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Diskette HalblerProdukte (6133)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Toleranz	Spannung - Bewort	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Frequenz	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Aktuelle Bewertung (Verstärker)	Strom - Test	Leistung - Ausgabe	Gewinnen	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	RAUSCHFIGUR	Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if	Strom - reverse -lockage @ vr	Spannung - Test	Spannung - Zener (NOM) (VZ)	Impedanz (max) (ZZT)
1N4747a, 133	0,0400	RFQ	12	NXP USA Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv	± 5%		-65 ° C ~ 200 ° C.	K. Loch	Do-204Al, Do-41, axial				1 w	Do-41	Herunterladen					Ear99	8541.10.0050	7.969																		1,2 V @ 200 Ma	5 µA @ 15,2 V		20 v	22 Ohm
BZX884-C10/S500315	0,0200	RFQ	839	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0050	10.000
PHPT61006NY115	- - -	RFQ	1416	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0075	1
BC817-25/DG/B2235	- - -	RFQ	4155	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						BC817					Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	10.000
MRF5S9150HR3	- - -	RFQ	4276	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		68 v		Chassis -berg	SOT-957A	MRF5	880 MHz	Ldmos		NI-780H-2L	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	250			- - -	1,5 a	33W	19.7db											- - -			28 v
MRF8S9170NR3,528	- - -	RFQ	8738	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						MRF8S9170		- - -			Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert				1															- - -
BZX84-C75/LF1VL	- - -	RFQ	6014	NXP USA Inc.	Automobil, AEC-Q101	Band & Rollen (TR)	Aktiv	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BZX84-C75			250 MW	SOT-23 (to-236ab)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	934069504235	Ear99	8541.10.0050	3.000																		900 mv @ 10 mA	50 NA @ 52,5 V.		75 V	255 Ohm
BFU520Y115	- - -	RFQ	2909	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	3.000
Bll6H1214L-250,112	372.4000	RFQ	25	NXP USA Inc.	*	Rohr	Aktiv						Bll6					- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen				60
BYV25D-600,118	0,3000	RFQ	76	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						Byv25					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0080	2.500
BZV85-C30.133	0,0400	RFQ	118	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						BZV85					- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	5.000
MMRF5018HS-450	1.0000	RFQ	4775	NXP USA Inc.	- - -	Tablett	Aktiv		125 v		Oberflächenhalterung	NI-400S-2SA	MMRF5018	1 MHz ~ 2,7 GHz	- - -		NI-400S-2SA	- - -							1	- - -		- - -		125W	17.3db											- - -
BZX284-C12,115	- - -	RFQ	2892	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	± 5%		-65 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOD-110	Bzx284			400 MW	SOD-110	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	3.000																		1,1 V @ 100 mA	100 na @ 8 v		12 v	10 Ohm
PMEG4005AESFC315	0,0500	RFQ	162	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.10.0070	9.000
PhD21N06LT, 118	- - -	RFQ	7920	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Band & Rollen (TR)	Veraltet			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	PhD21		MOSFET (Metalloxid)		Dpak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal					55 v	19A (TC)	5v, 10V	70 Mohm @ 10a, 10V	2V @ 1ma	9.4 NC @ 5 V.	± 15 V	650 PF @ 25 V.	- - -	56W (TC)
BT138-800E/DG127	0,4300	RFQ	4	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen	Nicht Anwendbar	3 (168 Stunden)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.30.0080	642
BZX884-C43,315	0,0300	RFQ	59	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						BZX884					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	10.000
PSMN035-150B	- - -	RFQ	4207	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						PSMN035		- - -			Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Reichweiite Betroffen		Ear99	8541.29.0095	1															- - -
MMRF1306HSR5	- - -	RFQ	6337	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		133 v			Ni-1230-4s	MMRF1	230 MHz	Ldmos		Ni-1230-4s	- - -	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	935320269178	Ear99	8541.29.0075	50	Dual		- - -	100 ma	1250W	24 dB											- - -			50 v
BUK7514-60E, 127	- - -	RFQ	1498	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Rohr	Veraltet			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	BUK75		MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal					60 v	58a (TC)	10V	13mohm @ 15a, 10V	4v @ 1ma	22.9 NC @ 10 V.	± 20 V	1730 PF @ 25 V.	- - -	96W (TC)
BUK7510-100B, 127	0,8200	RFQ	779	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Rohr	Aktiv			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	BUK7510		MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1		N-Kanal					100 v	75a (TC)	10V	10Mohm @ 25a, 10V	4v @ 1ma	80 nc @ 10 v	± 20 V	6773 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
PMPB48EP, 115	1.0000	RFQ	6349	NXP USA Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv			-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-xfdfn exponiert Pad			MOSFET (Metalloxid)		DFN1010B-6	Herunterladen					Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal					30 v	4.7a (TA)	4,5 V, 10 V.	50mohm @ 4.7a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	26 NC @ 10 V	± 20 V	860 PF @ 15 V	- - -	1,7W (TA), 12,5 W (TC)
MRFE6S9205HR3	- - -	RFQ	3004	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		66 v		Chassis -berg	SOT-957A	Mrfe6	880 MHz	Ldmos		NI-880H-2L	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	250			- - -	1.4 a	58W	21.2db											- - -			28 v
BZX79-B27,113	0,0200	RFQ	284	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						BZX79					- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.10.0050	10.000
MRF6V14300HSR3	- - -	RFQ	3008	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic		100 v		Chassis -berg	NI-780s	MRF6	1,4 GHz	Ldmos		NI-780s	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0075	250			- - -	150 Ma	330W	18db											- - -			50 v
PH5030ALS, 115	- - -	RFQ	5660	NXP USA Inc.	*	Band & Rollen (TR)	Veraltet						Ph50					- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	934065185115	Ear99	8541.29.0095	1.500
PDTA124EU, 135	0,0200	RFQ	20	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv						PDTA124					Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0075	10.000
PSMN7R0-30YL115/BKN	1.0000	RFQ	1171	NXP USA Inc.	*	Schüttgut	Aktiv											Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	1
BUK956R1-100E, 127	- - -	RFQ	3617	NXP USA Inc.	Trenchmos ™	Rohr	Veraltet			-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	BUK95		MOSFET (Metalloxid)		To-220ab	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal					100 v	120a (TC)	5v, 10V	5.9mohm @ 25a, 10V	2,1 V @ 1ma	133 NC @ 5 V	± 10 V	17460 PF @ 25 V.	- - -	349W (TC)
AFT20P060-4GNR3	- - -	RFQ	9604	NXP USA Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet		65 V		Oberflächenhalterung	OM-780G-4L	Achtern20	2,17 GHz	Ldmos		OM-780G-4L	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	935322069528	5a991g	8541.29.0040	250	Dual		- - -	450 Ma	6.3W	18.9db											- - -			28 v

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Diskette HalblerProdukte (6133)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²