- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Diskette HalblerProdukte (6133)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Toleranz | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Frequenz | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Geschwindigkeit | FET -Typ | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | Strom - Test | Leistung - Ausgabe | Gewinnen | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | RAUSCHFIGUR | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Test | Strom - Sammler Cutoff (max) | Spannung - Zener (NOM) (VZ) | Impedanz (max) (ZZT) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) | RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Pumt1,115 | 0,0300 |  | 270 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Pumt1 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBSS4021sp | - - - | | 5446 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | A3I25D080NR1 | 29.5050 | | 6184 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 65 V | Oberflächenhalterung | Bis 270-17 Variante, Flache Leitungen | 2,3 GHz ~ 2,69 GHz | Ldmos | To-270wb-17 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.33.0001 | 500 | Dual | 10 µA | 175 Ma | 8.3W | 29.2db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP5600HR5 | 130.9800 | | 1 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 130 v | Chassis -berg | SOT-979A | Mrfe6 | 230 MHz | Ldmos | NI-1230-4H | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 100 ma | 600W | 25 dB | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PMV280Enea215 | - - - | | 5196 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pmzb420un, 315 | 0,0900 | | 116 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-101, SOT-883 | MOSFET (Metalloxid) | DFN1006B-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Kanal | 30 v | 900 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 490MOHM @ 200 Ma, 4,5 V. | 950 MV @ 250 ähm | 0,98 NC @ 4,5 V. | ± 8 v | 65 PF @ 25 V. | - - - | 360 MW (TA), 2,7W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ACT108-800E116 | 0,1800 | | 20 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.30.0080 | 2.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC114EK, 115 | - - - | | 9720 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | PDTC114 | 250 MW | SMT3; Mpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 15.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 10 Kohms | 10 Kohms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A5G35S004NT6 | 11.5830 | | 8258 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 125 v | Oberflächenhalterung | 6-ldfn exponiert Pad | 3,3 GHz ~ 4,3 GHz | - - - | 6-PDFN (4x4,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 5.000 | - - - | - - - | 12 Ma | 24,5 dbm | 16.9db | - - - | 48 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX84-C3V3,235 | 0,0200 | | 140 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Bzx84 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BCX55,135 | - - - | | 6148 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-243aa | SOT-89 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 2V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BC56-16PASX | - - - | | 5230 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 3-udfn exponiert pad | 420 MW | DFN2020D-3 | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 80 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500 mv @ 50 mA, 500 mA | 63 @ 150 mA, 2V | 180 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN017-30LL, 115 | - - - | | 5977 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | PSMN0 | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn3333 (3,3x3,3) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.400 | N-Kanal | 30 v | 15a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 17mohm @ 5a, 10V | 2,15 V @ 1ma | 10 nc @ 10 v | ± 20 V | 526 PF @ 15 V | - - - | 37W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| BZX84-B39/LF1R | - - - | | 8658 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BZX84-B39 | 250 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934069401215 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 mv @ 10 mA | 50 na @ 27.3 v | 39 v | 130 Ohm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PSMN005-25d, 118 | - - - | | 9756 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | PSMN0 | MOSFET (Metalloxid) | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 25 v | 75a (TC) | 5v, 10V | 5.8mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1ma | 60 NC @ 5 V | ± 15 V | 3500 PF @ 20 V | - - - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PDTC124TS, 126 | - - - | | 8597 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | K. Loch | Bis-226-3, Bis 92-3 (to-226aa), Leads | PDTC124 | 500 MW | To-92-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | 50 v | 100 ma | 1 µA | NPN - VORGEPANNT | 150 mV @ 500 µA, 10 mA | 100 @ 1ma, 5V | 22 Kohms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFE6VP5150NR1 | 37.5700 | | 1508 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 133 v | Oberflächenhalterung | To-270ab | Mrfe6 | 230 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 5a991g | 8541.29.0040 | 500 | Dual | - - - | 100 ma | 150W | 26.1db | - - - | 50 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BZX79-C8V2,113 | 0,0200 | | 200 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | BZX79 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0050 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Bat54t, 115 | - - - | | 7785 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | SC-75, SOT-416 | Bat54 | Schottky | SC-75 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Kleine Signal = <200 Ma (IO), Jede Geschwindigkeit | 30 v | 800 mV @ 100 mA | 5 ns | 2 µa @ 25 V. | 150 ° C (max) | 200 ma | 10pf @ 1V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Pzu4.7ba115 | 0,0200 | | 7141 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRFE6S9125NR1 | - - - | | 1518 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 66 v | Oberflächenhalterung | To-270ab | Mrfe6 | 880 MHz | Ldmos | To-270 WB-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | - - - | 950 Ma | 27W | 20.2db | - - - | 28 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5240X115 | 0,0500 | | 56 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PBLS2001S, 115 | - - - | | 5228 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | PBLS20 | 1,5W | 8-so | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 50V, 20V | 100 Ma, 3a | 1 µA, 100NA | 1 NPN Voreingensmen, 1 PNP | 150 mV @ 500 µA, 10 mA / 355 mV @ 300 mA, 3a | 30 @ 20 mA, 5 V / 150 @ 2a, 2 V. | 100 MHz | 2.2ko | 2.2ko | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MRFG35002N6T1 | - - - | | 5125 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 8 v | Oberflächenhalterung | PLD-1.5 | MRFG35 | 3,55 GHz | Phemt Fet | PLD-1.5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 1.000 | - - - | 65 Ma | 1,5W | 10 dB | - - - | 6 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | On5230, 127 | - - - | | 1991 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | On52 | - - - | - - - | I2pak | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934058067127 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MD7P19130HSR5 | - - - | | 2574 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 65 V | Oberflächenhalterung | NI-780S-4L | MD7P1 | 1,99 GHz | Ldmos | NI-780S-4L | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | Dual | - - - | 1,25 a | 40W | 20db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BUK761R6-40E, 118 | - - - | | 6331 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | Automobile, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | D2pak | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 64 | N-Kanal | 40 v | 120a (TC) | 10V | 1,6 MOHM @ 25a, 10V | 4v @ 1ma | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 11340 PF @ 25 V. | - - - | 349W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BFU530AVL | 0,1380 | | 4280 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BFU530 | 450 MW | SOT-23 (to-236ab) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 934067698235 | Ear99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 12 dB | 12V | 40 ma | Npn | 60 @ 10ma, 8v | 11GHz | 1,1 dB @ 1,8GHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BLF6G10LS-135R, 112 | 87.9100 | | 24 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 65 V | Chassis -berg | SOT-502B | 871,5 MHz ~ 891,5 MHz | Ldmos | SOT502B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 32a | 950 Ma | 26.5W | 21db | - - - | 28 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Pzu9.1B2A115 | - - - | | 6177 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | 0000.00.0000 | 1 |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)