1,115 | - - - | | 5760 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pzu13 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZv49-C30,115 | 0,1800 | | 28 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZv49 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3V07H600-42NR6 | 110.9400 | | 8077 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 105 V | OM-1230-6L | 616 MHz ~ 870 MHz | Ldmos | OM-1230-6L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 150 | Verdreifachen | 10 µA | 900 Ma | 112W | 16.9db | - - - | 48 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZB784-C4V7115 | 1.0000 | | 9301 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRF5S9070NR1 | - - - | | 3445 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 68 v | Oberflächenhalterung | To-270aa | MRF5 | 880 MHz | Ldmos | To-270-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 600 mA | 14W | 17.8db | - - - | 26 v | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzm3,6nb1,115 | - - - | | 9212 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PZM3.6 | 300 MW | SMT3; Mpak | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1,1 V @ 100 mA | 5 µa @ 1 V | 3.6 V | 90 Ohm |
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